“等离子体辐射”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5221419个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法-CN202211430190.1在审
发明人：聂秋月;陈培奇;钱亮;张仲麟;王敏;华洋阳;孟卓涛;艾昕;魏国强;闫昌时 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明的一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法，涉及等离子体增强方法。目的是为了克服现有等离子体增强技术物理模型较为简单，缺少利用非均匀等离子体实现最佳增强的一般性讨论，方法基于等离子体增强型电小天线实现，等离子体增强型电小天线包括球壳形的等离子体罩和位于等离子体罩内的电小天线；并且，等离子体罩内的等离子体沿等离子体罩的半径非均匀分布；辐射增强方法如下：调节等离子体密度和等离子体罩的尺寸符合以下条件，从而使非均匀等离子体对电小天线的辐射进行增强。
一种基于均匀等离子体辐射增强方法

[发明专利]具有轴向磁场的辐射源-CN200780049879.7无效
发明人： V·V·伊凡诺夫;V·Y·班尼恩;K·N·柯什烈夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体辐射源、形成等离子体辐射的方法、用于将图案从图案形成装置投影到衬底上的设备和器件制造方法。将图案化的辐射束投射到衬底上。反射光学元件被用来帮助将从等离子体源的等离子体区域发射的辐射形成为辐射束。在等离子体源内，在等离子体区域内产生等离子体电流。为了减小对反射光学元件的损坏，在等离子体区域内提供具有至少一个沿等离子体电流的方向取向的分量的磁场。该轴向磁场有助于限制等离子体的Z箍缩区域的破坏。通过限制这种破坏，发射的快速离子的数量可以被减少。
具有轴向磁场辐射源

[发明专利]等离子体处理装置和控制方法-CN201810331134.X有效
发明人：池田太郎;长田勇辉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的等离子体处理装置和控制方法的目的在于，监视等离子体生成空间中的多个区域各自的等离子体点火的状态。提供一种等离子体处理装置，具有将从微波输出部输出的微波向处理容器的内部辐射的微波辐射机构，其中，所述微波辐射机构具有：天线，其用于辐射微波；电介质构件，其使从所述天线辐射的微波透过，且形成用于通过该微波来生成表面波等离子体的电场；传感器，其设置于所述微波辐射机构或者该微波辐射机构的附近，且监视生成的等离子体的电子温度；以及控制部，其基于由所述传感器监视到的等离子体的电子温度，来判定等离子体点火的状态。
等离子体处理装置控制方法

[发明专利]等离子体掺杂方法及用于其的设备-CN200680010314.3无效
发明人：佐佐木雄一朗;冈下胜己;伊藤裕之;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种等离子体掺杂方法和装置，形成于样品表面上的非晶层具有出色的面内均匀性。一种等离子体掺杂方法，其在真空腔内产生等离子体，并使该等离子体内的杂质碰撞样品表面以将样品表面改性为非晶态，其中等离子体辐射时间被调整以改善面内均匀性。如果等离子体辐射时间太短，则等离子体内的变化转移到硅基板上非晶层的深度，从而使面内均匀性恶化。如果等离子体辐射时间太长，使用等离子体溅射硅基板表面的效应占优势，从而使面内均匀性恶化。优选地发现介于其间的合适的等离子体辐射时间以提供良好的面内均匀性并在该时间内执行等离子体掺杂。
等离子体掺杂方法用于设备

[发明专利]有机发光装置-CN202010171904.6在审
发明人： N·J·汤普森;M·S·韦弗;M·富塞拉 -专利权人：环球展览公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供包括一或多个等离子体OLED和零个或更多个非等离子体OLED的装置结构。每一等离子体OLED包括增强层，所述增强层包括等离子体材料，所述等离子体材料展现与有机发射材料非辐射耦合并且将来自发射材料的激发态能量转移到所述等离子体OLED中的表面等离子体偏振子的非辐射模式的表面等离子体共振
有机发光装置

