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[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法-CN201110037576.1有效
发明人：庄学理;张立伟;朱鸣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法，该制造方法包含：形成虚置栅极于基材上；形成源极及漏极于基材上的虚置栅极两侧；形成第一硅化物于源极上；形成第二硅化物于漏极上，以使源极或漏极至少其一的未硅化区与虚置栅极相邻，漏极的未硅化区提供一阻抗区，能足以负载高电压横向扩散金属氧化物半导体导体应用所需的电压；对虚置栅极进行栅极替换工艺以形成栅极。
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201180012961.9有效
发明人：小野泽勇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：各自在内部包含栅多晶硅（11a）的条纹状栅沟槽（7）在n型漂移层（1）的一个主表面中形成，并且这些栅沟槽（7）连接到栅电极。一个或多个虚置沟槽（8）在栅沟槽（7）的纵向上彼此相邻的p型基极层（4）之间形成。在每一虚置沟槽（8）的内侧表面上在距栅多晶硅（11a）的一距离处隔着栅氧化膜（10）形成导电虚置多晶硅（11b）。该虚置多晶硅（11b）可连接到发射电极（12）。因此，可设置即使在施加到集电极和发射极之间的电压为低的情况下也具有小的镜像电容的绝缘栅半导体器件。
半导体器件

[发明专利]避免电路短路的改良多晶硅虚置技术-CN201510814966.3有效
发明人：洪庆文;黄志森;邹世芳;陈意维;郑永丰;黄莉萍;黄俊宪;黄家纬;郭有策 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种避免电路短路的改良多晶硅虚置技术，其中本发明提供一种鳍状晶体管SRAM存储元件，以及制作上述元件的方法，可防止当部分金属接触件靠近相邻虚置边缘单元的虚置栅极时，电流在位单元的金属接触件之间通过虚置栅极所产生的短路现象本发明一实施例，通过一经改良的栅极空槽图案，延伸邻近位单元的一或多个栅极空槽的长度，以在图案化栅极层的过程中，图案化并区段化靠近主动存储器单元的金属接触件的虚置栅极线。在另一实施例中，图案化栅极层的过程中，调整相邻主动存储器单元的一或多条虚置栅极之间的距离，使得位于虚置边缘单元内的虚置栅极远离主动存储器单元的金属接触件。
避免电路短路改良多晶硅虚置技术

[发明专利]避免电路短路的改良多晶硅虚置技术-CN202011146335.6有效
发明人：洪庆文;黄志森;邹世芳;陈意维;郑永丰;黄莉萍;黄俊宪;黄家纬;郭有策 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明公开一种避免电路短路的改良多晶硅虚置技术，其中本发明提供一种鳍状晶体管SRAM存储元件，以及制作上述元件的方法，可防止当部分金属接触件靠近相邻虚置边缘单元的虚置栅极时，电流在位单元的金属接触件之间通过虚置栅极所产生的短路现象本发明一实施例，通过一经改良的栅极空槽图案，延伸邻近位单元的一或多个栅极空槽的长度，以在图案化栅极层的过程中，图案化并区段化靠近主动存储器单元的金属接触件的虚置栅极线。在另一实施例中，图案化栅极层的过程中，调整相邻主动存储器单元的一或多条虚置栅极之间的距离，使得位于虚置边缘单元内的虚置栅极远离主动存储器单元的金属接触件。
避免电路短路改良多晶硅虚置技术

[发明专利]栅极结构的制造方法-CN201010241532.6有效
发明人：冯家馨;王海艇;蔡瀚霆;郑振辉;吕伟元;罗先庆;陈冠仲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极结构的制造方法包括：提供一硅基板；沉积并图案化一虚置氧化层和一虚置栅极电极层于基板上；形成一牺牲层环绕虚置氧化层和虚置栅极电极层；形成一含氮介电层环绕牺牲层；形成一层间介电层环绕含氮介电层；移除虚置栅极电极层；移除虚置氧化层；移除牺牲层以形成一开口于含氮介电层中；沉积一栅极介电层；以及沉积一栅极电极。
栅极结构制造方法

