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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于功率器件的超结结构及制造方法-CN201410043494.1在审
发明人：约瑟夫·A·叶季纳科;李在吉;张浩铁;尹钟晩;普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺;克里斯托夫·L·雷克塞尔;金昌郁;李宗宪;詹森·M·希格斯;德韦恩·S·赖希尔;乔尔勒·夏普;王琦;金龙燮;李廷吉;马克·L·赖尼希默;郑镇营 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：功率器件包括有源区域和包围有源区域的终端区域。第一和第二导电类型的多个导柱在有源区域和终端区域的每一个中交替布置。有源区域和终端区域中的第一导电类型的导柱具有基本上相同的宽度，而有源区域中的第二导电类型的导柱具有比终端区域中的第二导电类型的导柱更小的宽度，使得有源区域和终端区域的每一个中的电荷平衡状态导致终端区域中的击穿电压比有源区域中的击穿电压更高
用于功率器件结构制造方法

[发明专利]用于功率器件的超结结构及制造方法-CN200880117046.4有效
发明人：约瑟夫·A·叶季纳科;李在吉;张浩铁;尹钟晚;普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺;克里斯托夫·L·雷克塞尔;金昌郁;李宗宪;詹森·M·希格斯;德韦恩·S·赖希尔;乔尔勒·夏普;王琦;金龙燮;李廷吉;马克·L·赖尼希默;郑镇营 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L29/00 文献下载
摘要：功率器件包括有源区域和包围有源区域的终端区域。第一和第二导电类型的多个导柱在有源区域和终端区域的每一个中交替布置。有源区域和终端区域中的第一导电类型的导柱具有基本上相同的宽度，而有源区域中的第二导电类型的导柱具有比终端区域中的第二导电类型的导柱更小的宽度，使得有源区域和终端区域的每一个中的电荷平衡状态导致终端区域中的击穿电压比有源区域中的击穿电压更高
用于功率器件结构制造方法

[发明专利]区域管制中心与终端区ATC系统的飞行计划同步方法-CN202010872109.X有效
发明人：刘华章;惠文晓;张军;欧昕;蒲可洪;朱文成;晏彬;薛康 -专利权人：成都民航空管科技发展有限公司;中国民用航空总局第二研究所
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G08G5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种区域管制中心与终端区ATC系统飞行计划同步方法，包括：根据区域管制中心飞行计划处理模块中的本地区域管制中心飞行计划覆盖终端区飞行计划处理模块的区域管制中心飞行计划，终端区飞行计划处理模块中的终端区飞行计划覆盖区域管制中心飞行计划处理模块的终端区飞行计划；对比区域管制中心飞行计划处理模块的区域管制中心飞行计划和终端区飞行计划，得到对比结果；根据对比结果判定将飞行计划更新至区域管制中心ATC系统和终端区的ATC系统中的区域管制中心飞行计划或终端区飞行计划
区域管制中心终端 atc 系统飞行计划同步方法

[发明专利]一种适用于大功率半导体器件的结终端及其制备方法-CN201710488910.2在审
发明人：陆宇 -专利权人：上海卓弘微系统科技有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种适用于功率器件的结终端及其制备方法，所述结终端包括半导体基底、第一电极、半导体区域、第二电极。第一电极形成于半导体基底的下端面；半导体区域形成于半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，半导体区域包括有源区域、第一终端区域、第二终端区域、第三终端区域。第二电极连接有源区域、第一终端区域和第二终端区域沟槽内半导体材料，以及有源区域的台面。本发明结终端可改善结终端器件耐高压特性。
终端区域结终端半导体基底半导体区域源区域第二电极第一电极制备大功率半导体器件半导体材料第一导电类型耐高压特性功率器件上端面下端面台面