[发明专利]用于基于UV抑制等离子体不稳定性的系统和方法-CN202011189122.1在审
发明人：尚卡·斯瓦米纳森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于基于UV抑制等离子体不稳定性的系统和方法。将衬底定位成暴露于等离子体处理室内的等离子体产生区域。在所述等离子体产生区域内产生第一等离子体。所述第一等离子体被配置为致使膜沉积在所述衬底上直到沉积在所述衬底上的所述膜达到阈值膜厚度。然后所述衬底暴露于紫外辐射以消除沉积在所述衬底上的所述膜内的缺陷。可以使用构造成产生紫外线辐射的第二等离子体或者使用设置成暴露于等离子体产生区域中的紫外辐射设备来原位提供紫外线辐射。也可以通过将衬底移动到与等离子体处理室分离的紫外辐射设备来非原位地提供紫外辐射。可以以重复的方式将衬底暴露于紫外辐射，以便在膜厚度增加时消除沉积的膜内的缺陷。
用于基于 uv 抑制等离子体不稳定性系统方法

[发明专利]用于基于UV抑制等离子体不稳定性的系统和方法-CN201710811367.5有效
发明人：尚卡·斯瓦米纳森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及用于基于UV抑制等离子体不稳定性的系统和方法。将衬底定位成暴露于等离子体处理室内的等离子体产生区域。在所述等离子体产生区域内产生第一等离子体。所述第一等离子体被配置为致使膜沉积在所述衬底上直到沉积在所述衬底上的所述膜达到阈值膜厚度。然后所述衬底暴露于紫外辐射以消除沉积在所述衬底上的所述膜内的缺陷。可以使用构造成产生紫外线辐射的第二等离子体或者使用设置成暴露于等离子体产生区域中的紫外辐射设备来原位提供紫外线辐射。也可以通过将衬底移动到与等离子体处理室分离的紫外辐射设备来非原位地提供紫外辐射。可以以重复的方式将衬底暴露于紫外辐射，以便在膜厚度增加时消除沉积的膜内的缺陷。
用于基于 uv 抑制等离子体不稳定性系统方法

[发明专利]等离子体显示装置-CN200710159771.5无效
发明人：金赫 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G09F9/313 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括等离子体显示面板、支架基体和设置在等离子体显示面板和支架基体之间的热辐射介质的等离子体显示装置。热辐射介质将等离子体显示面板产生的热传递到支架基体。热辐射介质被构造为容易将支架基体附于等离子体显示面板，并且便于将支架基体与等离子体显示面板分离。热辐射介质还包括第一粘合剂层、第二粘合剂层和设置在第一粘合剂层和第二粘合剂层之间的热辐射层。热辐射介质可以包括导热填充物。
等离子体显示装置

[发明专利]具有热辐射板的等离子体显示装置-CN200410088096.8无效
发明人：金基正;姜太京 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-09-24 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： G09F9/313 文献下载
摘要：一种等离子体显示装置包括热辐射板，该热辐射板容易粘附到等离子体显示平板上并容易从等离子体显示平板上分离，具有与等离子体显示平板和底板的加强的粘附性，并且不会产生残留图像。该等离子体显示装置包括在等离子体显示平板和底板之间的热辐射板，并且热辐射板分为两块或多块板，其中在各板之间的间隙足够小，使得不出现可见的残留图像。
具有热辐射等离子体显示装置

[发明专利]一种具有全向扫描功能的阵列等离子体天线-CN201010228468.8有效
发明人：胡斌杰;李学识;周双 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01Q1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种由多个等离子体天线单元同时工作构成的等离子体天线阵列，其辐射方向图的指向可以在等离子体天线单元分布的平面上全向扫描。各个等离子体天线单元上的信号馈电环将相同相位和幅度的通信信号馈入到等离子体天线上。对需要产生较强辐射的方向上的等离子体天线单元，施加较高的激励功率以产生较高密度和较高电导率的等离子体。具有较高电导率的这个等离子体天线单元的辐射信号相比其他天线单元强，这样等离子体天线阵列就能在需要的方向上产生较强的辐射，从而使天线阵列的方向图全向扫描。特点在于，多个等离子体天线排列成阵列同时工作，天线阵列不仅具有高的增益和方向性，而且具有更好的方向图可重构性。
一种具有全向扫描功能阵列等离子体天线