[发明专利]半导体布局结构及其设计方法-CN201510545866.5有效
发明人：吴俊贤;许振贤;王伟任;陈建孚;陈建宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06F30/00 文献下载
摘要：随后于该第一主动特征组的两侧设置一对第一虚置特征，以形成一第一元件图案。该对第一虚置特征包含有一第一虚置特征宽度，且该第一主动特征组与该对第一虚置特征之间分别定义有一第一间距与一第三间距。该第一元件图案包含有一第一元件宽度与一第一多晶硅间隔，且该第一元件宽度为该第一多晶硅间隔的整数倍。上述接收该第一主动特征组以及设置该对第一虚置特征等步骤进行于至少一电脑辅助设计工具中。
半导体布局结构及其设计方法

[发明专利]金属栅极堆叠的形成方法及具有金属栅极堆叠的集成电路-CN200910168339.1有效
发明人：钟昇镇;郑光茗;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体元件的金属栅极堆叠的形成方法及具有金属栅极堆叠的集成电路，该方法包括于半导体基底上形成高介电常数材料层；于高介电常数材料层上形成导电材料层；采用多晶硅于n型场效应晶体管区形成第一虚置栅极及于p型场效应晶体管区形成第二虚置栅极；于半导体基底上形成层间介电材料；对半导体基底进行第一化学机械研磨工艺；自第一虚置栅极移除多晶硅以形成第一栅极沟槽；形成n型金属至第一栅极沟槽；对半导体基底进行第二化学机械研磨工艺；自第二虚置栅极移除多晶硅以形成第二栅极沟槽；形成p型金属至第二栅极沟槽；以及对半导体基底进行第三化学机械研磨工艺。
金属栅极堆叠形成方法具有集成电路

[发明专利]集成电路装置的形成方法-CN202010128436.4在审
发明人：周智超;江国诚;朱熙甯;蓝文廷;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明实施例的方法包括接收基板，其包括第一半导体层、第二半导体层、与第三半导体层；形成多个鳍状物于第三半导体层上；形成沟槽于两个鳍状物之间；沉积虚置材料于沟槽中；形成栅极结构于鳍状物的通道区上；形成源极/漏极结构于鳍状物的源极/漏极区上；接合基板至承载晶圆上；移除第一半导体层与第二半导体层以露出虚置材料；移除沟槽中的虚置材料；沉积导电材料于沟槽中；以及接合基板至硅基板，使导电材料接触硅基板。
集成电路装置形成方法

[发明专利]半导体工艺所用的方法-CN201910281681.6在审
发明人：林宗达;侯承浩;张哲豪;于雄飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：在一实施例中，方法包括顺应性地形成栅极介电层于自基板延伸的鳍状物上，且栅极介电层沿着鳍状物上的栅极间隔物的侧壁；在采用含硅前驱物与含氟、氘、或上述的组合的掺质气体的沉积工艺时，顺应性地沉积虚置层于栅极介电层上，且沉积的虚置层包括氟、氘、或上述的组合的掺质；进行热工艺，以自虚置层驱动掺质至栅极介电层中；移除虚置层；以及形成一或多个含金属层于栅极介电层上。
栅极介电层掺质沉积鳍状物半导体工艺含硅前驱物栅极间隔物含金属层形成装置栅极工艺栅极结构热工艺侧壁含氟基板移除置换驱动延伸

