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[发明专利]一种硅基三维异构集成的射频微系统及其制造方法-CN201810034938.3在审
发明人：陈雪平;王志宇;张勋;朱丹丹;田锋 -专利权人：杭州臻镭微波技术有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基三维异构集成的射频微系统及其制造方法，本发明中的系统包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层、第四硅衬底层、射频功放芯片、射频低噪放芯片、射频滤波器和射频开关，硅衬底层均为高阻硅晶圆，射频芯片和器件为采用不同衬底材料不同工艺制成；其中，把射频芯片和器件微组装在第一硅衬底层、第三硅衬底层内预先蚀刻好的腔体中，且第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层和第四硅衬底层做低温晶圆级键合堆叠在一起，并通过硅通孔垂直互连，形成三维异构集成的射频微系统。
硅衬底层射频异构射频系统射频芯片微系统三维硅基蚀刻芯片射频滤波器衬底材料传输损耗垂直互连三维集成射频功放射频开关低噪放硅晶圆硅通孔互连线晶圆级微组装堆叠高阻减小键合腔体封装制造

[实用新型]一种硅基三维异构集成的射频微系统-CN201820060293.6有效
发明人：陈雪平;王志宇;张勋;朱丹丹;田锋 -专利权人：杭州臻镭微波技术有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基三维异构集成的射频微系统。本实用新型中的系统包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层、第四硅衬底层、射频功放芯片、射频低噪放芯片、射频滤波器和射频开关，硅衬底层均为高阻硅晶圆，射频芯片和器件为采用不同衬底材料不同工艺制成；其中，把射频芯片和器件微组装在第一硅衬底层、第三硅衬底层内预先蚀刻好的腔体中，且第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层和第四硅衬底层做低温晶圆级键合堆叠在一起，并通过硅通孔垂直互连，形成三维异构集成的射频微系统
硅衬底层射频异构本实用新型射频系统射频芯片微系统三维硅基蚀刻芯片射频滤波器衬底材料传输损耗垂直互连三维集成射频功放射频开关低噪放硅晶圆硅通孔互连线晶圆级微组装堆叠高阻减小键合腔体封装

[发明专利]复合衬底及其制备方法、及外延片-CN201611131406.9在审
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合衬底，其包括硅衬底层以及用于生长外延层的蓝宝石衬底层；所述蓝宝石衬底层键合在所述硅衬底层上。上述复合衬底，由蓝宝石衬底层与硅衬底层采用键合工艺成为一体，该复合衬底，可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层)，从而可以制造出性能优异的电力器件，同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容；从而可以有效降低电力器件的成本较低。本发明还公开了一种复合衬底的制备方法及外延片。
复合衬底及其制备方法外延

[发明专利]光电器件-CN201611264440.3在审
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件，其包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；器件主体结构，形成所述蓝宝石衬底层上；以及驱动芯片，位于所述硅衬底层远离所述蓝宝石衬底层的一侧。上述光电器件，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层)，从而有利于获得高质量的器件主体结构，进而有利于制造出性能优异的光电器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容；另外，还避免使用大尺寸的蓝宝石片，可以有效降低光电器件的成本。
光电器件

[实用新型]光电器件-CN201621489459.3有效
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光电器件，其包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；器件主体结构，形成所述蓝宝石衬底层上；以及驱动芯片，位于所述硅衬底层远离所述蓝宝石衬底层的一侧。上述光电器件，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层)，从而有利于获得高质量的器件主体结构，进而有利于制造出性能优异的光电器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容；另外，还避免使用大尺寸的蓝宝石片，可以有效降低光电器件的成本。
光电器件

[实用新型]复合衬底及外延片及电力器件-CN201621353353.0有效
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种复合衬底，其包括硅衬底层以及用于生长外延层的蓝宝石衬底层；所述蓝宝石衬底层键合在所述硅衬底层上。上述复合衬底，由蓝宝石衬底层与硅衬底层采用键合工艺成为一体，该复合衬底，可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层)，从而可以制造出性能优异的电力器件，同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容；从而可以有效降低电力器件的成本较低。
复合衬底外延电力器件

[发明专利]电光器件-CN201611248546.4在审
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种电光器件，包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；开关结构层，由生长在所述蓝宝石衬底层上的氮化镓晶体形成；以及器件主体结构，包括键合于所述硅衬底层上的电光晶体层。上述电光器件中的开关结构层，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的氮化镓晶体，从而有利于获得高质量的开关结构层，进而有利于制造出性能优异的电光器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容。
电光器件

[实用新型]电光器件-CN201621470412.2有效
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电光器件，包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；开关结构层，由生长在所述蓝宝石衬底层上的氮化镓晶体形成；以及器件主体结构，包括键合于所述硅衬底层上的电光晶体层上述电光器件中的开关结构层，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的氮化镓晶体，从而有利于获得高质量的开关结构层，进而有利于制造出性能优异的电光器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容。
电光器件

