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[外观设计]台灯（结结亮）-CN202330304229.4有效
发明人：王慧;汪海波 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：台灯（结结亮）。2.本外观设计产品的用途：用于桌面照明。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
台灯结结亮

[发明专利]具有多个编结结构的鞋类物品-CN201580072594.X有效
发明人：罗伯特·M·布鲁斯 -专利权人：耐克创新有限合伙公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： A43B23/02 文献下载
摘要：鞋类物品包括鞋面，鞋面具有第一编结结构、第二编结结构和覆盖系统。覆盖系统结合到第一编结结构，并且覆盖系统结合到第二编结结构。覆盖系统可以比第一编结结构更抗拉伸，并且覆盖系统可以比第二编结结构更抗拉伸。
具有编结结构鞋类物品

[实用新型]夹心板构件、立模及夹心板构件的成型系统-CN202021577190.0有效
发明人：张瀚文;陈磊;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：广东博智林机器人有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： B28B23/04 文献下载
摘要：立模包括底模和侧模，底模上设有第一拉结结构。夹心板构件包括芯板、钢筋骨架和第二拉结结构，钢筋骨架与芯板相对固定，第二拉结结构固定于钢筋骨架，第二拉结结构用于可拆卸地连接立模上的第一拉结结构。当第二拉结结构与第一拉结结构连接好后形成夹心板构件的成型系统，浇筑可硬化流体填料包裹钢筋骨架及芯板，待硬化成型后分离第一拉结结构和第二拉结结构并脱模即形成夹心板构件。在夹心板构件浇筑成型过程中，第一拉结结构、第二拉结结构、钢筋骨架配合拉住芯板，阻止芯板移位，使其与底模保持一定的相对位置，提高芯板位置精度。
夹心板构件成型系统

[发明专利]一种城市敏感区域暗挖基坑内部冻结造底止水结构及方法-CN201610461680.6有效
发明人：张晋勋;江华;江玉生;单仁亮;董林伟 -专利权人：北京城建集团有限责任公司;中国矿业大学（北京）
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： E02D19/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种城市敏感区域暗挖基坑内部冻结造底止水结构及方法，所述止水结构包括：侧面疏通管、排桩间冻结结构和基坑底部冻结结构，所述侧面疏通管呈矩形分布，并且围绕所述排桩间冻结结构的外侧设置；所述排桩间冻结结构为排桩结构和冻结壁结构呈矩形分布；所述基坑底部冻结结构垂直于开挖的基坑设置，所述基坑底部冻结结构与所述排桩间冻结结构构成的冻结壁形成闭合的止水空间。
一种城市敏感区域基坑内部冻结底止结构方法

[实用新型]一种城市敏感区域暗挖基坑内部冻结造底止水结构-CN201620631376.7有效
发明人：张晋勋;江华;江玉生;单仁亮;董林伟 -专利权人：北京城建集团有限责任公司;中国矿业大学（北京）
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： E02D19/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种城市敏感区域暗挖基坑内部冻结造底止水结构，所述止水结构包括侧面疏通管、排桩间冻结结构和基坑底部冻结结构，所述侧面疏通管呈矩形分布，并且围绕所述排桩间冻结结构的外侧设置；所述排桩间冻结结构为排桩结构和冻结壁结构呈矩形分布；所述基坑底部冻结结构垂直于开挖的基坑设置，所述基坑底部冻结结构与所述排桩间冻结结构构成的冻结壁形成闭合的止水空间。
一种城市敏感区域基坑内部冻结底止结构

[发明专利]一种磁电阻结构及单轴向测量磁传感器-CN202211159797.0在审
发明人：郭海平;徐杰;沈卫锋;薛松生 -专利权人：江苏多维科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术领域，提供了一种磁电阻结构及单轴向测量磁传感器，包括：磁隧道结结构，包括第一磁隧道结结构和第二磁隧道结结构，第一磁隧道结结构设置在第二磁隧道结结构上，或第一磁隧道结结构与第二磁隧道结结构分立设置；第一磁隧道结结构中包括第一偏置层，第二磁隧道结结构中包括第二偏置层；第一偏置层的偏置方向与第二偏置层的偏置方向与膜层平面平行，且垂直于待测轴向并相互反平行；磁隧道结结构设置在底电极与顶电极之间。
一种磁电结构轴向测量传感器

[发明专利]夹心板构件、立模及夹心板构件的成型系统和生产工艺-CN202010763434.2在审
发明人：张瀚文;陈磊;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：广东博智林机器人有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B28B23/04 文献下载
摘要：立模包括底模和侧模，底模上设有第一拉结结构。夹心板构件包括芯板、钢筋骨架和第二拉结结构，钢筋骨架与芯板相对固定，第二拉结结构固定于钢筋骨架，第二拉结结构用于可拆卸地连接立模上的第一拉结结构。当第二拉结结构与第一拉结结构连接好后形成夹心板构件的成型系统，浇筑可硬化流体填料包裹钢筋骨架及芯板，待硬化成型后分离第一拉结结构和第二拉结结构并脱模即形成夹心板构件。在夹心板构件浇筑成型过程中，第一拉结结构、第二拉结结构、钢筋骨架配合拉住芯板，阻止芯板移位，使其与底模保持一定的相对位置，提高芯板位置精度。
夹心板构件成型系统生产工艺

[发明专利]一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件及制造方法-CN202211415212.7在审
发明人：王威;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件结构和制造方法，其中结构包括衬底基板，位于衬底基板一侧的缓冲层，位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的第一异质结结构及第二异质结结构，所述第一异质结结构包括至少一个AlGaN/GaN异质结，所述第二异质结结构包括多个沿第一方向叠加的AlGaN/GaN异质结，第一电极与所述第一异质结结构一端连接，金属连接部与第一异质结结构另一端连接且与第二异质结结构的一端连接；第二电极与所述第二异质结结构的另一端连接，栅电极位于所述第一异质结结构远离所述衬底基板的一侧。
一种共栅共源型多通道氮化 hemt 器件制造方法

