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[发明专利]微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置-CN200910046033.9有效
发明人：张磊;施立群 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：具体涉及一种微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置，包括磁控溅射区和ECR等离子体轰击区以及基板，ECR等离子体放电室，柱状室和环状圆盘，所述的溅射区和等离子体轰击区位于真空室夹角的两端，环状圆盘焊接在柱状室上本发明将高活性的微波等离子体与磁控溅射技术结合起来，能克服双离子束溅射辅助沉积时溅射沉积速率低、辅助轰击效果也相对较低的缺点，可对沉积和等离子体辐照分别控制，制备高质量的薄膜。
微波 ecr 等离子体辅助磁控溅射沉积装置

[发明专利]高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法-CN201010213894.4有效
发明人：田修波;吴忠振;巩春志;杨士勤 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决采用通过在工件上施加负高压脉冲的方法存在大颗粒；薄膜沉积效率低的问题。本发明方法包括：一、将工件置于真空室内的样品台上，工件接高压脉冲电源，磁控溅射靶源接磁控溅射电源，二、注入与沉积：待真空室内的真空度小于10-2Pa时，通入工作气体至0.01～10Pa，开启高压脉冲电源，并调节高压脉冲电源输出脉冲的电压值为0.5～100kV，脉冲频率为0～1000Hz，脉宽为0～500μs，开启磁控溅射电源，先通过直流起辉预离化，调节所需工艺参数，控制两个电源电压相位差为-1000～1000μs，进行离子注入与沉积。
功率复合脉冲磁控溅射离子注入沉积方法

[实用新型]CIGS制备用强化隔离膜及制备装置-CN201920686231.0有效
发明人：王鲁南;窦立峰 -专利权人：南京汇金锦元光电材料有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种CIGS制备用强化隔离膜制备装置，以柔性有机材料为基材，经该制备装置一次性制成的成膜，具有较好的服帖性能；它包括在一个真空镀膜腔内的多个磁控溅射装置，各磁控溅射装置包括以氩气作为工作气体、以氧气为反应气体的沉积阴极室、位于沉积阴极室内的阴极靶材；磁控溅射装置分为用于对柔性有机基材下表面磁控溅射镀膜的下镀膜磁控溅射装置和用于对柔性有机基材上表面磁控溅射镀膜的上镀膜磁控溅射装置；在真空镀膜腔内还设置有用于对连续移动的柔性有机基材进行冷却的冷鼓
cigs 制备强化隔离装置

[发明专利]一种带HfB2-CN202010762354.5有效
发明人：王成勇;林海生 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种带HfB2涂层的刀具，其包括：基体和采用直流磁控溅射或高功率磁控溅射沉积在所述基体上的HfB2涂层；或者，采用直流磁控溅射或高功率磁控溅射在所述基体上的交替沉积HfB2涂层和MeN涂层，Me代表合金元素。本发明在刀具的基体上采用直流磁控或高功率磁控溅射工艺沉积单层HfB2涂层或者是包含HfB2涂层的多层涂层，带HfB
一种 hfb base sub

[实用新型]一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统-CN201922082352.7有效
发明人：张晓军;陈志强;朱新华;胡凯;姜鹭;方安安 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本实用新型适用于材料制造技术领域，提供了一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统，包括：腔体，其顶部设置有基片台；脉冲激光沉积系统，其包括设置于腔体底部的靶材切换装置以及设置于所述靶材切换装置上的PLD靶材挡板，所述PLD靶材挡板设置有一开孔，所述靶材切换装置可将其上靶材切换至所述开孔位置；磁控溅射系统，其包括设置于腔体内用于控制磁控溅射靶材对准所述基片台的靶材对准装置、用于升降靶材控制装置的升降装置，以及由磁屏蔽材料制作的磁控挡板用以遮蔽所述磁控溅射靶材本实用新型实现了一个复合系统中同时具有脉冲激光沉积系统和磁控溅射系统，从而降低了装置的制造成本。
一种脉冲激光沉积磁控溅射复合系统

