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- [发明专利]一种高选择性硅烷基烯烃及其制备方法-CN202010010487.7有效
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冯璋;张欢;耿莎莎
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重庆大学
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2020-01-06
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2022-09-27
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C07F7/08
- 本发明提供了一种高选择性硅烷基烯烃及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将铁催化剂、配体和叔丁醇钠在密封条件下，进行两次氮气抽换气，得混合原料；再加入脂肪族偕二氟烯烃、三乙基(4,4,5,5‑四甲基‑1,3,2‑二氧杂硼烷‑2‑基)硅烷和有机溶剂，得反应物；淬灭后依次经萃取、干燥、过滤、真空浓缩、纯化，得高选择性硅烷基烯烃。本发明还提供了采用上述方法制得的高选择性硅烷基烯烃。本发明以铁催化对非活化的脂肪族偕二氟烯烃进行选择性硅烷化，高效合成区域和立体选择性可控的偕双硅烷基烯烃，以及Z/E选择性可控制的硅烷基化的氟代烯烃，有效解决了区域及立体选择性低和转化困难的问题。
- 一种选择性硅烷烯烃及其制备方法
- [发明专利]有机存储器-CN201010134970.2无效
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施毅;李昀;邱旦峰;曹立强;潘力嘉;濮林
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南京大学
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2010-03-29
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2010-08-18
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H01L51/05
- 所述有机存储器包括上、下电极和置于上、下电极之间的功能层，所述功能层包括相互隔离的上、下有机半导体层和上、下有机半导体层中间的烷基三氯硅烷自组装分子层，所述烷基三氯硅烷自组装分子层与上、下有机半导体层相接触作为优选方案，所述烷基三氯硅烷中烷基的碳原子数为3-12，更优选为6-12，最优选为辛烷基三氯硅烷。由于烷基三氯硅烷自组装分子层与有机半导体层界面处的陷阱电荷，能够起到对自组装材料层的势垒性质的调控，从而使得电荷穿越过这一势垒层的几率改变，最终得到具有电学存储效应的器件。
- 有机存储器
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