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[发明专利]SrRuO₃膜的沉积方法-CN201280063746.6有效
发明人：醍醐佳明;石桥启次 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种SrRuO₃膜的制造方法，该方法在通过DC磁控溅射法沉积SrRuO₃膜的过程中能够在高的沉积速度下沉积高品质的SrRuO₃本发明的一个实施方案为通过偏移旋转型DC磁控溅射法的SrRuO₃膜的沉积方法，其中在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO₃
srruo sub 沉积方法

[发明专利]太阳能真空集热管溅射选择性光吸收膜形成方法-CN02150141.6有效
发明人：徐宝安 -专利权人：徐宝安
申请日： 2002-11-09 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： F24J2/48 文献下载
摘要：一种太阳能光热转化吸收涂层，由沉积在基础材料上的金属光反射层，金属、陶瓷及非结晶碳混合组成的光吸收层，陶瓷及非结晶碳混合组成的光减反射层三层依次磁控溅射沉积形成，或由沉积在基础材料上的金属光反射层，金属和非结晶碳混合组成的光减反射层，金属、陶瓷及非结晶碳混合组成的光吸收层及陶瓷和非结晶碳混合组成的光减反射层四层依次磁控溅射沉积形成。其在溅射镀膜过程中以反应电极和非反应电极两电极或三电极作为阴极，单独溅射或同时溅射。溅射激励气体为氩气，反应气体为氮气、乙炔或甲烷。光热转化吸收涂层三层或四层依次以一定厚度溅射沉积形成其膜的整体厚度。
太阳能空集热管溅射选择性光吸收形成方法

[发明专利]半导体表面金属处理方法-CN201910799806.4在审
发明人：程丙坤 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体表面金属处理方法，所述方法包括：采用磁控溅射沉积的方法在半导体表面沉积镍过渡层。本发明通过对半导体进行表面真空溅射镀镍膜，由于真空镀膜过程中半导体不受任何外力，不会破裂，因此保证了产品的质量。采用磁控溅射沉积的方法除了能提高成品率之外，还可以用于制造晶片厚度在1mm以下的半导体制冷片，进一步拓展了产品种类，扩大了产品的应用范围。
半导体表面金属处理方法

[发明专利]一种超高密度热辅助磁记录用FeRh/FePt双层薄膜及其制备方法-CN201310349750.5无效
发明人：陆伟;黄平 -专利权人：同济大学
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高密度热辅助磁记录用FeRh/FePt双层薄膜及其制备方法，所述薄膜由铁磁性高各项异性L10有序结构的FePt合金薄膜和有B2有序结构的FeRh合金薄膜组成；具体为：利用磁控溅射技术在单晶MgO（001）基板上沉积FeRh合金薄膜，溅射，退火，利用磁控溅射技术继续在沉积有FeRh薄膜的单晶MgO（001）基板上沉积FePt合金薄膜，本发明具有制备简单、性能好等优点，适合应用于具有外延取向的
一种超高密度辅助记录 ferh fept 双层薄膜及其制备方法

[发明专利]一种镶嵌结构界面α-氧化铬涂层及其制备方法-CN201710254049.3有效
发明人：邱万奇;甄永辉;王书林;刘仲武;钟喜春;焦东玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：所述制备方法为：以Cr作沉积靶材，通过磁控溅射系统在工件基体表面沉积Cr过渡层，然后在500～600℃热氧化处理，在Cr过渡层表面形成α‑Cr₂O₃镶嵌结构界面层，再重新放入磁控溅射系统中，在脉冲频率为600～2000Hz、占空比为1.5～5％、氧分压为7～15％的Ar+O₂混合气体条件下用高功率脉冲反应磁控溅射法沉积出α‑Cr_{2本发明所得镶嵌结构界面α‑Cr₂O₃涂层方法沉积工艺稳定，不存在靶中毒问题，所沉积的涂层与基体结合牢固，具有稳定的α相结构。}
一种镶嵌结构界面氧化铬涂层及其制备方法