[发明专利]鳍状场效晶体管结构及其形成方法-CN201710173984.7有效
发明人：黄彦钧;彭治棠;彭辞修;黄泰钧;许光源;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：氧化物材料可为浅沟槽隔离氧化物或低应力的虚置填隙材料。通过蚀刻品可移除鳍状片段，并保留凹陷状(如u型或v型)的硅部分于鳍状物底部。当氧化物材料为虚置的填隙材料时，可移除虚置的填隙材料以置换成浅沟槽隔离氧化物；或者将虚置的填隙材料转变成浅沟槽隔离氧化物，并在上述转变步骤之前或之后填入替换的浅沟槽隔离氧化物。
鳍状场效晶体管结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构的制造方法-CN201810272560.0在审
发明人：沈香谷;鄞金木;萧琮介;庄家霖;游力蓁;陈殿豪;王士玮;余德伟;陈建豪;卢柏全;李志鸿;徐志安;洪敏修;黄鸿仪;周俊诚;庄英良;黄彦钧;彭治棠;赵晟博;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：此外，上述方法包含形成源/漏极结构于鳍结构上，及沉积虚置材料层以覆盖源/漏极结构。上述方法亦包含移除虚置材料层以露出源/漏极结构及鳍间隙物。虚置材料层包含锗、非晶硅或旋涂碳。
源/漏极鳍结构材料层间隙物半导体装置结构硅化物层栅极结构侧壁栅极间隙非晶硅接触物基底旋涂移除沉积制造覆盖

[发明专利]具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构及制作方法-CN201910513786.X有效
发明人：李华高;王小东;雷仁芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构及制作方法。所述具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构包括衬底、外延层、沟道和沟阻，所述外延层设在衬底上，所述沟道和沟阻均设在外延层上，所述沟道的两侧均设有沟阻，所述沟道和沟阻上设有多晶硅栅电极和超薄铂硅虚相栅电极，所述多晶硅栅电极和超薄铂硅虚相栅电极交替排列设置，所述多晶硅栅电极与沟道和沟阻之间设有介质层，所述多晶硅栅电极上方设有氧化层，所述介质层下方注入有多晶硅下势阱,所述超薄铂硅虚相栅电极下方注入有铂硅虚相栅下势阱以及铂硅虚相栅下势垒本发明有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构可实现对对紫外光和软X射线高灵敏探测。
具有超薄铂硅虚相栅电极 ccd 结构制作方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010024867.6在审
发明人：吴旭升;刘昌淼;尚慧玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法包括形成虚置栅极堆叠于半导体基板之上，虚置栅极堆叠具有虚置栅极电极及虚置栅极介电层；形成间隔物元件于虚置栅极堆叠的侧壁之上；部分移除虚置栅极电极以形成凹槽；部分移除间隔物元件以扩大凹槽；移除虚置栅极电极的余留部分以露出虚置栅极介电层；在移除虚置栅极电极的余留部分之后掺杂间隔物元件；移除虚置栅极介电层；以及形成金属栅极堆叠于凹槽之中。
半导体装置形成方法

[发明专利]制作集成电路结构的方法-CN201910327232.0在审
发明人：詹易叡;林含谕;林立德;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括形成栅极间隔物于半导体基板上的虚置栅极结构的多个侧壁上；对栅极间隔物进行第一布植工艺，其中第一布植工艺包括以硅原子轰击栅极间隔物的上侧部分；在进行第一布植工艺之后，对栅极间隔物的上侧部分进行第二布植工艺，其中第二布植工艺包括以碳原子轰击栅极间隔物的上侧部分；以及在进行第二布植工艺之后，将虚置栅极结构取代为高介电常数的栅极介电层与金属栅极结构，其中将虚置栅极结构取代为高介电常数的栅极介电层与金属栅极结构的步骤包括形成层间介电层
布植工艺栅极间隔物虚置栅极结构金属栅极结构高介电常数栅极介电层轰击集成电路结构半导体基板硅原子介电层碳原子侧壁制作

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN200910163899.8无效
发明人：廖舜章;钟昇镇;郑光茗;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一包含虚置栅极结构(例如牺牲多晶硅栅极)的基材，一第一及第二硬掩模层位于此虚置栅极结构上方。在一实施例中，一应变区形成在此基材上。在形成此应变区之后，移除此第二硬掩模层。移除此虚置栅极结构并形成一金属栅极。本方法也可防止硅化物形成在虚置栅极结构上(例如在牺牲多晶硅上)。并且，本方法以硬掩模层作为化学机械研磨(CMP)工艺在平坦化层间介电层时的良好的停止层。
半导体元件制造方法

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