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[发明专利]用于制备多晶硅的热载体和多晶硅反应炉-CN201711313320.2在审
发明人：王建鑫;郭晓刚;吴一兵 -专利权人：江西赛维LDK光伏硅科技有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制备多晶硅的热载体，所述热载体包括钨丝以及与所述钨丝连接的金属管，所述金属管的材质包括钽、钼和钛中的至少一种。本发明提供的用于制备多晶硅的热载体，替代了以往的使用的硅芯，所述热载体使用常规工厂用电就可为反应器内提供热源，不再需要高电压击穿及预加热器击穿硅芯的工艺方式，优化了运行前的反应器准备时间，提高了多晶硅的生产效率本发明还提供一种多晶硅反应炉，包括热载体，所述热载体包括钨丝和与所述钨丝连接的金属管，所述金属管的材质包括钽、钼和钛中的至少一种。
用于制备多晶热载体反应炉

[发明专利]一种复合反射膜氮化硅太阳能电池板制备方法-CN201711347630.6在审
发明人：王凯 -专利权人：天津市瓦克新能源科技有限公司
申请日： 2017-12-16 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种复合反射膜氮化硅太阳能电池板制备方法，属于太阳能电池技术领域，具体包括以下步骤：制绒；热扩散制备；去PSG；氢化非晶硅层制备；在非晶硅层上放置掩膜，掩膜图形将部分氢化非晶硅层遮盖，然后沉积氮化硅，形成多孔氮化硅层，所述氢化非晶硅层、多孔氮化硅层配合形成复合减反膜；Ag背电极、Al背电场和Ag正电极的印刷和烧结。本发明利用非晶硅层优异的钝化效果和多孔氮化硅层的低反射率，及非晶硅层、多孔氮化硅层优异的光学匹配，使得太阳能电池的太阳光子利用率大大提高，载流子复合速率大大下降，从而大大提升电池的转换效率。
一种复合反射氮化太阳能电池板制备方法

[发明专利]一种综合性能高环保型改性水性聚氨酯的制备方法-CN201711283830.X在审
发明人：张成华;吴中阳 -专利权人：遂宁市明川零贰零科技有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C08G18/75 文献下载
摘要：本发明提供了一种综合性能高环保型改性水性聚氨酯的制备方法，包括以下步骤(1)分别制备聚酯类预聚体和聚醇类预聚体；(2)共混，得复合聚氨酯预聚体；(3)用聚硅氧烷低聚物改性复合聚氨酯预聚体，得有机硅改性聚氨酯；(4)用中和剂中和有机硅改性聚氨酯；(5)去离子水分散乳液，得综合性能高环保型改性水性聚氨酯；(6)抽真空去除溶剂，出产品，其操作容易，易于规模化生产。本发明采用不同预聚体，通过物理共混改性聚氨酯预聚体，再与聚硅氧烷加成聚合、扩链反应制成有机硅改性聚氨酯共聚物，克服有机硅氧烷与聚氨酯相容性很差的技术难题，产品综合性能较高。
一种综合性能环保改性水性聚氨酯制备方法

[发明专利]一种调压装置及方法-CN201710802426.2在审
发明人：颜凯;郭春雨;蓝剑;张洪涛;邢勇 -专利权人：北京英博电气股份有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H02M5/293 文献下载
摘要：本发明提供了一种调压装置，包括控制模块、第一变压器和桥式可控硅切换电路；桥式可控硅切换电路包括桥臂，每个桥臂均设有可控硅；第一变压器的输入线圈与电压输出端连接，第一变压器的输出线圈包括多个抽头，每个抽头对应不同的线圈绕组，多个抽头分别与桥式可控硅切换电路中的对应的桥臂连接；控制模块，用于通过控制桥式可控硅切换电路中可控硅的导通与断开，进而控制桥臂的导通与断开，进而使该桥臂所对应得第一变压器的线圈绕组导通，以实现对电压输出端的输出电压进行调节
一种调压装置方法

[发明专利]镁合金支架及其制备方法-CN201710749167.1在审
发明人：奚廷斐;刘婧;张志雄 -专利权人：江苏沣沅医疗器械有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： A61L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种镁合金支架，其包括镁合金基体；第一聚硅氧烷层，附于所述镁合金基体的表面；第二聚硅氧烷层，附于所述第一聚硅氧烷层上；以及聚合物层，附于所述第二聚硅氧烷层上。上述镁合金支架，在镁合金基体以及聚合物层之间设有双层聚硅氧烷层，提高了聚合物层与镁合金基体之间的结合力，提高聚合物层的稳定性。另，双层聚硅氧烷层可以形成良好的物理屏障以阻挡体液中的氯离子等腐蚀性离子的侵蚀，进一步提高镁合金基体的保护，以降低镁合金基体的腐蚀速度，改善生物相容性。本发明还提供了一种镁合金支架的制备方法。
镁合金支架及其制备方法