[发明专利]一种复合衬底的制备方法、复合衬底及复合薄膜-CN202011592201.7有效
发明人：李洋洋;李真宇;杨超;胡卉;刘阿龙;连坤 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本申请提供一种复合衬底的制备方法、复合衬底及复合薄膜，其中复合衬底的制备方法包括：对单晶硅衬底进行清洗，获得具有洁净表面的单晶硅衬底层；在单晶硅衬底层的洁净表面上生长多晶硅，并执行平坦化工艺，形成第一多晶硅层；将激光聚焦在第一多晶硅层靠近单晶硅衬底层的侧面上，直至形成单晶硅融合层，停止激光聚焦，得到复合衬底；其中，复合衬底从下至上依次包括单晶硅衬底层、单晶硅融合层以及第二多晶硅层。采用前述的方案，通过调整激光的功率、焦距以及位置，准确的控制单晶硅融合区域的位置、分布和大小，从而可根据单晶硅衬底层和多晶硅层的实际情况对目标界面处的目标区域的键合力进行改善，提高多晶硅在硅衬底上沉积的粘附性
一种复合衬底制备方法薄膜

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201811392984.7在审
发明人：黄心怡;张超 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括堆叠的第一硅衬底层、衬底氧化层以及第二硅衬底层；传输栅极，位于所述第二硅衬底层的表面；浮置扩散区，位于所述传输栅极的一侧的半导体衬底内；光电二极管掺杂区，位于所述第一硅衬底层内；导通结构，位于所述传输栅极的另一侧的半导体衬底内，穿通所述第二硅衬底层以及衬底氧化层且与所述光电二极管掺杂区电连接。
硅衬底层衬底图像传感器半导体传输栅极光电二极管掺杂区衬底氧化层浮置扩散区导通结构电连接穿通堆叠

[发明专利]一种消除热应力的TSV结构-CN201810774674.5在审
发明人：詹望 -专利权人：河南汇纳科技有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除热应力的TSV结构，包括硅衬底层，其特征在于：所述硅衬底层上下侧均设置有绝缘的二氧化硅层，所述硅衬底层设置有贯穿硅衬底层的铜柱，所述铜柱侧面与硅衬底层之间设置有空气间隙，所述铜柱上下两端连接铝基片；本发明利用环形空气缝替代通常的二氧化硅作为TSV的铜柱与硅衬底的绝缘层，在铜柱高温变形时，空气间隙为铜柱的膨胀提供了自由变形区，使铜柱不再挤压硅衬底，同时能够有效降低二氧化硅介质层的应力作用区间。
铜柱硅衬底层空气间隙硅衬底热应力绝缘层二氧化硅介质层二氧化硅层二氧化硅高温变形环形空气上下两端铜柱侧面应力作用自由变形铝基片绝缘挤压膨胀贯穿替代

[发明专利]半导体装置-CN201880045559.2在审
发明人： H·维尔贾南;P·兰塔卡里;T·瓦哈-海基拉;E·图奥维南 -专利权人：芬兰国家技术研究中心股份公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：一种半导体装置(200、300)，包括：硅衬底层(210)，所述硅衬底层的至少一部分被掺杂有一导电类型的掺杂剂；形成在硅衬底层(210)上方的至少一个绝缘体层(220)，其中至少一个绝缘体层(220)和硅衬底层
半导体装置

[发明专利]抗击穿的HEMT衬底和器件-CN201610621098.1在审
发明人： G·库拉托拉;I·多米勒尔;M·胡贝尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明是抗击穿的HEMT衬底和器件。一种具有主表面和后表面的化合物半导体器件结构包括包括第一和第二衬底层的硅衬底。所述第一衬底层延伸至所述后表面。所述第二衬底层延伸至所述硅衬底的与所述后表面相反的第一侧，使得所述第一衬底层通过所述第二衬底层与所述第一侧完全分隔开。成核区在所述硅衬底的所述第一侧上形成并且包括氮化物层。所述晶格过渡层被配置成用于减轻由于所述化合物半导体器件结构中的所述硅衬底与其他层之间的晶格失配而在所述硅衬底中产生的应力。所述第二衬底层被配置成用于抑制所述硅衬底中的反型层。
抗击 hemt 衬底器件

[发明专利]构件、晶体管器件、功率器件以及用于制造构件的方法-CN202180008239.1在审
发明人：吉尔伯托·库拉托拉;马尔科·西尔维斯特里 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种构件，包括硅基衬底层；过渡层，设置在所述硅基衬底层的上方；氮化镓(GaN)缓冲层，设置在所述过渡层的上方。所述构件还包括氧化镓层。所述构件有利于实现超宽带隙技术与宽带隙技术的共集成，例如通过在所述硅基衬底层等低成本硅衬底上使用所述氧化镓层和所述氮化镓缓冲层。因此，所述构件提供了在所述硅基衬底层(或硅生产线)上设置所述氮化镓缓冲层(或氮化镓)的途径，从而提高导热性和电气性能。
构件晶体管器件功率以及用于制造方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292902.9在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基复合衬底材料件依次进行除气处理和束流校正，硅基复合衬底材料件包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；在束流校正后的硅基复合衬底材料件的碲化镉复合衬底层上外延生长碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基复合衬底材料件，包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；p型掺杂高电导率碲镉汞导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲镉汞导电层上
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

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