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[发明专利]烷氧基甲硅烷基化合物和包含其的非水电解液用添加剂、以及包含其的非水电解液以及非水电解液二次电池-CN202180071596.2在审
发明人：柴田翔;铃木扩哲;坂田基浩 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：烷氧基甲硅烷基化合物具有由包含醚基的链连接的2个以上的甲硅烷基，2个以上的甲硅烷基分别具有选自由烷氧基和氧烷基组成的组中的至少1种。烷氧基甲硅烷基化合物作为非水电解液用添加剂添加至非水电解液。
烷氧基甲硅烷化合物包含水电解液用添加剂以及二次电池

[发明专利]以乙烯基硅烷与双甲硅烷基氨基硅烷的水性混合物对金属表面的保护性处理-CN00810014.4有效
发明人： W·J·范欧伊吉;袁炜 -专利权人：辛辛那提大学
申请日： 2000-07-17 - 公布日： 2002-07-24 - 主分类号： C23C22/56 文献下载
摘要：本发明提供一种通过涂覆含有至少一种乙烯基硅烷和至少一种双甲硅烷基氨基硅烷的溶液来抑制金属表面腐蚀的处理金属表面的方法,以及提供一种含有至少一种乙烯基硅烷和至少一种双甲硅烷基氨基硅烷的水性组合物溶液和涂敷有硅烷的金属表面,其中所述乙烯基硅烷和所述双甲硅烷基氨基硅烷是经部分或完全水解的。与优选的双－(三甲氧基甲硅烷基丙基)胺或双－(三乙氧基甲硅烷基丙基)胺一起结合使用的优选的乙烯基硅烷包括乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷和乙烯基三乙氧基硅烷。
乙烯基硅烷氨基水性混合物金属表面保护性处理

[发明专利]新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途-CN201810547407.4在审
发明人： J.泰赫曼;M.瓦纳;H-W.莱尔纳 -专利权人：赢创德固赛有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C07F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途。具体地，本发明涉及新型化合物氯甲硅烷基芳基锗烷及制备氯甲硅烷基芳基锗烷的方法及其用途，和用于制备三氯甲硅烷基三氯锗烷的方法及其用途。
氯甲硅烷基芳基锗烷制备新型化合物氯锗烷

[发明专利]新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途-CN202210457317.2在审
发明人： J.泰赫曼;M.瓦纳;H-W.莱尔纳 -专利权人：赢创运营有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C07F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及新型的氯甲硅烷基芳基锗烷、其制备方法及其用途。具体地，本发明涉及新型化合物氯甲硅烷基芳基锗烷及制备氯甲硅烷基芳基锗烷的方法及其用途，和用于制备三氯甲硅烷基三氯锗烷的方法及其用途。
新型硅烷基芳基锗烷制备方法及其用途

[发明专利]三烷基甲硅烷基腈的制备-CN94102423.7无效
发明人：杰拉尔德·Ｌ·拉森;拉姆Ｒ·哈瓦拉;托马斯·Ｖ·约翰;奇特瑞·Ｓ·苏布拉马尼亚姆 -专利权人：美国于勒氏股份有限公司
申请日： 1994-02-02 - 公布日： 1999-03-03 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：三烷基甲硅烷基腈是通过一定化学计算当量的三烷基甲硅烷基卤化物。六烷基二硅氮烷或三烷基甲硅烷基胺，和氰化氢进行无水反应，并可存在或不存在溶剂或惰性气体中进行。
烷基硅烷制备

[发明专利]一种金属表面处理剂-CN201310453240.2无效
发明人：应兴隆 -专利权人：宁波英科特精工机械股份有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C23C22/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属表面处理剂，由氟化钛、硝酸锆、氟化锆、氨基硅烷、1，2-二（三乙氧基甲硅烷基）乙烷和二（三乙氧基甲硅烷基）己烷组成；氟化钛、硝酸锆和氟化锆以金属元素换算占处理剂总量的110-140ppm或550-650ppm，其中，氟化钛与硝酸锆和氟化锆的金属元素原子的比为1：1-1：3，硝酸锆和氟化锆的金属元素原子的比为2：5；氨基硅烷与1，2-二（三乙氧基甲硅烷基）乙烷和二（三乙氧基甲硅烷基）己烷以摩尔比为17：3-9：1，其中，1，2-二（三乙氧基甲硅烷基）乙烷和二（三乙氧基甲硅烷基）己烷以摩尔比为1：1。
一种金属表面处理

[实用新型]一种合成氨基硅烷装置中的原料处理机构-CN201220299840.9有效
发明人：邱小魁;席日勇;张国强;梅龙 -专利权人：安徽硅宝翔飞有机硅新材料有限公司
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种合成氨基硅烷装置中的原料处理机构，包括有烷基胺进料釜、卤硅烷加料釜、烷基胺蒸汽冷凝器、卤硅烷蒸汽冷凝器和废气吸收装置，烷基胺进料釜和卤硅烷加料釜的蒸汽出口通过管路分别与烷基胺蒸汽冷凝器和卤硅烷蒸汽冷凝器的蒸汽进口相连通；烷基胺蒸汽冷凝器和卤硅烷蒸汽冷凝器的废气出口分别通过管路与废气吸收装置中的吸废气口连通；烷基胺进料釜和卤硅烷加料釜的出料口外连通有供料管，供料管上分别安装有流量器。本实用新型结构简单，设计合理，采用双釜式反应系统，降低其它氨基硅烷副产物的生成量，可以有效缩短氨基硅烷与原料的共沸时间，可以使氨基硅烷的副产物减少，增加产品含量，提高主产品的收率，特别适合高品质的氨基硅烷生产
一种合成氨基硅烷装置中的原料处理机构

