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[发明专利]一种键合晶圆的结构及其制备方法-CN201711030930.1在审
发明人：李海鸥;吴磊;刘洪刚;李琦;陈永和;张法碧;高喜;肖功利;首照宇;傅涛;翟江辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al，在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影，刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构，该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层，以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行，使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案，该键合晶圆的结构及其制备方法，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。
一种键合晶圆结构及其制备方法

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN201911185772.6在审
发明人：李乔伟;梁斐;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种键合结构及其制造方法，在待键合芯片中形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层，封装垫层暴露于待键合芯片的侧边缘，在待键合晶圆上形成有阵列排布的裸片，裸片表面上形成有互连结构以及与互连结构电连接的封装垫层时，利用待键合芯片中的封装垫层，将待键合芯片从侧边缘键合至裸片表面的封装垫层，以获得晶圆结构。该方法利用封装垫层将待键合芯片与待键合晶圆上的裸片键合形成晶圆结构，待键合芯片可以选择没有缺陷的产品，相较于晶圆与晶圆的键合，避免晶圆上有缺陷的芯片间的键合，提高产品的良率，进而降低制造成本。
一种结构及其制造方法

[发明专利]异质键合结构的制备方法-CN201811619162.8有效
发明人：欧欣;黄凯;李文琴;赵晓蒙;鄢有泉;李忠旭;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质键合结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底及第二衬底，第一衬底具有第一键合面，第二衬底具有第二键合面，将第一键合面与第二键合面在键合温度下进行键合处理；在退火处理温度下进行退火处理；进行冷却处理，以降温至第一温度，第一温度低于键合温度；调整上步得到结构的温度至室温，以得到由处理后的第一衬底及第二衬底构成的异质键合结构。本发明提供一种异质键合结构的制备方法，在进行退火处理加固之后，对加固后的结构进行冷却处理，冷却至键合温度以下，从而使得冷却处理过程中产生与加热过程中相反的热应力，降低了异质键合结构内部的残余热应力，从而可以降低因应力引发的键合结构的翘曲
异质键合结构制备方法

[实用新型]键帽、具有该键帽的按键模块以及供该键帽设置的治具-CN201920385157.9有效
发明人：曾俊富;夏聪 -专利权人：常熟精元电脑有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01H13/705 文献下载
摘要：一种键帽、具有所述键帽的按键模块以及供该键帽设置的治具，其中，按键模块，包含底板、支撑机构，以及键帽。所述支撑机构设置于所述底板上。所述键帽设置于所述支撑机构上而能相对于所述底板上下移动，所述键帽包括键帽本体、多个连接结构，以及至少一固持结构。所述键帽本体具有顶壁，以及自所述顶壁周缘朝下延伸形成的围绕壁。所述连接结构形成于所述键帽本体的顶壁的底面且适用于设置在所述支撑机构。所述至少一固持结构与所述连接结构相间隔地形成于所述键帽本体的顶壁的底面，且所述至少一固持结构适用于设在治具以使所述键帽设置于所述治具。借此，能对键帽进行喷漆与镭射雕刻，且能降低因连接结构损坏而使键帽自支撑机构上脱落的机率。
键帽键帽本体连接结构支撑机构治具底板按键模块固持结构顶壁底面顶壁周缘镭射雕刻上下移动围绕壁自支撑喷漆延伸

[发明专利]一种降低激光剥离能量阈值的复合转移衬底结构及制备工艺-CN201710775206.5有效
发明人：云峰;李虞锋;孙东旭 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低激光剥离能量阈值的复合转移衬底结构及制备工艺，包括原始键合衬底、多层功能性键合层和三维空间阵列结构；三维空间阵列结构由多层的功能性键合层构成，位于原始键合衬底和被键合材料之间；三维空间阵列结构的特征尺寸在100um以下，三维空间阵列结构中的空隙中填充有软性导电导热材料；所述原始键合衬底表面有一金属镀层，三维空间阵列结构的多功能键合层制备在金属镀层之上，后与被键合材料键合；或者制备在被键合材料表面，后与原始键合衬底键合本发明通过在被键合材料和键合衬底之间形成稳定的三维空间阵列结构，有效降低了激光剥离时的阈值能量，同时不影响剥离外延层的质量，可以进行完整的外延剥离。
一种降低激光剥离能量阈值复合转移衬底结构制备工艺

