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[发明专利]一种铝包碳化硅复合颗粒及由其制备的复合材料-CN201210103182.6有效
发明人：历长云;米国发;许磊;胡玉昆;王狂飞 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝包碳化硅复合颗粒及由其制备的复合材料，其中该铝包碳化硅复合颗粒选用粒径为50-100nm的铝粉或铝合金粉末为包覆材料，选择粒径为20-50μm的碳化硅颗粒为包覆核心，纳米级铝粉或铝合金粉末通过粘结剂而包覆到碳化硅颗粒表面上本发明的铝包碳化硅颗粒包覆形态均匀、完整。本发明还涉及使用该铝包碳化硅复合颗粒制备的铝基复合材料，制得的铝基复合材料组织致密，无碳化硅颗粒团聚现象，力学性能优异。
一种碳化硅复合颗粒制备复合材料

[发明专利]一种Beta沸石分子筛的合成方法-CN201110294304.X有效
发明人：郭洪臣;万玉凤;郑步梅;佟佳 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2011-10-06 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明属于硅铝酸盐沸石分子筛合成领域，涉及一种Beta沸石分子筛的合成方法。其特征是首先对Beta沸石晶种进行高温水热处理，然后在搅拌下将水热处理过的Beta沸石晶种在酸溶液中浸渍处理，酸处理后的晶种用水洗至中性；最后，将硅源、铝源、钠源、四乙基铵阳离子源和水配制成均匀凝胶，然后加入预处理过的Beta沸石晶种，得到的均匀凝胶在不锈钢反应釜中进行晶化。本发明的有益效果是该合成过程中Beta沸石经高温水热处理和酸溶液两步处理后作为晶种，能够更好地发挥其结构导向作用，可在低模板剂用量下、较宽硅铝比范围内合成结晶度良好的Beta沸石产物，从而使晶种不仅仅局限于纳米级颗粒度，大大拓宽了适用的晶种范围。
一种 beta 分子筛合成方法

[发明专利]多重腐蚀防护功能的高非晶铝基金属玻璃涂层及制备方法-CN201410361655.1有效
发明人：朱胜;王晓明;杨柏俊;刘玉项;姚巨坤;王启伟;韩国峰 -专利权人：中国人民解放军装甲兵工程学院
申请日： 2014-07-27 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C23C4/08 文献下载
摘要：多重腐蚀防护功能的高非晶铝基金属玻璃涂层及制备方法，涉及活性燃烧高速燃气喷涂层领域。所述非晶合金粉末有下述元素和不可避免的杂质组成：3～10％Ni，0.2～5％Co，1.5～8％Y，0.5～8％La，其余为Al。粉末粒径范围是5～40μm。本发明制备出高非晶含量的铝基金属玻璃涂层，制备方案解决了非晶铝合金粉末的晶化，相变及热输入导致的涂层非晶含量低及涂层耐腐蚀能力差的问题。所得铝基金属玻璃涂层，与基体结合紧密，孔隙率低，非晶程度高，非晶相含量达到30～75％，涂层具有良好的稳定性和力学性能，同时兼备优良的耐盐溶液(NaCl)、盐酸(HCl)及硝酸(HNO₃
多重腐蚀防护功能高非晶铝基金玻璃涂层制备方法

[发明专利]一种硼酸铝晶须的制备方法-CN200410012603.X无效
发明人：张东明;傅正义;郭景坤;俞仕杰;李佑俊 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2004-01-02 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼酸铝晶须的制备方法。一种硼酸铝晶须的制备方法，利用固相反应方法制备硼酸铝晶须，其特征是：利用[NH₄Al(SO₄)₂·12H₂O]和NH₄HCO₃，为原料制备Al₂O₃前驱体，将这种前驱体包覆在纳米TiB₂表面，形成复合粒子；在加热过程中₃颗粒细小，呈无定形态，活性很强，并被吸附在絮状Al₂O₃前驱体内；随着加热温度的升高，在1000℃～1200℃复合粒子逐渐生长为硼酸铝晶须本发明在1000℃～1200℃的低温度下，通过固相反应获得硼酸铝晶须。
一种硼酸铝晶须制备方法