[发明专利]一种MEMS电喷雾推力器阵列结构及实现方法-CN201710627162.1在审
发明人：耿金越;魏福智;刘旭辉;龙军;扈延林;沈岩;陈君;毛威;李栋;吴耀武;仝颖刚;吴朋安;周磊;李胜军;臧娟伟 -专利权人：北京控制工程研究所
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： B64G1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS电喷雾推力器阵列结构及实现方法，包括101、对硅片进行深硅刻蚀和湿法腐蚀得到安装基座(1)；102、对多孔材料采用电化学腐蚀得到发射极(2)；103、将发射极(2)键合在安装基座(1)上；104、通过硅‑玻璃‑硅阳极键合及玻璃腐蚀、深硅刻蚀得到定位及绝缘层(3)；105、通过环氧树脂将定位及绝缘层(3)键合连接在安装基座(1)的四个角；106、对硅片进行深硅刻蚀和湿法腐蚀得到电极安装框架(4)，并通过环氧树脂将所述电极安装框架(4)与所述定位及绝缘层(3)键合；107、利用在硅基材料金属溅射及电镀得到抽取极(5)和加速极(6)；108、通过储箱(7)上的凸台，将存储推进剂的储箱(7)与发射极
一种 mems 喷雾推力阵列结构实现方法

[发明专利]压力传感器-CN201910247973.8在审
发明人：夏前明;罗丽娟;夏雪梅;董海坤;刘功源 -专利权人：夏罗登工业科技（上海）有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种压力传感器，压力传感器包括：衬板、玻璃基座、芯片、硅基底、按压槽、硅弹性膜、电极、引脚和玻璃浆料；玻璃基座设置在衬板上；芯片嵌入玻璃基座的上壁内；硅基底设置在玻璃基座的上方；按压槽设置在硅基底的上壁面，且按压槽向硅基底的底部凹陷；硅弹性膜贴附在按压槽的内壁上；电极与芯片电连接，且电极嵌入玻璃基座的上壁面内；引脚与电极相连接，且引脚穿过玻璃基座和衬板；玻璃浆料嵌入玻璃基座内，且玻璃浆料包裹于电极和引脚的外侧
玻璃基座电极引脚按压槽衬板硅基压力传感器玻璃浆料嵌入硅弹性膜上壁面芯片芯片电连接穿过芯片水平引脚孔凹陷减小内壁上壁贴附加工

[发明专利]电石颗粒中硅铁分拣装置-CN201910189595.2在审
发明人：周文健;黄金豹;李鹏;孙建军;李欣平;刘伟峰;齐念先;权延辉;王莹;王瑞 -专利权人：北京沄汇智能科技有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：公开了电石颗粒中硅铁分拣装置，属于物质分离技术领域。其包括进料通道、接近开关、翻板、伸缩式驱动机构、电石出料槽、硅铁收集区、第一固定件、第二固定件和控制终端。通常情况下，翻板的底面与电石出料槽的底面处于同一平面内，并且，翻板的另一端的高度高于电石出料槽的卸料口的高度，电石通过电石出料槽卸料；当硅铁接近接近开关时，该分拣装置通过接近开关与伸缩式驱动机构的相互作用能够使得翻板露出翻板的卸料口，使硅铁落入至设置于翻板的卸料口下方的硅铁收集区，因此，应用该分拣装置可以使电石颗粒中的硅铁被自动分拣出来，因此，能够提高分拣效率并节约人力资源。
硅铁翻板电石分拣装置出料槽电石颗粒接近开关卸料口驱动机构固定件伸缩式收集区底面分拣效率进料通道控制终端人力资源物质分离自动分拣卸料节约应用

[发明专利]低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法-CN201711214351.2在审
发明人：韩勇 -专利权人：四川高铭科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，特别是指低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法，将纯度为4N～5.5N的硅片首先进行高温煅烧，然后进行清洗和表面织构化处理，使硅片表面形成金字塔结构绒面，并采用等离子体增强化学气相沉积镀膜厚为0.1‑10μm的本征硅膜，再经过晶体硅太阳能电池的常规工艺进行处理，制成低纯度单晶硅太阳能电池，克服了4N～5.5N的硅片采用普通晶体硅太阳能电池的制造方法制造的电池漏电流过大而无法使用的缺点，使得冶金法制得的
低纯度单晶硅太阳能电池晶体硅太阳能电池硅片制造等离子体增强化学气相沉积金字塔结构绒面表面织构化太阳能电池漏电本征硅膜常规工艺高温煅烧硅片表面镀膜可用清洗电池冶金

[发明专利]含多个硅烷基苯基的异氰酸酯化合物及其应用-CN201710946236.8在审
发明人：张汝志;万小欢 -专利权人：弗洛里光电材料（苏州）有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种含多个硅‑氢键的异氰酸酯化合物，其典型的结构如下式所示：本发明还公开了一种可固化的有机硅组合物，其包含所述的含多个硅‑氢键的异氰酸酯化合物。本发明的含多个硅‑氢键的异氰酸酯化合物在应用为硅氢加成反应的交联剂时，较之现有交联剂具有更高折光率、更高粘度、更高交联密度等优点，且包含本发明异氰酸酯化合物的有机硅组合物还具有固化效率高、固化后硬度较高及折光率较高
异氰酸酯化合物氢键有机硅组合物交联剂固化半导体光电器件硅氢加成反应表面保护电子器件高折光率高粘度硅烷基可固化折光率苯基交联粘接封装应用