[发明专利]一种出射相干光的VCSEL阵列芯片-CN202110546169.7有效
发明人：李冲;张琛辉;李占杰;杨帅;李巍泽 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种出射相干光的VCSEL阵列芯片，属于激光器技术领域，包括VCSEL激光芯片，VCSEL激光芯片包括衬底层、第一反射镜以及激光发射单元阵列；与VCSEL激光芯片间隔设置的等离子体辐射层，且在等离子体辐射层一面上刻画有与激光发射单元阵列相对应的等离子体辐射栅，另一面设有反射层；第一激光发射单元垂直向等离子辐射层发射激光，使得等离子体辐射栅的自由电子发生集体振荡，激发出表面等离激元，表面等离激元在等离子体辐射栅和等离子体辐射层之间振荡传播，表面等离激元在反射层的作用下，以倏逝波形式垂直于等离子体辐射层表面方向传播，并激发第二激光发射单元发光，发出相干光。
一种相干光 vcsel 阵列芯片

[发明专利]一种提高天线定向辐射能力的方法-CN202211424966.9在审
发明人：王韧;唐涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01Q19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高天线定向辐射能力的方法，通过在天线前端放置环形等离子体来实现天线的前向辐射性能的增加，环形等离子体的圆心与天线中心位于同一轴线上。所述环形等离子体为1个或者为平行放置的半径依次增加的多个；当采用多个环形等离子体时，朝天线辐射方向的圆环半径逐渐增加。使用圆环状等离子体放置于天线辐射方向需要增强的一侧，来实现天线的前向辐射性能的增加，实现天线的高定向性，无需对天线本身进行改进，结构简单；可以使用单个环形等离子体；也可以使用多个环形等离子体，朝天线辐射方向的圆环半径逐渐增加，能够汇聚辐射范围大的场，进一步提高方向性。
一种提高天线定向辐射能力方法

[发明专利]一种同步辐射高次谐波驱动的等离子体极紫外光源-CN202310663728.1在审
发明人：吴衍青;卢启鹏;龙家丽;芶富均;胡智民 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种同步辐射高次谐波驱动的等离子体极紫外光源，包括来自于靶材发生器的靶材、以及对准靶材的同步辐射产生装置，同步辐射产生装置设置为将带有高次谐波的同步辐射主脉冲引入并照射到等离子体上，所述等离子体极紫外光源还包括产生并向靶材发射电离靶材的波束以得到等离子体的等离子体产生装置，波束为高功率激光或高能量的同步辐射预脉冲。本发明的等离子体极紫外光源将带有高次谐波的同步辐射作为驱动光源与等离子体作用，高效激发产生一定波长的高功率极紫外光，从而有效利用现有同步辐射光源杂余波，实现极紫外光的高功率输出。
一种同步辐射谐波驱动等离子体紫外光源

[发明专利]辐射系统和光刻设备-CN200780046330.2无效
发明人： M·M·J·W·范赫彭;V·Y·班尼恩;V·V·伊凡诺夫;K·N·科什烈夫;D·J·W·科伦德尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于产生电磁辐射的辐射系统。所述辐射系统包括构造并配置成产生第一物质的等离子体和等离子体内的箍缩(10)的一对电极(5)。辐射系统还包括配置接近所述箍缩并构造成中和多个等离子体颗粒的等离子体复合表面(13)。
辐射系统光刻设备

[发明专利]一种基于托卡马克中多组分等离子体辐射效应的粒子演化模拟方法-CN202211133612.9在审
发明人：王正汹;姜帅;刘桐;汤炜康;魏来 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于托卡马克中多组分等离子体辐射效应的粒子演化模拟方法，属于磁约束受控核聚变技术领域。首先计算杂质密度分布、电子密度分布以及离子密度分布的演化，然后计算连续性辐射和线辐射，进而将多种等离子体辐射精准地加在磁岛内部。再计算在等离子体辐射修正下的磁场位形，并继续计算先进磁场位形下等离子体总辐射及相关参数的演化，如此反复计算，达到长时间演化的模拟效果。本发明既实现了杂质、电子以及离子实时动态分布的计算，又可以计算多种等离子体辐射在真实三维磁场位形下演化，进而得到任意时刻的等离子体相关参数剖面；同时更加准确地描述先进磁场位形下等离子体辐射的空间分布情况和磁流体不稳定性的情况
一种基于马克组分等离子体辐射效应粒子演化模拟方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条