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- [发明专利]表面活化负极极片-CN201010236390.4无效
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吴中友;陈渊;刘建红;王雅和;毛永志
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中信国安盟固利动力科技有限公司
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2010-07-22
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2011-05-11
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H01M4/134
- 一种表面活化负极极片,是在金属基片上设有掺杂Si活化层,在掺杂Si活化层上再设置一碳膜层;掺杂Si活化层中掺杂元素选自Sn、Al中的一种金属元素和C、O中的一种非金属元素;碳膜层为无定型结构;掺杂Si活化层和碳膜层中的晶粒为纳米级;掺杂Si活化层的厚度为1-2000nm;碳膜层的厚度为1-500nm;掺杂Si活化层和碳膜层可以按掺杂Si活化层/碳膜层/掺杂Si活化层/碳膜层的顺序多层设置;金属基片选用Cu箔;金属基片的表面粗糙度为本发明表面活化负极极片,利用碳膜层,保护Si膜层;利用掺杂元素作缓冲体,再利用金属基片的表面粗糙度容纳体积膨胀,利用纳米级晶粒,容纳颗粒剂体积变化,使得该负极极片充放电容量大,循环性能得到较大提高。
- 表面活化负极
- [发明专利]一种去除非晶合金碳杂质的方法-CN201510366437.1有效
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于焕云
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比亚迪股份有限公司
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2015-06-26
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2018-04-20
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C22F1/18
- 为克服现有技术中非晶合金除杂方法存在二次污染、除杂效果差的问题,本发明提供了一种去除非晶合金碳杂质的方法,包括如下步骤包括如下步骤S1、提供需要去除碳杂质的非晶合金;S2、将除杂剂与所述非金合金混合,得到混合物;所述除杂剂中含有除碳剂,所述除碳剂为除碳金属元素的氧化物,所述除碳金属元素为所述非晶合金所含元素中的一种;所述除碳剂的熔点低于所述非晶合金的熔点;S3、将混合物在保护气氛下熔融,然后抽真空处理。本发明提供的去除非晶合金碳杂质的方法对碳杂质的去除效果好,并且不会引入新的杂质而导致二次污染。
- 一种除非合金杂质方法
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