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[发明专利]一种复合硼铝扩散源及其制备方法和半导体掺杂加工的方法-CN202111397121.0在审
发明人：阮岳峰;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：浙江尚能实业股份有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合硼铝扩散源及其制备方法和半导体掺杂加工的方法，这种复合硼铝扩散源按质量份数由正硅酸乙酯15‑20份，乙二醇甲醚30‑56份，九水硝酸铝1‑7份，乙醇25‑35份，水2‑5份，氧化硼2这种复合硼铝扩散源及其制备方法和半导体掺杂加工的方法可以通过控制膜厚及复合硼铝扩散源中硼与铝的含量来实现硼和铝掺杂浓度的精确控制，能够一次性实现硼和铝掺杂扩散，扩散过程中不需要离子注入机的参与，减少了该设备的资金投入，且操作简单，整个扩散工艺都在扩散炉中一次完成，不需二次退火，且可以满足大结深产品的加工需求，提高了生产效率，且这种复合硼铝扩散源，保存期长，无需低温保存。
一种复合扩散及其制备方法半导体掺杂加工

[发明专利]一种扩散用硼铝源及其配置方法-CN201811587334.8有效
发明人：谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供一种扩散用硼铝源，包括重量百分比为8‑30％的硼源，重量百分比为1‑5％的铝源，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置扩散用硼铝源的方法，将硼源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼源溶液；将铝源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得铝源溶液；将所述过饱和的硼源溶液与所述铝源溶液混合。本发明提供的扩散用硼铝源的配置方法简单易操作，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr(反向恢复时间)值，硅片扩散合格率高，有效提升硅片性能质量。
一种扩散用硼铝源及其配置方法

[发明专利]一种硼铝扩散源及其制备方法-CN202211378504.8在审
发明人：董艺萌;于朴凡;杨长青;王连旺;孟宪冬 -专利权人：北京化学试剂研究所有限责任公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本申请涉及半导体硅片制造技术领域，尤其涉及一种硼铝扩散源及其制备方法。一种硼铝扩散源，硼铝扩散源中金属杂质含量20ppm；其中钠离子含量15ppm；硼铝扩散源组分包括硅酸酯15‑35%、水2‑5%、低碳醇25‑35%、醚类25‑35%、硼源2‑12%、铝源5‑20%、酸0.01其制备方法包括：1）硼源、铝源、醚类混合溶解；2）硅酸酯加水混合水解缩聚；3）共混。本申请控制硼铝扩散源中金属杂质含量20ppm，其中钠含量15ppm，可有效提升芯片的电参数TRR值；对于硼铝扩散源中金属杂质含量和钠含量的控制还可以改善烘膜工序中成膜不均匀、不平整的问题，制得产品的方块电阻和
一种扩散及其制备方法

[发明专利]一种环保硼扩散源配方-CN202210053500.6在审
发明人：郭光辉 -专利权人：济南晶硕电子有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C30B31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种环保硼扩散源配方，包括以下重量份数配比的原料：乙二醇乙醚；三氧化二硼；硝酸铝和氧化铝，取三氧化二硼和乙二醇乙醚制备三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液，硝酸铝和乙二醇乙醚制备硝酸铝/乙二醇乙醚溶液，取三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液和硝酸铝/乙二醇乙醚溶液和氧化铝粉制备硼扩散液态源。该环保硼扩散源配方，通过将硅片依次经过表面腐蚀、表面氧化、干燥和抛光工序，将硅片放入氢氟酸/硝酸/水混合液体系的刻蚀溶液中反应再将硅片放入碱溶液中常温下反应，使得硅片在扩散后的表面浓度较高，解决硼扩散后由于二氧化硅吸硼作用造成的表面浓度低的问题，使得硅片在硼扩散后的均匀性较好，不会出现单一处硼扩散源较低的问题。
一种环保扩散配方

[发明专利]一种扩散铝的方法-CN200910166483.1有效
发明人：张明;蒋谊;彭文华;雷云;刘旭君 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种扩散铝的方法，包括：清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片；为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片，并且叠片式排列所述多片硅晶片和多片硅陪片；将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二铝源壶依次装入石英管；用石英封头封住所述石英管的管口，对整个石英管执行闭管扩铝工艺。本发明提供的扩散铝的方法，通过为具有硼扩散层的硅晶片使用陪片，使得在所述硅晶片上扩散铝能够顺利进行，解决了现有技术无法直接在具有硼扩散层的硅晶片上扩散铝的工艺障碍。
一种扩散方法