[发明专利]架空输电导线用高导电率铝杆的制备工艺-CN201510240945.5有效
发明人：吴小宽;马军;宋爱成 -专利权人：江苏亨通电力特种导线有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明公开一种架空输电导线用高导电率铝杆的制备工艺，包括以下步骤将Al99.70和Al99.85重熔铝锭组合使用，投入熔铝炉熔炼；将获得的熔炼后铝液转注到保温炉，搅拌均匀后取样用直读光谱仪进行快速分析，检测溶液中Al、Si、Fe和Mn、Cr、Ti、V的含量；在熔炼后铝液中加入铝硼中间合金、铝铈稀土中间合金，控制保温炉铝液温度在740±10℃时，人工搅拌并电磁搅拌20分钟，获得合金铝液，此合金铝液中Al本发明减少针状晶，增加球状晶，有效控制高纯铝枝晶组织的粗化，改善高纯铝的机械性能，提高铝导体的抗拉强度和伸长率。
架空输电导线导电率铝杆制备工艺

[发明专利]一种高耐蚀高铝系锌铝镁硅镀层钢板及其制造方法-CN202310776001.4在审
发明人：杨洪刚;吕家舜;徐闻慧;金勇;王永明;徐承明;从劲松 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C2/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高耐蚀高铝系锌铝镁硅镀层钢板及其制造方法，镀层中，铝锌枝晶间隙的多元相中，按铝锌枝晶间隙所占总面积计算：MgZn2金属间化合物占比为10％～20％、Mg2Si金属间化合物占比为2％～5％、Zn‑Al‑Mg三元共晶组织占比大于60％。本发明旨在提高高铝系锌铝镁硅镀层钢板的表面和切边耐蚀性能。通过成分优化和工艺参数设定，形成合理的镀层组织及形态，使镀层耐蚀性能进一步提高。
一种高耐蚀高铝系锌铝镁硅镀层钢板及其制造方法

[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装件的UBM结构-CN201210193484.7有效
发明人：于宗源;陈宪伟;陈英儒;梁世纬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种晶圆级芯片尺寸半导体器件，包括：半导体管芯、第一凸块底部金属结构和第二凸块底部金属结构。在半导体管芯的角部区域或边部区域上形成具有第一包围件的第一凸块底部金属结构。在半导体管芯的内部区域上形成具有第二包围件的第二凸块底部金属结构。第一包围件大于第二包围件。本发明还提供了一种晶圆级芯片尺寸封装件的UBM结构。
晶圆级芯片尺寸封装 ubm 结构

[发明专利]一种应用在线缆中的导电性能强的铜包铝芯材-CN201711401398.X有效
发明人：汪兆根 -专利权人：铜陵市远维线缆有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01B5/02 文献下载
摘要：本发明涉及线缆生产技术领域，公开了一种应用在线缆中的导电性能强的铜包铝芯材，在高纯铝熔化的铝液中添加不同含量的合金元素，在铜包覆下，加工态铝合金导体的电导率、抗拉强度和断面延伸率得到了明显的提高，抗拉强度达到了150MPa，屈服强度达到85MPa，电导率提高了24‑28%，铝合金导体进行中间退火过程中发生了回复和再结晶过程，细小的等轴晶逐步取代了不均匀的晶粒，组织趋于稳定，能够增强其抗拉强度、抗弯曲性能、耐腐蚀性和抗蠕变性，也能提高其导电率，铜包铝芯材制作而成的线缆能够很好的解决纯铝线在使用中遇到的各种严重问题，提高了导线使用的寿命，也提高了导线在使用中的安全性能。
一种应用线缆中的导电性能铜包铝芯材

[发明专利]一种适用于铝铜合金的双级均匀化热处理方法-CN201911114495.X在审
发明人：侯陇刚;张宏庆;李霞;李慎升;张济山;庄林忠 -专利权人：北京科技大学;烟台市台海集团有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： C22F1/057 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于铝铜合金的双级均匀化热处理方法，属于铝合金热处理技术领域。处理步骤如下：将铝铜合金坯料在470‑490℃加热炉(如空气炉)中保温8‑60h进行第一级均匀化处理，然后以1‑5℃/min的升温速度加热到495‑513℃保温10‑40h进行第二级均匀化处理，完成均匀化后坯料可进行水冷本发明提供的双级均匀化热处理方法能有效消除铝铜合金坯料中的元素偏析并充分溶解网状共晶组织，其均匀化效果明显优于单级均匀化热处理工艺。
一种适用于铜合金均匀热处理方法