[发明专利]具有延伸栅极结结构的垂直串驱动器-CN202011543152.8在审
发明人：冀东;黄广宇;D·蒂梅高达 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种用于三维(3D)存储器器件的驱动器电路，其具有超级结结构作为场管理结构。超级结结构可以称为延伸结结构，其在用于串驱动器的垂直沟道与栅极导体之间分布结的电场。延伸结结构平行于垂直沟道导体延伸，延伸结结构朝向漏极导体垂直延伸，延伸结结构具有大于栅极导体的高度的高度。
具有延伸栅极结构垂直驱动器

[实用新型]防链条别卡的矿用立式接链环、矿用链条、刮板输送机-CN202321330499.3有效
发明人：马斌;任园;丁瑜荣;陈春飞;杨青;袁雪伟 -专利权人：宁夏天地奔牛链条有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B65G19/20 文献下载
摘要：一种防链条别卡的矿用立式接链环，包括左半环、右半环、连接销；左半环与右半环能够对合在一起形成闭合的环状，左半环与右半环通过连接销进行连接，左半环的内侧设有第一防打结结构，第一防打结结构朝向右半环，右半环的内侧设有第二防打结结构，第二防打结结构朝向左半环，第二防打结结构与第一防打结结构正对。通过在左半环、右半环上分别设置第一防打结结构、第二防打结结构，以阻止其连接的链环在接链环内部大幅度移动导致的链环别卡。该接链环结构相对简单，第一防打结结构、第二防打结结构与左半环、右半环毛坯为同时锻造而成，不需再次加工，在达到预定目标外，减少了加工工序，降低了生产成本。还提供了一种矿用链条及刮板输送机。
链条立式链环输送

[实用新型]具有超结结构的半导体器件-CN202022566992.8有效
发明人：蒋高喜;肖步文 -专利权人：无锡鑫泽半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有超结结构的半导体器件，涉及到半导体器件领域，包括半导体器件，所述半导体器件的上表面设置有超结结构，所述超结结构的底部设置有导电片，所述半导体器件由第一漂移层和第二漂移层组成，所述第一漂移层位于有导电片本实用新型通过在半导体器件上设置有插槽，插槽内的限位块与复位弹簧配合能够将超结结构上的插板和卡块限位固定，进而将超结结构限位固定，同时使得超结结构便于拆卸更换，提高了半导体器件的工作效率，超结结构上的导电片在压紧弹簧的作用下与超结结构紧密贴合，对超结结构的安装起到了稳定的作用。
具有结构半导体器件

[发明专利]电容结构、存储单元及制备方法-CN202110547019.8在审
发明人：薛晖;王琪明;朱文生;朴仁鎬 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：其中电容包括多个异质结结构，其中，每个异质结结构包括第一层和对应目标区域的第二层，第二层直接位于第一层上，第一层和第二层均包括二维材料层；多个异质结结构包括交替叠层设置的第一异质结结构和第二异质结结构，第一异质结结构的第一层包括导电层，第二层包括层间介质层；第二异质结结构的第一层包括层间介质层，第二层包括导电层；其中，相邻异质结结构中下方异质结结构的第二层与上方异质结结构的第一层为同一层；相邻导电层之间通过层间介质层隔离
电容结构存储单元制备方法

[实用新型]一种显示模组及显示装置-CN201720238430.6有效
发明人：蔡光源;金星光;李明;程军斐;张华 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供的显示模组及显示装置，在显示面板与背光模组之间设置一两面均具有粘性的粘结结构，并且粘结结构与显示面板之间的粘着力小于粘结结构与背光模组之间的粘着力。这样，在返工维修时，将显示面板与背光模组分离的过程中，由于粘结结构与显示面板之间的粘着力小于粘结结构与背光模组之间的粘着力，所以可以较容易的将显示面板与粘结结构分离，而粘结结构与背光模组则不易分离，从而实现将显示面板与背光模组进行分离
一种显示模组显示装置

[发明专利]超结半导体器件的制备方法-CN201611250024.8在审
发明人：钟圣荣;王荣华 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结半导体器件的制备方法，该方法包括：提供N型衬底；在所述N型衬底上制备超结结构，并将所述超结结构入库存储；获取预制的所述超结结构，在所述超结结构上进行表面DMOS的制备。本发明将制造周期分为超结结构制备和表面DMOS制备两部分，制备后的超结结构可以供所有超结产品使用，后续根据客户需求选择特定产品类型进行产品制备，从而可以减少产品出货周期，提高生产效率。
超结结构制备超结半导体器件衬底产品出货产品类型产品使用产品制备客户需求生产效率制造周期预制的超结存储入库

[发明专利]一种具有超结结构的功率器件及其制作方法-CN201811276121.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京多基观测技术研究院有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超结结构的功率器件及其制作方法，该具有超结结构的功率器件包括位于终端区内的超结结构，所述超结结构包括至少一个第一导电类型的第一半导体柱及至少一个第二导电类型的第二半导体柱，第一半导体柱与第二半导体柱横向交替排布；超结结构还包括第二隔离层和第三隔离层，第二隔离层与第二半导体柱的一端连接；第三隔离层与第一半导体柱的一端连接。本发明所述具有超结结构的功率器件中的所述超结结构相当于多个PN结并联，其可通过较大的漏电流，从而起到对所述具有超结结构的功率器件的有源区进行保护的作用。
一种具有结构功率器件及其制作方法

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