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[发明专利]具有金属增强栅极的分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法-CN201580072475.4在审
发明人： C-M.陈;M-T.吴;J-W.杨;C-S.苏 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：浮栅设置在所述沟道区的与所述第一区相邻的第一部分上方并且与所述第一部分绝缘。选择栅设置在所述沟道区的与所述第二区相邻的第二部分上方并且与所述第二部分绝缘。所述选择栅包括多晶硅材料块，以及沿着所述多晶硅材料块的底部和侧表面延伸的功函数金属材料层。所述选择栅通过二氧化硅层和高K绝缘材料层与所述沟道区的所述第二部分绝缘。控制栅设置在所述浮栅上方并与所述浮栅绝缘，并且擦除栅设置在所述第一区的上方并与所述第一区绝缘，且横向地邻近所述浮栅设置并与所述浮栅绝缘。
具有金属增强栅极分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法

[发明专利]防漏电的功率器件及其制造方法-CN201510051178.3在审
发明人：郝建勇;张志娟;周炳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有防漏电的功率器件，包括芯片和由芯片表面自下而上的栅氧化层、绝缘层、电极及金属层，所述的电极的左侧设置栅氧化层和绝缘层，所述的电极的右侧也设置栅氧化层和绝缘层，栅氧化层和绝缘层之间设有多晶硅层，绝缘层将栅氧化层与电极隔开，左侧的栅氧化层和多晶硅层与左侧的绝缘层接触的一侧具有第一SIN侧墙，右侧的栅氧化层和多晶硅层与右侧的绝缘层接触的一侧具有第二SIN侧墙。
漏电功率器件及其制造方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的驱动电路-CN201210158497.0有效
发明人：张晋芳;牛勇;王成新;梁海刚;王博;王雷 -专利权人：永济新时速电机电器有限责任公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H02M1/092 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管的驱动电路。其中，所述绝缘栅双极型晶体管的驱动电路包括：高压隔离驱动电源、驱动信号调制电路、逻辑保护电路和故障反馈电路。本发明通过设置高压隔离驱动电源可有效的增强驱动回路的抗干扰性能；通过设置逻辑保护电路可有效降低绝缘栅双极型晶体管的关断电压尖峰，提高绝缘栅双极型晶体管的驱动电路的工作可靠性，降低故障率；通过设置故障反馈电路可在绝缘栅双极型晶体管出现故障时及时反馈信号，以使接收到该反馈信号的控制设备停止向所述驱动信号调制电路输出所述驱动脉冲信号，以免损坏绝缘栅双极型晶体管。此外，本发明提供的绝缘栅双极型晶体管的驱动电路结构简单，成本低。
绝缘栅双极型晶体管驱动电路

[实用新型]防漏电的功率器件-CN201520070004.7有效
发明人：郝建勇;张志娟;周炳 -专利权人：苏州同冠微电子有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有防漏电的功率器件，包括芯片和由芯片表面自下而上的栅氧化层、绝缘层、电极及金属层，所述的电极的左侧设置栅氧化层和绝缘层，所述的电极的右侧也设置栅氧化层和绝缘层，栅氧化层和绝缘层之间设有多晶硅层，绝缘层将栅氧化层与电极隔开，左侧的栅氧化层和多晶硅层与左侧的绝缘层接触的一侧具有第一SIN侧墙，右侧的栅氧化层和多晶硅层与右侧的绝缘层接触的一侧具有第二SIN侧墙。
漏电功率器件