[发明专利]用于临时键合的载片结构以及键合与拆键合方法-CN201310401500.1有效
发明人：靖向萌;姜峰;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种用于临时键合的载片结构，包括一载片晶圆，在载片晶圆上表面开有凹槽，所述凹槽的内壁以及所述凹槽四周的载片晶圆外圈上表面经过去粘性处理；填充胶填充在所述凹槽内并被固化；器件晶圆通过临时键合胶与固化后的填充胶上表面和载片晶圆外圈上表面键合，形成临时键合体。本发明还提供了该载片结构的键合与拆键合方法。本发明解决了现有载片晶圆制作工艺繁琐和成本昂贵等相关问题，很大程度实现了低成本的临时键合工艺，同时保证了拆键合的可靠性，降低碎片的风险。
用于临时结构以及拆键合方法

[发明专利]一种通过键合材料进行键合的方法和键合结构-CN201810307052.1有效
发明人：王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请提供一种通过键合材料进行键合的方法和键合结构，该方法包括：在第一基板的主面和/或第二基板的主面形成位于键合区域的外周的凹部；在所述第一基板的主面和/或所述第二基板的主面的所述键合区域形成键合材料；以及向所述第一基板和所述第二基板施加压力，使所述第一基板的主面和所述第二基板的主面通过由所述键合材料形成的键合层而键合。根据本申请，在键合区域外周形成凹部，用于容纳从键合区域溢流出的键合材料，从而避免键合材料从键合的基板边缘溢出。
一种通过材料进行方法结构

[实用新型]一种平键传动结构-CN202020399688.6有效
发明人：黄林;翟振强;苍学伟;肖强;那国雨;武程;幕传琳;宁涛;张颖;倪宏伟 -专利权人：中国航发哈尔滨东安发动机有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： F16B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平键传动结构，包括转动轴、转动件、平键，转动件设在转动轴外部，平键横向设在转动轴与转动件之间，转动轴转动时，转动力通过挤压的方式传递到平键上，再传递到转动件上；其中，平键是一个扁平的方块，平键的方块边缘为倒角。本实用新型的平键传动结构彻底解决传统平键所受剪切力问题，增大平键传动结构的联接强度，降低工艺难度，提高平键传动结构的稳定性，大幅度提升产品使用寿命。该新型平键传动结构已用于某型滑油泵，该滑油泵工艺加工难度降低、平键传动寿命得到提升。
一种传动结构

[发明专利]使用混合键合的结构和器件及其形成方法-CN202010446465.5在审
发明人：王涛;胡思平;王家文;黄诗琪;朱继锋;陈俊;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：公开了键合的半导体结构及其制造方法的实施例。在示例中，一种半导体器件包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括第一互连层，所述第一互连层包括第一互连。至少一个第一互连是第一虚设互连。第一半导体结构还包括第一键合层，所述第一键合层包括第一键合触点。每个第一互连与相应的第一键合触点接触。第二半导体结构包括第二互连层，所述第二互连层包括第二互连。至少一个第二互连是第二虚设互连。第二半导体结构还包括第二键合层，所述第二键合层包括第二键合触点。每个第二互连与相应的第二键合触点接触。半导体器件还包括第一键合层与第二键合层之间的键合界面。每个第一键合触点在键合界面处与相应的第二键合触点接触。
使用混合结构器件及其形成方法

[发明专利]使用混合键合的结构和器件及其形成方法-CN201980000243.6有效
发明人：王涛;胡思平;王家文;黄诗琪;朱继锋;陈俊;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：公开了键合的半导体结构及其制造方法的实施例。在示例中，一种半导体器件包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括第一互连层，所述第一互连层包括第一互连。至少一个第一互连是第一虚设互连。第一半导体结构还包括第一键合层，所述第一键合层包括第一键合触点。每个第一互连与相应的第一键合触点接触。第二半导体结构包括第二互连层，所述第二互连层包括第二互连。至少一个第二互连是第二虚设互连。第二半导体结构还包括第二键合层，所述第二键合层包括第二键合触点。每个第二互连与相应的第二键合触点接触。半导体器件还包括第一键合层与第二键合层之间的键合界面。每个第一键合触点在键合界面处与相应的第二键合触点接触。
使用混合结构器件及其形成方法