[发明专利]电-磁场协同增强高功率脉冲磁控溅射沉积装置及方法-CN201810250398.2在审
发明人：李春伟 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：电‑磁场协同增强高功率脉冲磁控溅射沉积装置及方法，属于镀膜技术领域。为了解决目前高功率脉冲磁控溅射方法存在的电子利用率低，镀膜时沉积速率低以及系统粒子的离化率有待进一步提高的问题。所述沉积装置在阴极磁控靶外侧缠绕励磁线圈，直流恒流电源为阴极磁控靶外侧励磁线圈提供连续可调的电流，辅助阳极放置在真空室内，直流恒压电源为真空室内的辅助阳极提供连续可调的电压；所述沉积装置的沉积方法利用同轴的励磁线圈优化阴极磁控靶前磁场分布，同时利用辅助阳极调控真空室内电场/电势分布，可实现对电子的定向牵引和约束，进而可达到改善高功率脉冲磁控溅射技术电子利用率和沉积速率并进一步提高系统粒子离化率的目的，沉积出优质的膜层。
高功率脉冲沉积阴极辅助阳极励磁线圈磁控靶磁控溅射沉积装置沉积装置镀膜技术连续可调室内离化磁场粒子协同磁控溅射技术直流恒流电源直流恒压电源磁场分布磁控溅射电势分布电场镀膜膜层同轴缠绕牵引调控优化

[发明专利]一种微波介质陶瓷金属化的等离子体注入沉积设备及其工艺-CN202211082898.2在审
发明人：赵俊亮;李恒;苏波泳;黄健;王建波 -专利权人：纳弧真空装备（浙江）有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波介质陶瓷金属化的等离子体注入沉积设备及其工艺。本发明提供一种微波介质陶瓷金属化的等离子体注入沉积设备，包括真空腔体、工件转架及真空泵组，在真空腔体内圆周设置射频离子源、电弧离子模块及磁控溅射模块，在真空腔体外接有脉冲偏压电源，其通过特殊的结构实现对电弧熔化靶材产生的液滴有效过滤本发明还提供一种微波介质陶瓷金属化的等离子体注入沉积工艺，其通过依次采用射频离子源清洗、电弧离子注入、电弧离子注入沉积、磁控溅射沉积的复合型真空气相沉积工艺，达到大幅提高膜层附着力、实现比磁控溅射工艺更高的沉积速率
一种微波介质陶瓷金属化等离子体注入沉积设备及其工艺

[发明专利]一种飞行器及其表面柔性防/除冰复合薄膜及制备方法-CN202310013892.8在审
发明人：薛勇杰;邱维维;王非;刘曙光;单勇革 -专利权人：北京机械工业自动化研究所有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种飞行器及其表面柔性防/除冰复合薄膜及制备方法，该飞行器的零部件表面具有表面柔性防/除冰复合薄膜，该薄膜包括：第一绝缘薄膜，通过热喷涂、磁控溅射、离子束辅助沉积、化学气相沉积或磁过滤阴极真空弧源沉积于基体表面形成；柔性电热薄膜，位于第一绝缘薄膜上，根据不同的工作电压和单位面积功率要求设置；第二绝缘薄膜，位于柔性电热薄膜上，通过热喷涂、磁控溅射、离子束辅助沉积或化学气相沉积于柔性电热薄膜表面形成；以及超疏水薄膜，位于第二绝缘薄膜上，通过磁控溅射、离子束辅助沉积或磁过滤阴极真空弧源沉积于第二绝缘薄膜表面形成的具有超疏水结构的CrN基薄膜。
一种飞行器及其表面柔性除冰复合薄膜制备方法

[发明专利]一种用于ta-C膜沉积的磁控溅射生成碳离子的方法及ta-C膜沉积方法-CN202111651523.9在审
发明人：郎文昌;杜昊;郑仕科;黄志宏;纪忠宝;陈智杰;胡晓忠 -专利权人：温州职业技术学院
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种用于ta‑C膜沉积的磁控溅射生成碳离子的方法及ta‑C膜沉积方法。本发明通过在磁控溅射产生碳离子的组件中采用两个相对设置的第一靶材，当等离子体中的粒子轰击第一靶材，形成的碳离子和碳颗粒向两个第一靶材中间的区域运动，碳离子在电磁场的作用下，离开溅射区，进入到磁场导向区，通过离子出口进入真空腔室，进行沉积，而绝大多数不带电的碳颗粒保留在溅射区，进一步与等离子体中的粒子碰撞形成碳离子，本发明既能大大减少沉积区域的碳颗粒数量，同时不影响沉积速度。
一种用于 ta 沉积磁控溅射生成离子方法