[发明专利]一种大功率晶体管芯片硼铝扩散工艺-CN201010580992.1有效
发明人：高勇 -专利权人：西安卫光科技有限公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率晶体管芯片硼铝扩散工艺，包括以下步骤：1)源溶液配制：将纯硝酸铝a克、三氧化二硼b克溶于cml乙醇；2)硅片清洗；3)硅片烘干；4)将步骤3)烘干后的硅片表面均匀涂覆步骤1)配好的源溶液，放入扩散炉中，升温至1260±1℃恒温8-10小时；其中a∶b∶c＝40∶(1.5-2.5)∶500。本发明一种大功率晶体管芯片硼铝扩散工艺，采用了硼铝同时扩散的工艺方法，利用高温下铝有较快的扩散速率，硼有较高的表面浓度，可使硼的扩散深度达到100um～110um，使产品的抗烧能力大大的提高，放大倍数更稳定
一种大功率晶体管芯片扩散工艺

[发明专利]一种穿通结构可控硅芯片的生产方法-CN202010473439.1有效
发明人：耿开远 -专利权人：济宁东方芯电子科技有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：具体涉及一种穿通结构可控硅芯片的生产方法，包括如下步骤：(1)将硅片氧化处理；(2)将硅片进行光刻，腐蚀成线条，形成穿通环；(3)穿通环的硅片置于化学腐蚀液中腐蚀出沟槽；(4)利用自动涂源台涂布；(5)将涂有硼铝源的硅片置于高温扩散炉中进行硼铝扩散本发明扩散工艺采用的为硼铝源，硼铝源主杂质是铝，铝扩散速度快，扩散温度要求低。本发明形成穿通结构的可控硅片，整个工艺时间16‑20小时高温扩散，且最高温度比常规最高温度低，时间不到原来的1/10，提高了所制得芯片少子寿命。
一种结构可控硅芯片生产方法

[发明专利]硼铝源一次全扩散生产KP整流芯片的方法-CN201110133071.5有效
发明人：于能斌;王景波 -专利权人：鞍山市华辰电力器件有限公司
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明涉及硼铝源一次全扩散生产KP整流芯片的方法，包括硅片清洗、扩散、氧化、一次光刻、磷扩、割圆、烧结、蒸铝、二次光刻、台面腐蚀，其特征在于，所述扩散工序为一次全扩散，具体包括以下步骤：硼源、铝源制备和一次全扩散，扩散时保证石英闭管中硼源片和铝源片在待扩硅片中分布均匀，当表面浓度和结深达标时扩散完成。与现有技术相比，本发明的有益效果是：在PN结的生产制造过程中，采用硼铝两种元素扩散源，一次高温扩散成型，相同规格的大功率高压整流芯片产品对比，电压提高了800V～1000V，产品使用寿命多出500小时以上，减少了磷扩时间4～5小时，提高了扩散效率，硅单晶片的损伤减少，提高了成品率。
硼铝源一次扩散生产 kp 整流芯片方法

[发明专利]一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺-CN201711059107.3有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷硼一次扩散制绒，对扩散前处理后的硅片一面扩散磷扩散源，另一面扩散硼扩散源或硼铝扩散源，并进行硅片制绒；S2铂扩散，对磷硼一次扩散制绒后的硅片扩散铂扩散源本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。
一种 frgpp 芯片玻钝前多重扩散工艺

[发明专利]一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺-CN201710615682.0在审
发明人：李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;钟瑜 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，包括以下步骤：硅片双面减薄：使用腐蚀液对硅片进行双面腐蚀，去除表面损伤层；扩散前处理：对减薄后的硅片依次进行碱处理、溢水清洗、酸清洗、溢水清洗、甩干；印刷扩散源：采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；叠片装舟：将硅片硼源面或硼铝源面与硼源面或硼铝源面相对，将磷源面与磷源面相对进行叠片，叠片后放入碳化硅舟中，在前后位置放置挡片本发明的有益效果是使得在硅片上涂覆扩散源的工艺更加简单，能够实现硅片扩散源涂覆的自动化，节省劳动力，提高了扩散源涂覆的工作效率，且磷源和硼源在硅片上的涂覆一致性好，安全环保。
硅片扩散源叠片磷源硼源涂覆丝网印刷技术硼铝源印刷减薄涂源溢水清洗丝网印刷工艺表面损伤层涂覆一致性安全环保工作效率硅片扩散硅片双面硼铝扩散前后位置双面腐蚀碳化硅舟腐蚀液碱处理磷扩散硼扩散前处理酸清洗挡片放入甩干去除自动化扩散