[发明专利]一种移动终端-CN201711396077.5有效
发明人：方传彪 -专利权人：深圳市金立通信设备有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01H13/06 文献下载
摘要：该移动终端包括：第一壳体；第二壳体，第二壳体上设有侧键安装结构，侧键安装结构形成装配腔；控制电路板，控制电路板具有控制端子，控制端子延伸进装配腔内，第一壳体、控制端子与侧键安装结构三者之间相互连接；侧键，侧键安装于侧键安装结构上，侧键具有调节触头，调节触头延伸至装配腔内，侧键具有初始位置和调节位置；当侧键处于初始位置时调节触头脱离控制端子；当侧键处于调节位置时调节触头抵顶控制端子，且调节触头与侧键安装结构相互连接应用本技术方案能够解决现有技术中存在的移动终端的侧键的防水设计结构方式已经不能满足当前的设计发展理念的要求的技术问题。
侧键安装结构控制端子触头移动终端装配腔控制电路板第二壳体第一壳体防水设计结构方式延伸抵顶脱离应用

[实用新型]一种按键结构及电子装置-CN202121697166.5有效
发明人：彭久高;师瑞文;何桂晓;郭世文;曹磊;黄永兴;吴海全 -专利权人：深圳市冠旭电子股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01H13/14 文献下载
摘要：本实用新型属于电子设备的技术领域，涉及一种按键结构及电子装置，该按键结构包括开关组件、按压组件和伸缩件，其中，按压组件包括键帽和悬臂，悬臂连接于键帽上，键帽用于按压开关组件；伸缩件设置于键帽与开关组件之间，且伸缩件能伸展以使键帽复位。该按键结构设置有开关组件，并通过按压组件的键帽来按压开关组件，在键帽与开关组件之间设置伸缩件，当键帽受到作用力而移动按压开关组件时，伸缩件收缩，而撤去作用力之后，伸缩件伸展恢复，从而带动键帽回弹复位，避免键帽下陷而无法恢复该按键结构即使键帽按压开关组件后下陷，伸缩件也可以通过自身伸展使键帽复位，确保按键结构的正常使用，从而避免按键结构失灵，提高用户的使用体验。
一种按键结构电子装置

[发明专利]键帽及应用其的按键结构-CN201510438075.2有效
发明人：陈志宏 -专利权人：苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01H13/705 文献下载
摘要：本发明揭露一种键帽及应用其的按键结构。键帽包括键帽本体、支架连接结构以及治具连接结构。键帽本体具有顶面、底面及复数个裙边结构，顶面与底面相对，底面位于这些裙边结构之间。支架连接结构配置于底面，用以与键帽支撑结构相连接。治具连接结构配置于底面，用以与治具相连接以使治具承载键帽，治具连接结构与支架连接结构相邻接。本发明当键帽安装于治具上以进行处理时，可确实避免对支架连接结构产生影响，而使键帽能更稳固的配置于键盘上，增加键盘的使用寿命。
应用按键结构

[发明专利]一种晶圆级封装结构及其制造方法-CN202210761705.X在审
发明人：杨清华;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N30/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级封装结构的制造方法，包括：提供第一晶圆并在其正面形成电子器件、与电子器件电连接的第一键合部、以及环绕电子器件的第二键合部；提供第二晶圆并在其正面形成导电盲孔结构；在第二晶圆的正面形成第三键合部和第四键合部，第三键合部包括与第一键合部对应的主体部、以及与主体部连接并延伸至导电盲孔结构处与其电连接的延伸部，第四键合部与第二键合部对应；对第一键合部和第三键合部进行键合、对第二键合部和第四键合部进行键合；对第二晶圆的背面进行减薄直至暴露出导电盲孔结构并在导电盲孔结构上形成焊球本发明还提供了一种晶圆级封装结构。实施本发明有利于缩短封装结构的制造周期以及降低封装结构的制造成本。
一种晶圆级封装结构及其制造方法

[发明专利]LED晶片的键合方法-CN201810340674.4有效
发明人：牛小龙;徐相英;姜晓飞 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种LED晶片的键合方法，所述LED晶片的键合方法包括以下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构；提供一背板；于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构；将所述LED晶片与所述结合层对位，并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合。
led 晶片方法