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[发明专利]银纳米片组合物及方法-CN201810332967.8在审
发明人：史蒂芬·J·奥登伯格;马丁·G·米兰达;大卫·S·塞巴;托德·J·哈里斯 -专利权人：纳诺康波西克斯公司;塞安纳生物制药公司
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本申请涉及银纳米片组合物及方法。本发明的实施方式涉及用于制备纳米颗粒，如纳米片、银纳米片或银薄片状纳米颗粒的高光密度溶液的方法，且涉及通过该方法制备的溶液和基底。工艺可以包括在浓缩之前、期间和/或之后添加使纳米颗粒稳定的稳定剂(例如，结合到或以其他方式连接至纳米颗粒表面的化学剂或生物剂)，从而允许产生银纳米片的稳定的、高光学密度溶液。工艺还可以包括增加溶液内的银纳米片的浓度，且因此增加溶液光密度。
银纳米片纳米颗粒密度溶液制备化学剂纳米颗粒表面薄片状纳米片生物剂稳定剂高光基底浓缩申请

[发明专利]基于直立式二维薄膜材料的光电探测器及其制备方法-CN202110112005.3在审
发明人：陈志勇;陈明;杨春雷;童佩斐;李国啸 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：制备方法包括：在基底上制作形成第一电极层；在所述第一电极层上制作形成纳米片阵列，所述纳米片阵列由直立式二维半导体材料形成，所述纳米片与纳米片之间具有一定的间隙，在所述纳米片阵列上进行匀胶，以在所述纳米片阵列的间隙中形成绝缘胶层，且所述绝缘胶层设置于所述间隙暴露的第一电极层上；在所述纳米片阵列和所述绝缘胶层上制作形成第二电极层。制作形成直立式的纳米片阵列，3D直立式纳米片阵列具有较好的陷光效应，极大提高探测器的外量子效率及光响应度，在纳米片阵列的间隙中设置绝缘胶层，避免上下两电极层通过间隙直接发生导通，从而保证光电探测器的稳定性与可行性
基于立式二维薄膜材料光电探测器及其制备方法

[发明专利]具有纳米片晶体管的半导体器件及其制造方法-CN202210657554.3在审
发明人：池连赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种能够提高栅极可控性的半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，其包括第一掩埋源极/漏极层和第二掩埋源极/漏极层；第一纳米片堆叠，其包括在垂直于衬底的方向上堆叠的多个第一纳米片；第二纳米片堆叠，其包括在垂直于衬底的方向上堆叠的多个第二纳米片；隔离壁，其设置在第一纳米片堆叠与第二纳米片堆叠之间；第一栅极，其覆盖第一纳米片堆叠的部分并在垂直于衬底的方向上延伸；第二栅极，其覆盖第二纳米片堆叠的部分并在垂直于衬底的方向上延伸；第一公共源极/漏极层，其连接至第一纳米片的端部和第一掩埋源极/漏极层；以及第二公共源极/漏极层，其连接至第二纳米片的端部和第二掩埋源极/漏极层。
具有纳米晶体管半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种原位合成氮化硼纳米片-纳米管复合材料及其制备方法-CN202010596614.6有效
发明人：王恒;徐慢;季家友;朱丽;王树林;沈凡;戴武斌;陈常连 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位合成氮化硼纳米片‑纳米管复合材料及其制备方法。其制备为：在去离子中依次加入氮化硼纳米片、螯合剂和镍盐，搅拌、超声、过滤、真空干燥，得锚定催化剂的氮化硼纳米片，其中氮化硼纳米片、螯合剂和镍盐的物质的量之比为1：5～25：25～50；然后将锚定催化剂的氮化硼纳米片置于化学气相沉积系统中，以环硼氮烷为前驱体，以氩气为载流气体，在1000～1200℃热处理反应1～3h，得到原位合成的氮化硼纳米片‑纳米管复合材料。该方法可在氮化硼纳米片上原位生长氮化硼纳米管，所得复合材料结构稳定，界面结合较强，纳米管长径比较大，且制备简单，重复性好，可推动氮化硼纳米材料在先进复合材料领域的应用。
一种原位合成氮化纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]一种硼掺杂石墨烯纳米片复合TiO₂光催化剂的制备方法-CN201210536358.7无效
发明人：张金龙;邢明阳;杨小龙;潘月;綦殿禹;方文章;奚振浩;周易 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼掺杂石墨烯纳米片复合TiO2光催化剂的制备方法，先采用真空还原与超声相结合的方法制备硼掺杂石墨烯纳米片，再采用超声混合法将P25与硼掺杂石墨烯纳米片直接复合在一起。与现有技术相比，本发明制得的硼掺杂石墨烯纳米片具有更小的纳米尺寸与更好的分散性，其大量暴露的边缘，可以促进P25纳米颗粒在石墨烯纳米片边缘的负载。硼掺杂石墨烯纳米片具有更强的光生电子能力及电子传输能力。而制备的新型硼掺杂石墨烯纳米片复合P25光催化剂具有更强的光还原CO2的能力。
一种掺杂石墨纳米复合 tio sub 光催化剂制备方法