[发明专利]柔性玻璃上溅射沉积压电薄膜的方法-CN202010585778.9在审
发明人：尹小波;尹堃;肖斌;胡泽超 -专利权人：湖南中大检测技术集团有限公司;湖南中云科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性玻璃上溅射沉积压电薄膜的方法。该方法包括：S1、将清洗后的柔性玻璃紧贴在磁控溅射镀膜机的真空腔中的基片冷却装置的表面；S2、之后抽真空至真空度达到10‑7～10‑3Pa；S3、采用原子层沉积方法在所述柔性玻璃的表面沉积ZnO或者AlN纳米级别的薄膜得到镀膜柔性玻璃；S4、向所述真空腔中动态地通入工作气体，所述工作气体总压强为0.2～10Pa；S5、启动磁控溅射源，在所述镀膜柔性玻璃上反应溅射沉积压电薄膜，之后向磁控溅射镀膜机真空腔中放入大气，取出样品。本发明实现了在柔性玻璃上溅射沉积压电薄膜。
柔性玻璃溅射沉积压电薄膜方法

[发明专利]一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法-CN201910171842.6在审
发明人：张绍璞;范刚;黄兴盛;胡征宇 -专利权人：厦门阿匹斯智能制造系统有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法，该设备包括一真空腔体，所述真空腔体内设置有环形工件架和溅射靶，所述溅射靶设置于所述环形工件架的内部。本发明的磁控溅射镀膜设备及其镀膜方法能够很好的消除了远端低能级沉积，从而使得膜的沉积均匀性更高，色差大幅减小。
磁控溅射镀膜设备镀膜环形工件溅射靶色差沉积均匀性真空腔体低能级真空腔减小远端沉积体内

[发明专利]一种光学镜片模具的专用模仁制备工艺-CN201410518067.4在审
发明人：潘文祥 -专利权人：惠安县高智模具技术服务有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种光学镜片模具的专用模仁制备工艺，包括以下步骤：a、通过磁控溅射镀膜方式在模仁本体上镀上一层钛-硅薄膜层，该磁控溅射镀膜方式包括以下子步骤：a1、采用磁控溅射镀膜机,使用钛靶,基片为SiO2薄片，a2、基片镀膜前先用丙酮清洗,然后用超声波清洗,最后用去离子水冲洗风干，a3、在沉积薄膜之前,钛靶用Ar离子轰击预溅射5分钟,待溅射稳定后再移开基片挡板开始薄膜的沉积；b、通过非平衡磁控溅射方法在钛-硅薄膜层上覆盖一层钛-硅-氮薄膜层；c、通过非平衡磁控溅射方法在钛-硅-氮薄膜层上覆盖一层钛-铝-硅-氮薄膜层；d、通过非平衡磁控溅射方法在钛-铝-硅-氮薄膜层上覆盖一层镍-铝薄膜层。
一种光学镜片模具专用制备工艺

[发明专利]一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法-CN201911325196.0有效
发明人：姬鹏飞;李勇;宋月丽;周丰群;袁书卿;田明丽 -专利权人：平顶山学院
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法，该方法首先以ITO导电薄膜为衬底，利用磁控溅射技术在ITO导电薄膜上沉积Si，制备纳米结构ITO/Si；然后利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si上沉积CdS，制备纳米结构ITO/Si/CdS；最后利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si/CdS上沉积Ag，制备纳米ITO/Si/CdS/Ag异质结。
一种 cds si 纳米薄膜异质结制备方法

[发明专利]一种AZO透明栅极薄膜晶体管及其制备方法-CN201810354086.6在审
发明人：姚日晖;章红科;宁洪龙;李晓庆;张啸尘;邓宇熹;邓培淼;周尚雄;袁炜健;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：将基底清洗，烘干预处理后通过脉冲激光沉积制备AZO栅极；在AZO栅极上使用射频磁控溅射沉积制备Al2O3栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；在300～350℃的温度下，对器件进行热退火处理；使用直流溅射沉积Al源漏电极，得到AZO透明栅极薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积制备AZO栅极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。
制备薄膜晶体管透明栅极射频磁控溅射栅极绝缘层半导体层沉积磁控溅射沉积激光脉冲沉积脉冲激光沉积直流溅射沉积薄膜电阻率烘干预处理基底清洗脉冲直流器件性能显示器件漏电极热退火修饰层半导体透明度