[发明专利]静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法-CN202110295454.6在审
发明人：曾杰;R·库马尔 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法，提供一种静电放电(ESD)保护装置，包括具有设置于其中的导电区域的基板，设置在导电区域内的第一终端区域和第二终端区域，以及场分布结构。所述场分布结构可包括设置在位于第一终端区域和第二终端区域之间的导电区域内的中间区域，设置在中间区域上方的隔离元件，设置在隔离元件上方的第一导电板和第二导电板。第一导电板可电性连接第一终端区域，而第二导电板可电性连接第二终端区域。
静电放电保护装置形成方法

[发明专利]一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法-CN201210563935.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：上海矽睿科技有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭示了一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法，所述结终端包括半导体基底、第一电极、半导体区域、第二电极。第一电极形成于半导体基底的下端面；半导体区域形成于半导体基底的上端面，其具有第一导电类型，半导体区域包括有源区域、第一终端区域、第二终端区域。有源区域设有多个第一沟槽，第一沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；第一终端区域设有多个第三沟槽，第三沟槽内填充具有第二导电类型的半导体材料；第二终端区域设有至少一个第二沟槽，第二沟槽内为具有高介电常数的绝缘材料第二电极连接有源区域的第一沟槽，覆盖在有源区域、第一终端区域、第二终端区域之上。本发明结终端可改善结终端器件耐高压特性。
一种适用于深槽超结器件终端及其制备方法

[发明专利]一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法-CN201910282761.3在审
发明人：张二雄 -专利权人：深圳市锐骏半导体股份有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法，功率器件表面包括元胞区和终端区，所述元胞区又分为GATE区域和Source区域，位于元胞区内的GATE区域和Source区域刻开区域,其余元胞区和终端区全部覆盖钝化层，所述终端区除钝化层Gate区域和source区域刻开一小块用于封装后引线外，同时在终端区打开一个或多个较小的刻开区，每个刻开区1um~20um宽，总刻开区的面积小于终端区面积的一半；释放终端区钝化层的膜内应力及可动离子，大大减小钝化层对终端区的影响，解决了因可动离子及应力问题导致的器件失效，大大提升器件的功能及可靠性。
终端区钝化层功率器件元胞区可靠性影响可动离子器件失效提升器件应力问题减小元胞封装释放覆盖

[发明专利]SD-WAN网络系统以及用于网络流量加速优化方法-CN201810637049.6在审
发明人：王智明;毋涛 -专利权人：中国联合网络通信集团有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：该SD‑WAN网络系统中SD‑WAN网络分别连接公有云区域、总部区域、分支区域、移动终端区域；公有云区域提供公有云资源访问服务；总部区域提供总部资源访问服务；移动终端区域通过因特网连接SD‑WAN网络，分支区域通过因特网连接SD‑WAN网络；SD‑WAN网络根据移动终端区域和分支区域的网络流量加速优化请求提供优化结果，并下发至移动终端区域和分支区域；移动终端区域和分支区域根据优化结果访问公有云区域和总部区域
移动终端区域分支区域公有云网络流量因特网连接区域提供网络系统优化结果资源访问总部优化数据丢包率请求提供网络带宽服务访问

[发明专利]用于高压应用的装置-CN202211412269.1在审
发明人： K·高;徐秋逸;S·马修 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及用于高压应用的装置，披露一种装置包括设置在衬底上的埋置氧化物层、设置在埋置氧化物层上的第一区域和设置在第一区域中的第一环形区域。第一环形区域包括防护环部分。所述装置还包括设置在第一环形区域中的第一终端区域、设置在第一区域中的第二环形区域和设置在第二环形区域中的第二终端区域。第一终端区域连接阳极，并且第二终端区域连接阴极。第一区域具有梯度掺杂浓度。第一区域、第二环形区域和第二终端区域具有第一导电类型，并且第一环形区域和第一终端区域具有第二导电类型。第一导电类型不同于第二导电类型。
用于高压应用装置