[发明专利]半导体器件-CN201810670238.3在审
发明人：李灿珩;罗勋奏;徐圣仁;宋珉宇;李炳训;李厚容;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在衬底中的有源区域；至少一个纳米片，其在衬底上并与有源区域的顶表面间隔开；在纳米片上方或下方的栅极；栅极绝缘层，其在所述至少一个纳米片与栅极之间；以及源极/漏极区域，其在所述至少一个纳米片的两侧处在有源区域上所述至少一个纳米片包括：沟道区域；栅极，其被设置在纳米片上方或下方并包括具有其表面和内部的不同组分的金属原子的单个金属层；在纳米片与栅极之间的栅极绝缘层；以及源极/漏极区域，其被设置在所述至少一个纳米片的两侧的有源区域中
纳米片源区域源极/漏极区域半导体器件栅极绝缘层衬底沟道区域金属原子顶表面金属层

[发明专利]一种三维结构钛酸铋纳米片/氯氧铋纳米片复合光催化剂及其制备方法-CN201710351457.0在审
发明人：钱坤;谢吉民;夏莉;魏巍;姜志锋;孙伟;吕霞 -专利权人：江苏大学
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： B01J27/135 文献下载
摘要：本发明属于光催化技术领域，涉及一种三维结构钛酸铋纳米片/氯氧铋纳米片复合光催化剂及其制备方法；本发明通过熔盐法制备钛酸铋纳米片，再通过水热法，以硝酸铋和氯化钠为原料在其表面垂直生长出氯氧铋纳米片，从而形成三维结构的钛酸铋纳米片/氯氧铋纳米片复合光催化剂；通过光催化降解染料实验证明，所制备的三维复合光催化剂具有很好的光催化活性，性能远远优于单一的钛酸铋纳米片和氯氧铋纳米片；本发明反应条件易控制、工艺和流程简便、能耗低，易于进行大规模生产
一种三维结构钛酸铋纳米氯氧铋复合光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种钯纳米片/石墨烯基纤维膜及其制备方法-CN202010937476.3在审
发明人：吴立刚;叶德林;张以河;马宇飞;李明;李正博 -专利权人：北京康烯科技创新研究有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种钯纳米片/石墨烯基纤维膜的制备方法，包括以下步骤：制备钯粉的预剥离分散液、制备钯粉与氧化石墨烯的混合物、制备钯纳米片/氧化石墨烯分散液、纺丝和后处理。本发明钯纳米片/石墨烯基纤维膜的制备方法通过在钯纳米片制备过程中加入氧化石墨烯，既能辅助钯粉剥离成钯纳米片，也有助于钯纳米片与氧化石墨烯混匀。纺丝过程中进一步将钯纳米片、石墨烯以及炭黑负载到纤维上，具有比表面积大、红外辐射强、热传导率高、柔性好、耐弯折效果显著等优点。本发明还提供了一种钯纳米片/石墨烯基纤维膜。
一种纳米石墨纤维及其制备方法

[发明专利]一种一体化的Zn纳米片电极材料及其制备方法与应用-CN202210605961.X在审
发明人：李维俊;高凤梅;李侃;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院;江苏尚今光电科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种一体化的Zn纳米片电极材料及其制备方法与应用，属于超级电容器技术领域。本发明公开了一种一体化的Zn纳米片电极材料，所述Zn纳米片电极材料由Zn箔基底以及沉积在Zn箔基底上的Zn纳米片组成，通过在1‑5M ZnCl2中沉积Zn纳米片本发明也公开了一种一体化的Zn纳米片电极材料制备方法，所述的制备方法包括：将清洗后的Zn箔作为负极，在电解液1中组成对称式两电极系统，在80‑120mV/s的扫速下，循环N次后在Zn箔表面覆盖Zn纳米片制得Zn纳米片电极材料。
一种一体化 zn 纳米电极材料及其制备方法应用

[发明专利]二维钛纳米片及其制备方法和应用-CN201810090774.6有效
发明人：张晗;谢中建;陈世优 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维钛纳米片，所述二维钛纳米片的厚度为1‑50nm。本发明提供的二维钛纳米片具有环境友好、生物相容性高、全光谱的强吸收和高的光热转换效率等优点，具有优良的光热性能。本发明还提供了一种二维钛纳米片的制备方法，包括以下步骤：提供钛原料，采用液相剥离的方法对所述钛原料进行剥离，得到二维钛纳米片，所述二维钛纳米片的厚度为3‑5nm。本发明首次采用液相剥离的方法由非层状的钛原料制得二维钛纳米片，制备方法简单易操作。所述二维钛纳米片还可以作为光热治疗制剂。
二维纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种银纳米棒/聚合物/银纳米片核壳纳米材料及其制备方法和应用-CN201710347677.6有效
发明人：姜涛 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米棒/聚合物/银纳米片核壳纳米材料及其制备方法和应用，特点是该核壳纳米材料由银纳米棒内核、聚合物包覆层和银纳米片外层三部分组成，其中聚合物包覆层为厚度10纳米的聚苯乙烯聚丙烯酸嵌段共聚物层；银纳米棒内核的长度为400纳米‑1.3微米，相应的银纳米片外层为边长120‑320纳米的不规则片状；或者银纳米棒内核的长度为175‑310纳米，相应的银纳米片外层为底边长510‑780纳米的门栓状且其半包裹银纳米棒内核，本发明采用种子诱导法制备的银纳米棒/聚合物/银纳米片核壳纳米材料，优点是产生具有极高强度的SERS信号输出，其制备工艺简单，周期短，产量高，易于推广及大规模生产。
一种纳米聚合物片核壳材料及其制备方法应用