[发明专利]一种负极材料、其制备方法及二次电池-CN201711294165.4在审
发明人：李强;闫传苗 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请的负极材料为表面设置有包覆层的硅基材料，包覆层包括第一包覆层和第二包覆层；第一包覆层设置于硅基材料表面，第一包覆层含有氟化锂；第二包覆层设置于第一包覆层的表面，第二包覆层含有导电聚合物。本申请的负极材料为表面设置有包覆层的硅基材料，第一包覆有助于硅负极形成稳定的SEI膜；第二包覆层在改善负极材料导电性的同时能有效抑制硅基材料的体积膨胀，两者协同作用可减少副反应的产生，改善硅基材料结构稳定性
包覆层负极材料硅基材料表面设置二次电池制备申请导电聚合物减少副反应结构稳定性导电性储能材料体积膨胀循环寿命有效抑制氟化锂硅负极包覆

[发明专利]一种光伏可携带设备供电设备-CN201711279085.1在审
发明人：吴雨桐 -专利权人：吴雨桐
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H02S10/40 文献下载
摘要：所述太阳能光电半导体设备四周和底面由充电器外壳包裹着，所述充电器外壳通过底面设置的固定连接管与储电装置连接，所述储电装置由机电控制箱、闪光灯、储电池和USB接口构成、且为电连接，所述太阳能光电半导体设备由上电极、N型硅、P型硅和下电极构成，所述N型硅和P型硅结合处为PN结，所述N型硅内带有正电子，所述P型硅内带有负电子。
半导体设备太阳能光电储电装置充电器外壳机电控制箱可携带设备供电设备储电池底面光伏正电子固定连接管节约资源自动断电电极充电量电连接负电子结合处闪光灯下电极手机太阳外出环保

[发明专利]一种硅基集成的偏振旋转调制装置-CN201711336903.7在审
发明人：龚攀;刘建宏 -专利权人：科大国盾量子技术股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：本发明公开了硅基集成的偏振旋转调制装置，包括光分束器、偏振旋转合束器，以及硅基移相器，光分束器通过硅基移相器连接到偏振旋转合束器。由所述光分束器处理后的信号光，被硅基移相器调制后进入偏振旋转合束器，该硅基集成偏振旋转调制器可获得任意线偏振光以及圆偏振光。再通过添加光定向耦合器，还可以获得任意椭圆偏振光。本发明的优点在于：该硅基集成偏振旋转调制器可获得任意线偏振光以及圆偏振光，再通过添加光定向耦合器，还可以获得任意椭圆偏振光。
偏振旋转硅基集成光分束器合束器移相器硅基光定向耦合器椭圆偏振光调制装置线偏振光圆偏振光调制器偏振调制体积小信号光调制兼容

[发明专利]一种硅基集成的偏振调制装置-CN201711337241.5在审
发明人：龚攀;刘建宏 -专利权人：科大国盾量子技术股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了硅基集成偏振调制装置，包括偏振分束器、偏振合束器以及硅基移相器，所述偏振分束器与偏振合束器之间通过硅基移相器连接。由所述偏振分束器处理后的信号光，被硅基移相器调制后进入偏振合束器，该硅基集成偏振调制器可获得任意线偏振光以及圆偏振光。再通过添加光定向耦合器，还可以获得任意椭圆偏振光。本发明的优点在于：该硅基集成偏振调制器可获得任意线偏振光以及圆偏振光，再通过添加光定向耦合器，还可以获得任意椭圆偏振光。且本发明整体体积小、成本低，与现有的CMOS工艺兼容，且偏振调制简单，速率高。
硅基集成偏振分束器偏振合束器移相器硅基光定向耦合器偏振调制装置偏振调制器椭圆偏振光线偏振光圆偏振光偏振调制体积小信号光调制兼容

[发明专利]一种高炉铁水硅含量在线快速检测装置-CN201910304147.2在审
发明人：程树森;梅亚光;张丽英;徐文轩;牛群 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G01N21/71 文献下载
摘要：本发明提供一种高炉铁水硅含量在线快速检测装置，属于冶金熔体成分检测领域。该装置包含脉冲激光器、光谱仪和光电探测器、时序控制器、同轴采集光路、铁水在线取样设备和计算机等主要组成部分，通过激光诱导击穿光谱技术对铁水硅含量进行在线快速检测，其特点为无需制样、分析速度快和分析频率高通过本发明可以大大缩减炼铁厂铁水硅含量的分析时间，增加铁水硅含量的检测频率，实现铁水硅含量的实时监控，从而有利于高炉工长及时对高炉操作参数做出调整，使高炉铁水硅含量降低并维持在较低水平。
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