[发明专利]小晶粒AlPO₄-34磷酸铝分子筛的合成方法-CN201611144530.9有效
发明人：戴卫理;杨柳;曹戈;李兰冬;武光军;关乃佳 -专利权人：南开大学
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C01B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种小晶粒磷酸铝分子筛AlPO4‑34的合成方法。使用拟薄水铝石或异丙醇铝作为铝源，磷酸作为磷源，四乙基氢氧化铵和吗啡啉作为模板剂，氢氟酸作为氟源。在运用常规原料与混合模板剂的基础上，通过预晶化，加入晶种的方法，合成出结晶度高，晶型规整的小晶粒AlPO4‑34磷酸铝分子筛。晶粒尺寸小平均粒径小于1.5μm，优化条件后仅为0.05‑1μm。本发明结晶度高，形貌规整，粒径分布均匀。
晶粒 alpo4 34 磷酸分子筛合成方法

[发明专利]一种超低铝纳米晶母合金及其制备方法-CN202211737863.8在审
发明人：李宗臻;周少雄;张广强;张迁 -专利权人：创明（韶关）绿色能源材料技术研究院有限公司;常州创明磁性材料科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C22C33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低铝纳米晶母合金及其制备方法，针对高磷、高铌纳米晶成分，基于各组分占比及杂质含量，充分利用各组分熔点及加入后吸放热的情况，优化加料顺序，联用高温和低温造渣剂，分步去除各组分中铝夹杂，同时采用高温熔体均质化处理，所得FeSiBPNbMoCu系纳米晶母合金一次冶炼后铝含量控制在0.002wt％以下，可直接上线喷带，制带顺行度高，带材性能稳定性高，克服了常规纳米晶制带需要一次冶炼、二次重熔之后再上线喷带的问题，提升了效率
一种超低铝纳米合金及其制备方法

[发明专利]晶圆级3D封装结构及其制备方法-CN201911405208.0在审
发明人：吴政达;陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级3D封装结构及其制备方法，其中，晶圆级3D封装结构包括重新布线层、第一电连接结构、第一塑封层、第一层间金属层、第二电连接结构、第二塑封层、第二层间金属层、芯片、焊球凸块及第三塑封层。本发明可实现芯片的晶圆级3D封装，且在晶圆级3D封装结构中，用于塑封的第二塑封层将第一塑封层塑封在第二塑封层的内部，且第三塑封层将第二塑封层塑封在第三塑封层的内部，从而形成依次包覆的塑封层，可使晶圆级3D
晶圆级封装结构及其制备方法

[实用新型]晶圆级3D封装结构-CN201922486627.3有效
发明人：吴政达;陈彦亨;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆级3D封装结构，其中，晶圆级3D封装结构包括重新布线层、第一电连接结构、第一塑封层、第一层间金属层、第二电连接结构、第二塑封层、第二层间金属层、芯片、焊球凸块及第三塑封层。本实用新型可实现芯片的晶圆级3D封装，且在晶圆级3D封装结构中，用于塑封的第二塑封层将第一塑封层塑封在第二塑封层的内部，且第三塑封层将第二塑封层塑封在第三塑封层的内部，从而形成依次包覆的塑封层，可使晶圆级
晶圆级封装结构

[实用新型]一种高阻燃防火同轴电缆-CN201720343041.X有效
发明人：马建强 -专利权人：杭州德福线缆有限公司
申请日： 2017-04-02 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01B11/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高阻燃防火同轴电缆，包括电线芯，所述的电线芯外依次包覆有阻燃聚烯烃绝缘层、铝塑复合带、金属屏蔽层、阻燃防火石英纤维布、阻燃防火玻璃带、阻燃防火高硅氧纤维、阻燃聚酯薄膜与ZA级阻燃聚氯乙烯护套
一种阻燃防火同轴电缆

[发明专利]一种微纳米内晶复相颗粒体及其热爆反应合成法-CN201210506037.2有效
发明人：朱和国;王皓杰;王克鸿 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳米内晶复相颗粒及其热爆反应合成法。所述复相颗粒中以微米级α-Al₂O₃和纳米级TiB₂为复合相，α-Al₂O₃以纳米级TiB的摩尔比为（10-17）:1:1；将球磨后的粉体挤压成坯样，将试样置入真空炉后，抽真空；控制升温速率在15-20K/min，加热至试样发生热爆反应时；反应结束后保温30～60min后停炉得内晶复相颗粒块体；用碱水溶解剩铝，洗涤后过滤获得湿粉体，干燥即得内晶复相颗粒粉体。形成内晶复相颗粒的微纳米颗粒均是通过热爆反应产生，表面干净无污染；在反应放热的作用下内晶化生长形成微纳米内晶复相颗粒，微纳米颗粒的界面干净，结合强度高，并显著提高内晶复相颗粒的韧性。
一种纳米内晶复相颗粒及其反应成法