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200610160387.2有效
发明人：宋根圭;金保成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述显示装置包括：绝缘衬底；形成于所述绝缘衬底上的包括栅电极的多条栅布线；覆盖所述多条栅布线的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上的形成的透明电极层，透明电极层包括在栅电极周围设置的源电极和漏电极，源电极和漏电极彼此分开以界定在其之间设置的沟道区；覆盖透明电极层的预定区域并绝缘地与多条栅布线交叉以界定多个像素的多条数据布线；和形成于每个像素的沟道区上的有机半导体层，有机半导体层的预定部分有效地与源电极、漏电极和栅电极连接，从而形成具有改善的特性和新的结构的晶体管
显示装置及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件的制造方法-CN200810074158.8无效
发明人：三谷祐一郎;松下大介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：通过直接氮化第一导电类型的硅衬底的主面形成氮化硅膜，然后在氧化气氛中加热所述衬底，以形成多个氧化硅膜，一个位于所述氮化硅膜和所述衬底之间的界面中，另一个位于所述氮化硅膜上，所述多个氧化硅膜和所述氮化硅膜形成第一栅绝缘膜；在所述第一栅绝缘膜上形成浮栅电极；在所述浮栅电极上形成第二栅绝缘膜；在所述第二栅绝缘膜上形成控制栅电极；以及在所述衬底的所述主面中形成第二导电类型的源区和漏区，在所述源区和漏区之间设置所述第一栅绝缘膜
非易失性半导体存储器件制造方法

[发明专利]用于音箱功率放大器的过温保护电路-CN201310630093.1在审
发明人：喻涛 -专利权人：成都优游信息技术有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于音箱功率放大器的过温保护电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一绝缘栅场效应管、第二绝缘栅场效应管、第三绝缘栅场效应管、第四绝缘栅场效应管、三极管、电容、运算放大器、反相器和直流电源，第五电阻、第六电阻、第一绝缘栅场效应管、第二绝缘栅场效应管、三极管和运算放大器构成比较电路，第三绝缘栅场效应管、第四绝缘栅场效应管、电容和反相器构成正反馈电路。
用于音箱功率放大器保护电路

[发明专利]用于D类音频功率放大器的死区控制电路-CN201310539875.4在审
发明人：朱珠;张庆智 -专利权人：成都步速者科技有限责任公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H03K19/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于D类音频功率放大器的死区控制电路，包括第一反相器～第七反相器、第一与非门、第二与非门、第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第四N沟道绝缘栅双极晶体管、电感、电容、电阻和直流电源，第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管和第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第四N沟道绝缘栅双极晶体管、第六反相器、第七反相器构成死区时间的控制电路。
用于音频功率放大器死区控制电路

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202110195811.1在审
发明人：李冠锋;刘敏钻;许乃方 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示装置包括：一基板；一第一薄膜晶体管，设置于该基板上，该第一薄膜晶体管包括一第一主动层、一第一栅绝缘层、以及一第一栅极；以及一第二薄膜晶体管，设置于该基板上，该第二薄膜晶体管包括一第二主动层、一第二栅绝缘层、以及一第二栅极；其中该第一栅绝缘层设置于该第一栅极与该第一主动层之间，且该第一栅绝缘层接触该第一主动层，其中该第二栅绝缘层设置于该第二栅极与该第二主动层之间，且该第二栅绝缘层接触该第二主动层，其中该第一主动层的材料不同于该第二主动层的材料，其中该第二栅绝缘层的氢浓度不同于该第一栅绝缘层的氢浓度。
显示装置及其制造方法

[发明专利]绝缘栅双极型管故障检测方法、装置、设备及存储介质-CN202210464934.5在审
发明人：何超兰;蒋中洲;覃胤合;马洁高;张志强;聂明勇;梁新丽;黎跃;曹秋媛;梁高松;蔡大伟;周琬清;林秋慧;马儒昆 -专利权人：东风柳州汽车有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种绝缘栅双极型管故障检测方法、装置、设备及存储介质。通过在电机控制器对应的当前电压值小于预设电压阈值，且绝缘栅双极型晶体管的故障引脚被激活时，控制电机控制器中的计时器进行计时；在计时器对应的计时值大于预设计时值时，判定绝缘栅双极型晶体管发生故障。相较于现有的硬件芯片在检测出绝缘栅双极型晶体管的故障标志引脚被激活时直接反馈故障，本发明能够根据电机控制器对应的当前电压值和绝缘栅双极型晶体管的故障标志引脚是否被激活共同判断电机控制器是否误报绝缘栅双极型晶体管发生故障，并在计时器对应的计时值大于预设计时值时，判定绝缘栅双极型晶体管发生故障，能够避免电机控制器误报绝缘栅双极型晶体管发生故障。
绝缘栅双极型管故障检测方法装置设备存储介质