[发明专利]功率半导体器件的终端制作方法、终端结构、器件及芯片-CN202310462493.X在审
发明人：杜蕾;张学强;和巍巍 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件的终端制作方法、终端结构、器件及芯片，该方法包括：生成初始终端，所述初始终端包括管芯区和所述管芯区之外的终端区，所述管芯区和所述终端区包括共同的衬底；刻蚀掉所述衬底上靠近所述终端区的预设区域，所述预设区域与所述终端区相邻；对所述预设区域填充预设介质，获取目标终端。本发明实施例提高了功率半导体器件的耐压，且不需要增加终端区面积，从而不会增加芯片面积，进而降低了功率半导体器件的成本。
功率半导体器件终端制作方法结构器件芯片

[发明专利]一种用于机场终端区域的GNSS诱骗干扰信号检测方法-CN202010932955.6有效
发明人：樊荣;司成可;郭恩豪;万晨智;王俊宇;杨林峰;胡焱 -专利权人：中国民用航空飞行学院
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01S19/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于机场终端区域的GNSS诱骗干扰信号检测方法，其采取“借力打力”的相对检测技术思路，实现机场终端区域GNSS干扰信号的可靠检测。一种用于机场终端区域的GNSS诱骗干扰信号检测方法，其在机场终端区域构建一套网格化监视系统，对各监测节点输出监测定位数据进行处理，从而判定GNSS是否存在干扰源。
一种用于机场终端区域 gnss 诱骗干扰信号检测方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201110380426.0有效
发明人：樽井阳一郎;鹿口直斗;中村卓誉 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：在具有作为JTE区域或者FLR的终端区域的碳化硅半导体装置的制造中，增大将在终端区域表面产生的损伤层除去的刻蚀量的容限。碳化硅半导体装置在半导体元件的终端部具有作为JTE（JunctionTerminationExtension）区域或者FLR（FieldLimitingRing）的终端区域。终端区域利用将杂质的种类以及注入能量固定的一个阶段的离子注入形成。在终端区域的深度方向的杂质浓度分布中，最浅的位置的浓度峰值位于比表面深0.35μm的位置，并且，表面部的浓度为最浅的浓度峰值的十分之一以下。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]电子器件-CN202110052378.6在审
发明人： G·H·洛切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该电子器件可以包括具有有源区域和终端区域的管芯。该有源区域内靠近该终端区域的柱可以有助于减小该有源区域和终端区域的边界附近邻近于衬底的主表面的电场。在实施方案中，该减小的电场可以通过在该有源区域的靠近该终端区域的柱内具有减小的净电荷来实现，与该有源区域的该中心附近的柱相反。在另一个实施方案中，该减小的电场可以通过部分地掺杂该有源区域内更靠近该终端区域的柱或通过至少部分地反掺杂此类柱来实现。
电子器件

[发明专利]用于飞机场表面移动模型的自动生成的系统和方法-CN201510129444.X有效
发明人： D.P.杜利普迪;N.奥哈;G.达科朱;S.贾布汉;A.斯里瓦斯塔夫;D.尼古拉斯 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G08G5/00 文献下载
摘要：提供了用以生成飞机场表面区域节点链接图表的方法和系统。提供的终端区域网发生器根据可靠的终端区域节点链接来构造终端区域网，其不要求进一步手动处理。示例性实施例与AIRAC循环相容。
用于飞机场表面移动模型自动生成系统方法

[发明专利]半导体装置-CN202210019635.0在审
发明人：尾形昂洋;大桥辉之;河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：元件区域，包含晶体管、第一二极管以及第一接触部；终端区域，包围元件区域且包含第二接触部；以及中间区域，设置于元件区域与终端区域之间，不包含晶体管、第一二极管、第一接触部以及第二接触部，元件区域包含第一电极、第二电极、栅极电极、碳化硅层以及栅极绝缘层，终端区域包含与第一电极电连接的第一布线层、第二电极以及碳化硅层，中间区域包含碳化硅层，从元件区域朝向终端区域的方向的中间区域的宽度为碳化硅层的厚度的
半导体装置

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