[发明专利]一种降低生物医用镁合金表面涂层残余应力的方法-CN201410431851.1有效
发明人：谈淑咏;章晓波;王章忠;巴志新;毛向阳 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低生物医用镁合金表面涂层残余应力的方法，即以生物医用镁合金为基底，以高纯钛为靶材，首先通过射频磁控溅射技术在生物医用镁合金表面沉积Ti层作为过渡层，再采用直流磁控溅射方法在Ti过渡层表面沉积本发明在新型生物医用镁合金表面成功制备TiN涂层，在所述工艺条件下，通过射频‑直流交替磁控溅射法降低TiN涂层残余应力，使得涂层与基底结合较好，涂层表面完整、连续、光滑，涂层厚度可通过沉积时间和氮流量比进行协调控制
一种降低生物医用镁合金表面涂层残余应力方法

[发明专利]溅射沉积Fe(Se,Te)薄膜制备超导带材的方法-CN202211226006.1有效
发明人：羊新胜;王进;罗露林;张洁;赵勇 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种磁控溅射沉积制备Fe(Se,Te)超导薄膜的方法，其步骤是：将Fe(Se,Te)前驱靶材和将含缓冲层的哈氏合金基带分别作为靶材与衬底，固定在磁控溅射设备腔体内，并使衬底与靶材间的距离为5‑7cm；然后，进行温度为320‑380℃、溅射功率为60‑100W、氩气气压为0.1‑0.3Pa、时间为30‑60min的磁控溅射，即在哈氏合金基带上溅射沉积出Fe(Se,Te)超导薄膜，得到Fe(Se,Te)超导带材
溅射沉积 fe se te 薄膜制备超导方法

[发明专利]一种可拉伸的柔性热电发生器的制备方法-CN202310104051.8在审
发明人：张纪才;刘泽瑞;刘婷;鲁勇;徐福建 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种可拉伸的柔性热电发生器的制备方法，制备金属掩模板abc和可拉伸的聚酰亚胺衬底；使用磁控溅射法，Ar气氛下，将钨与Bi0.5SbSb1.5Te3靶连接直流电源，功率为32W，磁控溅射装置的腔体压强低于5×10‑4Pa，掺杂温度为250℃；将得到的薄膜作为衬底b，使用磁控溅射方法，在室温的Ar气氛下，将Bi2Te2.7Se>0.3靶连接到直流电源，功率为35W，磁控溅射装置的腔体压强低于2×10‑4Pa，溅射温度为70℃；将得到的薄膜作为衬底c，使用磁控溅射方法，Ar气氛下，将Au沉积在金属掩模板c覆盖的衬底c上，得到可拉伸的柔性热电发生器。
一种拉伸柔性热电发生器制备方法

[发明专利]一种磁控元件和磁控溅射装置-CN201610789989.8有效
发明人：杨玉杰;郭万国;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01J25/50 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括闭合磁极和开路磁极，闭合磁极包围开路磁极，闭合磁极和开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5％。该磁控元件通过设置闭合磁极和开路磁极，能适用于RF/DC PVD技术，通过调节闭合磁极和开路磁极之间形成的等离子体路径的形状与分布，能在全工艺压力范围下使溅射沉积薄膜满足设定的均匀性要求，从而大大提高了沉积薄膜的均匀性；该磁控元件适用的磁控溅射系统以及适用的薄膜沉积材料都比较广泛，并且，该磁控元件还能提高靶材的利用率。
一种元件磁控溅射装置

[发明专利]一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法-CN201710153507.4有效
发明人：张琳;慈立杰;王旭天 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明采用本发明采用射频磁控溅射技术和化学气相沉积的方法，用六方氮化硼靶作为磁控溅射靶材，用有300nm二氧化硅的<100>晶向的硅基作为溅射衬底，通过在硅基上直接沉积硼氮薄膜作为催化剂，其上生长石墨烯，省去了溅射沉积金属催化剂的步骤，从而达到优化工艺，节约资源，降低成本的效果。同时通过控制化学气相沉积过程中的参数，使得制备得到的石墨烯一致性良好，具有较好的热和化学稳定性。
一种硅基上无金属催化剂制备石墨方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法-CN201310189678.4有效
发明人：李德军;贾涛;董磊 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，它是采用直流磁控溅射的方法在soda-lime玻璃上沉积双层金属Mo电极，然后用射频磁控溅射的方法通过溅射铜铟镓硒四元合金单靶（CuIn0.7Ga0.3Se2）在Mo电极上沉积CIGS薄膜。溅射过程中保持一定的基底温度和溅射功率，溅射所得到的CIGS薄膜具有黄铜矿结构，适合作为太阳能电池的吸收层，本发明所述的方法不仅成本低，工艺简单，而且省去了硒化退火，更有利于环保。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收制备方法