专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]烷基氨基硅烷的制造方法-CN201680012559.3有效
  • 田中亨 - 捷恩智株式会社
  • 2016-01-22 - 2021-05-11 - C07F7/10
  • 作为二烷基氨基硅烷的制造方法,在由氯硅烷与二烷基胺的反应而合成的方法中,除了目标二烷基氨基硅烷以外,还大量副产二烷基胺的盐酸盐,因此在获得目标二烷基氨基硅烷时,需防止由于大量溶剂所造成的体积效率降低,从而廉价地大量制造作为使二烷基胺与氯硅烷反应时的溶剂,使用对于反应中所副产的二烷基胺的盐酸盐及金属氯化物而言溶解度高的非质子极性溶剂,及二烷基氨基硅烷的溶解度高、难以溶解卤素化合物的直链状烃或分支状烃,藉此可体积效率高地制造卤素含量少的二烷基氨基硅烷
  • 烷基氨基硅烷制造方法
  • [发明专利]采用甲硅烷化作用形成图形的方法-CN93112925.7无效
  • 金铁洪;韩牛声 - 三星电子株式会社
  • 1993-11-08 - 2001-07-11 - G03F7/075
  • 一种形成图的方法,通过使用甲硅烷化光刻胶膜使工艺简化,保持了多层光刻胶膜工艺所具有的分辨率提高效果,其中在基片上形成第一光刻胶层,并使基片表面部分甲硅烷化、由此形成甲硅烷化层。然后在甲硅烷化层上形成第二光刻胶层,通过设有予定图形的光掩模对其曝光。显影之后形成第二光刻胶图形。随后以第二光刻胶图形作为蚀刻掩模,对甲硅烷化层深蚀刻,形成甲硅烷化图形。之后氧化甲硅烷化图形,利用氧化的甲硅烷化图形蚀刻第一光刻胶层,形成第一光刻胶图形。$#!
  • 采用硅烷化作形成图形方法
  • [发明专利]有机金属化合物-CN200710181801.2无效
  • H·蔡 - 伊利诺伊大学评议会
  • 2001-06-29 - 2008-03-12 - C07F15/06
  • ,4,5,6,7或8;m以及x按照各金属合适的化合价选择;各R1独立地选自氢,氘,N2,H2,D2以及各种取代的烷基;各R2独立地选自低级烷基,芳基,芳烷基,以及烷基-Z,芳基-Z以及芳烷基-Z;其中Z选自氧,甲硅烷,甲硅烷氧基,氧代甲硅烷,甲硅烷氧基,氧代甲硅烷氧基,甲硅烷烷基,氧代甲硅烷烷基,甲硅烷氧基烷基,氧代甲硅烷氧基烷基,甲硅烷烷氧基,甲硅烷烷氧基,甲硅烷氧基烷氧基以及氧代甲硅烷氧基烷氧基;以及其中当M是钴并且一个R1选自N2时,m是2
  • 有机金属化合物

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