[发明专利]永磁材料、其制造方法和永磁体-CN95103595.9无效
发明人：高桥靖典 -专利权人：高桥靖典
申请日： 1995-03-27 - 公布日： 1995-11-15 - 主分类号： H01F1/053 文献下载
摘要：按照本发明生产的永磁体材料包含一种针状铁粉，其表面上相继具有(1)一磷酸铝的包覆层，(2)一稀土元素扩散层或一稀土元素，硼扩散层或一稀土元素·硼·氨扩散层，以及(3)一磷酸铝的包覆层。生产这种永磁材料包括以下步骤(a)用磷酸铝混合并覆盖针铁矿晶体，(b)用氢气还原得到包覆有磷酸铝层的针状铁粉(c)在氩气氛和650—1000℃下将稀土元素或稀土元素和硼扩散到磷酸铝的表面层中(d)再与磷酸铝混合(e)通过加热在其外面再包覆一层磷酸铝。
永磁材料制造方法永磁体

[发明专利]提高铝基扩散涂层的断裂韧性的方法-CN00814039.1无效
发明人： S·C·昆古 -专利权人：麦克德莫技术股份有限公司
申请日： 2000-09-19 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： C23C4/08 文献下载
摘要：提高铝基扩散涂层的断裂韧性的方法,它是使用热喷涂法将铝(Al)、铬(Cl)、硼(Bl)和/或硅同时涂布到工件(2)上,然后对工件进行热处理,热处理时间足以使铝、铬、硼和硅扩散入工件内。所得的扩散涂层(6)证明具有改进的断裂韧性,并且不需要使用浆液。
提高扩散涂层断裂韧性方法

[发明专利]提高双向小晶闸管Ⅲ象限触发灵敏度的工艺方法-CN200810019655.8无效
发明人：朱法扬 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2008-03-11 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：其工艺步骤包括：双面抛光片，氧化，双面光刻，穿通扩散，镓扩散，硼扩散，光刻阴极区，阴极扩散，槽光刻，台面腐蚀，玻璃钝化，引线孔光刻，蒸铝，铝反刻，合金，背面喷砂，背面金属化，中测，其中在阴极扩散步骤之后增加了光刻补硼区与补硼扩散两步骤，其中补硼扩散的工艺条件为：硼预淀积T＝1030℃；t＝156min；要求：R_□＝6～10Ω/□；硼再扩散；条件：T＝1180℃；t＝5h；N₂、H
提高双向晶闸管象限触发灵敏度工艺方法

[发明专利]增加铝基扩散涂层的断裂韧性的方法-CN200410068552.2无效
发明人： S·C·昆古 -专利权人：麦克德莫技术股份有限公司
申请日： 2000-09-19 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C23C10/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种增加铝基扩散涂层的断裂韧性的方法，它将铝，以及铬和硼中的至少一种同时扩散入工件的钢表面，此方法包括：制备含有铝，以及铬和硼中至少一种的原料；用热喷涂法将所述的原料喷涂到陶瓷介质上；将所述的陶瓷介质与所述的工件接触而放置；对所述的介质和所述的钢表面进行热处理，热处理时间足以使铝，以及铬和硼中的至少一种扩散到工件内；和从所述的工件上除去任何多余的未扩散的所述原料和所述的陶瓷介质。
增加扩散涂层断裂韧性方法

[发明专利]一种半导体扩散用受主源材料、受主源扩散纸及其应用-CN202110111182.X在审
发明人：石坚 -专利权人：济宁九德半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体扩散用受主源材料、受主源扩散纸及其应用，属于半导体技术领域。所述受主源材料包括受主源和成膜剂，所述受主源材料包括受主源和成膜剂，所述受主源为无定型硼、铝单质、硼铝合金、氮化硼、碳化硼、硼酸铝晶须、硼酸镓、硼酸铟、硼酸铵及各种含有硼酸、氧化硼的硅凝胶中的至少一种。本发明还涉及了一种受主源材料固化成膜制得的受主源扩散纸。本发明制备的受主源材料、受主源扩散纸便于扩散后分片，时间明显下降，扩散浓度均匀性明显上升。
一种半导体扩散用受主源材料受主源及其应用

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