[发明专利]一种纤维表面沉积界面层的设备及其方法-CN201810225632.6有效
发明人：阳海棠;黄小忠;岳建岭;王春齐;陆子龙;唐秀之;姜超 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种纤维表面沉积界面层的设备及其方法，设备包括放丝装置、静电散丝装置、磁控溅射装置、固态胶粘装置、收丝装置；所述收丝装置和放丝装置分别位于磁控溅射装置的两侧，所述静电散丝装置位于放丝装置与磁控溅射装置之间，所述固态胶粘装置位于收丝装置与磁控溅射装置之间；当设备工作时，所述纤维束从放丝装置放丝出来，运动至静电散丝装置被散丝，以散丝的状态进入磁控溅射装置，经磁控溅射沉积获得界面层后，经固态胶粘装置集束，最终纤维束由收丝装置收丝
一种纤维表面沉积界面设备及其方法

[实用新型]一种双面物理气相沉积镀膜设备-CN201821138926.7有效
发明人：刘晓萌 -专利权人：无锡爱尔华精机有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面物理气相沉积镀膜设备，包括真空腔室、样品台系统、真空泵系统和电力系统，真空腔室由磁控溅射腔体和离子辅助蒸发腔体组成，磁控溅射腔体内壁的顶部装有磁控溅射系统，且磁控溅射腔体内部位于磁控溅射系统下方设有加热系统，该双面镀膜设计，对于需要做双面物理气相沉积镀膜的基材，无翻面操作，减少了操作流程，提升了良品率，降低了生产线成本，同时，相对传统的双面磁控溅射镀膜的设计，因为引入了可以实现更优镀膜特性的IED方式，可以提升单面膜性能
物理气相沉积磁控溅射系统磁控溅射镀膜设备真空腔室镀膜磁控溅射镀膜磁控溅射腔体本实用新型样品台系统真空泵系统操作流程电力系统发光器件光伏电池加热系统离子辅助腔体内壁双面镀膜体内部位显示器件蒸发腔体传统的单面膜良品率双面膜主发光翻面基材受光引入平衡

[发明专利]用于硅异质结电池的ITO薄膜的制备方法-CN201911316635.1在审
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;周永谋;田宏波;李洋;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该方法包括：通过磁控溅射法沉积透明导电氧化物ITO薄膜，所述磁控溅射法中采用的工艺气体包括氩气、氧气和氢气。该方法通过在磁控溅射法沉积ITO薄膜工艺中引入氢气作为反应气体，可以显著降低薄膜产品中散射中心密度，提高载流子迁移率，从而在保持薄膜良好透过率的同时，获得电学性能的提高。
用于硅异质结电池 ito 薄膜制备方法

[发明专利]利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法-CN202011533232.5有效
发明人：高洁;杨少延;魏洁;魏鸿源;陈怀浩 -专利权人：中国科学院半导体研究所;南京佑天金属科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B25/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法，包括：将清洗后的硅衬底和金属锆靶材置于预设真空条件下的生长室中；在预设温度下对硅衬底表面进行烘烤和反溅射干式清洗预处理；对金属锆靶材表面进行射频磁控溅射预处理；利用射频磁控溅射工艺在硅衬底表面上沉积金属锆层；降低氩气流量并向生长室中通入氮气，利用反溅射工艺将沉积的金属锆层氮化形成氮化锆成核层；利用直流磁控溅射工艺，在氮化锆成核层上沉积氮化锆薄膜；关闭氩气并将衬底加热温度升至预设退火温度
利用磁控溅射衬底制备氮化薄膜方法

[发明专利]采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法-CN201410012303.5有效
发明人：张振中;申德振;武晓杰;王双鹏;姜明明;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，属于磁控溅射法制备薄膜技术领域。解决了现有技术中采用金属靶制备金属氧化物薄膜的制备成本高、溅射不均匀，采用氧化物陶瓷靶制备氧化物薄膜时，沉积速率低的技术问题。本发明采用射频磁控溅射设备溅射难溅射的氧化物陶瓷靶，采用以氩气为主要溅射气体，以氢气或者氢气和氧气一起作为辅助溅射气体，通过选择合适的气体比例、溅射功率、磁控溅射室压力等参数，通过氢气的还原作用对氧化物陶瓷靶表面还原，提高溅射效率，结合后期退火处理，沉积高质量氧化物薄膜。
采用氧化物陶瓷磁控溅射制备薄膜方法