[发明专利]一种Bi₂WO₆/Ag异质纳米结构材料、制备方法及其应用-CN201610843007.9有效
发明人：吴正翠;张亚丽;高峰 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： B01J35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种Bi₂WO₆/Ag异质纳米结构材料、制备方法及其应用。与现有技术相比，本发明通过简单的低温化学液相沉积法，在Bi₂WO₆纳米片表面沉积Ag纳米片，获得Bi₂WO₆纳米片/Ag纳米片异质纳米结构。制备得到的Bi₂WO₆纳米片/Ag纳米片材料用于光电转换，具有光电转换效率高；用于有机染料罗丹明B可见光催化降解，具有活性高、稳定性好。
一种 bi2wo6 ag 纳米结构材料制备方法及其应用

[发明专利]一种氮化碳纳米片-金纳米颗粒复合材料及其制备方法和应用-CN202111336774.8在审
发明人：彭新文;钟林新;杨韵怡;陈亮;邹刃 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化碳纳米片‑金纳米颗粒复合材料及其制备方法和应用。本发明的氮化碳纳米片‑金纳米颗粒复合材料的组成包括载体氮化碳纳米片和负载的金纳米颗粒，其制备方法包括以下步骤：1)将氯化铵和双氰胺分散在水中，再进行干燥和煅烧，得到煅烧产物；2)将煅烧产物分散在水中进行超声破碎，再加入氯金酸，光照下进行反应，即得氮化碳纳米片‑金纳米颗粒复合材料。本发明的氮化碳纳米片‑金纳米颗粒复合材料由超薄的氮化碳纳米片和负载的金纳米颗粒组成，其制备方法简单、高效，将其用作催化氧化木糖合成木糖酸的光催化剂具有催化活性高、热稳定性好、可循环使用等优点，适合用来大规模生产木糖酸
一种氮化纳米颗粒复合材料及其制备方法应用

[发明专利]具有光催化特性的ZnO纳米片/纳米线复合结构及制法-CN201110039092.0无效
发明人：徐峰;孙立涛;董方洲;孙俊;毕恒昌;尹奎波;万能;雷双瑛;胡小会 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：具有光催化特性的ZnO纳米片/纳米线复合结构及制法，包括导电载体、ZnO纳米片和ZnO纳米线。该方法是基于水溶液体系的两步合成法，首先以硝酸锌和氯化钾水溶液为电解液，采用标准三电极体系直接在导电玻璃上电沉积ZnO纳米片阵列；其次以硝酸锌和六亚甲基四胺水溶液为生长液，通过水溶液化学生长法在ZnO纳米片表面二次生长ZnO纳米线，以获得ZnO纳米片/纳米线复合结构薄膜。与传统的单一纳米结构ZnO薄膜相比，本发明的ZnO纳米片/纳米线复合结构薄膜拥有更大的比表面积和更多的表面氧缺陷，对甲基橙表现出更高的光催化降解效率，在环境治理领域具有很好的应用前景。
具有光催化特性 zno 纳米复合结构制法

[发明专利]一种Pd纳米粒子修饰多孔ZnO纳米片气敏材料及气敏元件的制备方法-CN201210502349.6无效
发明人：李峰;肖元化;巩飞龙;卢灵珍;张爱勤;韩莉锋;曹永博;赵继红 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Pd纳米粒子修饰多孔ZnO纳米片气敏材料的制备方法，将多孔单晶ZnO纳米片和Pd纳米粒子混合研磨，Pd纳米粒子的质量占多孔单晶ZnO纳米片和Pd纳米粒子总质量的0.3~0.8%，然后在550-650℃的条件下煅烧1-2h，得到Pd纳米粒子修饰多孔ZnO纳米片的气敏材料。操作温度低，经过Pd纳米粒子修饰后的ZnO纳米片复合材料，最佳温度为340℃，较单一ZnO纳米片420℃有大幅降低。选择性好，相对丙酮，该气敏元件对一些常见的有机溶剂如乙醇、甲醇、苯和甲苯等并不敏感。
一种 pd 纳米粒子修饰多孔 zno 片气敏材料元件制备方法

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