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管性能退化试验方法-CN201210117046.2有效
发明人：李璠;曾照洋;郑积斐;杜熠;刘萌萌 -专利权人：中国航空综合技术研究所
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属于测试技术领域，涉及一种绝缘栅双极型晶体管性能退化试验方法。该方法以绝缘栅双极型晶体管为对象，利用程控脉冲发生器、程控电子开关、程控数字万用表、功率电阻、工作电阻和直流电源，通过短路电流冲击，得到不同短路电流值下的绝缘栅双极型晶体管导通饱和电压随短路电流冲击次数的偏移值，以此作为绝缘栅双极型晶体管的性能退化数据。该方法可以在较短的时间里获得准确的绝缘栅双极型晶体管由于短路电流所造成的性能退化数据，利用此数据可以准确预测绝缘栅双极型晶体管在使用过程中的失效时间，以便在绝缘栅双极型晶体管失效前及时采取措施防止由于绝缘栅双极型晶体管失效而产生的严重故障
一种绝缘栅双极型晶体管性能退化试验方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201710225564.9有效
发明人：李冠锋;刘敏钻;许乃方 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示装置包括：一基板；一第一薄膜晶体管，设置于该基板上，该第一薄膜晶体管包括一第一主动层、一第一栅绝缘层、以及一第一栅极；以及一第二薄膜晶体管，设置于该基板上，该第二薄膜晶体管包括一第二主动层、一第二栅绝缘层、以及一第二栅极；其中该第一栅绝缘层设置于该第一栅极与该第一主动层之间，且该第一栅绝缘层接触该第一主动层，其中该第二栅绝缘层设置于该第二栅极与该第二主动层之间，且该第二栅绝缘层接触该第二主动层，其中该第一主动层的材料不同于该第二主动层的材料，其中该第二栅绝缘层的氢浓度不同于该第一栅绝缘层的氢浓度。
显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410035147.0无效
发明人：宫城雅记;小西春男;久保和昭;小岛芳和;清水亭;齐藤丰;町田透;金子哲也 -专利权人：精工电子工业株式会社
申请日： 1995-06-03 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括下列步骤：在基片表面上的第一导电类半导体区表面上形成场绝缘膜；在半导体区的第一和第二晶体管区的表面上，形成光刻胶，用于选择形成具有不同厚度的栅绝缘膜的区域；对应光刻胶形状形成具有不同厚度的栅绝缘膜；在第一和第二晶体管区的表面上形成沟道杂质区；在栅绝缘膜上构成栅电极图形；在第一晶体管区表面上形成第二导电类的源区和漏区，因而，用栅电极将它们分开；在栅电极上形成中间层绝缘膜；形成穿过中间绝缘膜的连接孔；和构成金属化布线图形，并覆盖在连接孔上；分割栅绝缘膜，在同一沟道上的源区与漏区之间，构成平面形的至少多个具有第一和第二厚度的栅绝缘膜区。
半导体器件制造方法

[实用新型]一种过温保护电路-CN201420341871.5有效
发明人：吴素华 -专利权人：万源市海铝科技有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种过温保护电路，包括第一三极管、第二三极管、第一电阻~第四电阻、第一P沟道绝缘栅双极晶体管、第二P沟道绝缘栅双极晶体管、第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管、第二N沟道绝缘栅双极晶体管、第三N沟道绝缘栅双极晶体管、第一反相器、第二反相器和直流电源，第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻构成检测电路，第一N沟道绝缘栅双极晶体管和第三电阻构成迟滞控制电路。
一种保护电路

[实用新型]用于线性稳压器的过流保护电路-CN201420341942.1有效
发明人：吴素华 -专利权人：万源市海铝科技有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： G05F1/573 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于线性稳压器的过流保护电路，包括第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第六P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第三N沟道绝缘栅双极晶体管、第一电阻～第四电阻、第一比较器和第二比较器，第三电阻和第四P沟道绝缘栅双极晶体管构成采样电路，第一比较器、第三P沟道绝缘栅双极晶体管和第五P沟道绝缘栅双极晶体管构成比较控制电路，第二比较器和第三N沟道绝缘栅双极晶体管构成反馈电路。
用于线性稳压器保护电路