[发明专利]包含硅烷的柔性湿式摩擦材料-CN202080017806.5有效
发明人：穆拉特·巴干;拉希德·阿拉哈蒂;胡荣峰 -专利权人：舍弗勒技术股份两合公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： F16D69/02 文献下载
摘要：所述方法还包括用包含硅烷的硅烷溶液浸透基底以形成均匀浸渍的硅烷基体。所述方法还包括使均匀浸渍的硅烷基体固化以形成经固化的均匀浸渍的硅烷基体。所述方法还包括用酚醛树脂溶液浸透经固化的均匀浸渍的硅烷基体以形成均匀浸渍的硅烷、酚醛树脂基体。所述方法还包括使均匀浸渍的硅烷、酚醛树脂基体固化以形成摩擦材料。
包含硅烷柔性摩擦材料

[发明专利]三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基-三氯甲锗烷及其制备方法-CN202211447218.2在审
发明人： J.泰希曼;M.瓦格纳;H-W.莱尔纳 -专利权人：赢创运营有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备锗‑硅‑层的三苯基甲锗烷基甲硅烷和三氯甲硅烷基‑三氯甲锗烷及其制备方法。用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)或作为甲硅烷基团(SiH3)的转移剂的三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph3Ge‑SiH硅烷基‑三苯基甲锗烷(Ph3Ge‑SiCl3)来制备三苯基甲锗烷基甲硅烷(Ph)与氯化氢(HCl)反应来制备三氯甲硅烷基三氯甲锗烷(Cl3Ge‑SiCl3)的方法。三氯甲硅烷基三氯甲锗烷用于制备锗‑硅‑层(Ge‑Si)的用途。
苯基烷基硅烷三氯甲三氯甲锗烷及其制备方法

[发明专利]氟烷基甲硅烷基化的MQ树脂和含有它的耐溶剂性压敏粘合剂组合物-CN200680011915.6无效
发明人：罗伊·梅尔文·格里斯沃尔德;理查德·保罗·埃克贝格 -专利权人：莫门蒂夫功能性材料公司
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： C08G77/24 文献下载
摘要：通过使MQ树脂与氟烷基硅烷反应得到氟烷基甲硅烷基化的MQ树脂。含有作为增粘剂的所述氟烷基甲硅烷基化的MQ树脂、和任选含硅橡胶(例如氟硅橡胶)的压敏粘合组合物表现出高水平的耐溶剂性。
烷基硅烷 mq 树脂含有溶剂性压敏粘合剂组合

[发明专利]防污涂料组合物-CN202080064367.3在审
发明人：和久英典 -专利权人：日东化成株式会社
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C09D171/00 文献下载
摘要：根据本发明，可提供一种防污涂料组合物，其含有烷氧基甲硅烷基烷基末端改性聚醚(A)，烷氧基甲硅烷基烷基末端改性聚醚(A)由烷氧基甲硅烷基烷基与聚醚链末端的氧原子键合而构成。
防污涂料组合

[发明专利]甲基甲硅烷基衍生的二氧化硅颗粒、胶体、其制备方法和包含其的套组-CN201680013893.0在审
发明人： A·特恩克罗纳;P·D·赫尔;P·H·J·格林伍德 -专利权人：阿克苏诺贝尔化学品国际有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C01B33/146 文献下载
摘要：本发明公开了甲基甲硅烷基衍生的二氧化硅颗粒。所述甲基甲硅烷基衍生的二氧化硅颗粒在所述二氧化硅颗粒表面上具有处于1至6μmol m‑2之间的范围内的甲基甲硅烷基含量。还公开了包含所述甲基甲硅烷基衍生的二氧化硅颗粒的胶态二氧化硅。公开用于制备所述甲基甲硅烷基衍生的二氧化硅颗粒的方法。还公开了包含所述甲基甲硅烷基衍生的二氧化硅颗粒的用于涂层的套组。
甲基硅烷衍生二氧化硅颗粒胶体制备方法包含

[发明专利]用于天然气升级的高选择性聚降冰片烯均聚物膜-CN201780014370.2有效
发明人：本杰明·J·桑德尔;约翰·A·劳伦斯三世 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： B01D53/22 文献下载
摘要：提供了交联的烷氧基甲硅烷基聚降冰片烯均聚物和制备交联的烷氧基甲硅烷基聚降冰片烯均聚物的方法的实施例，其中所述方法包含：通过加成聚合或开环易位聚合，使包含烷氧基甲硅烷基部分的降冰片烯单体在催化剂存在下聚合以产生烷氧基甲硅烷基改性的聚降冰片烯均聚物，和在环境条件或酸催化条件下通过溶胶‑凝胶引发所述烷氧基甲硅烷基改性的聚降冰片烯均聚物交联以产生交联的烷氧基甲硅烷基聚降冰片烯均聚物。
烷氧基甲硅烷基聚降冰片烯均聚物交联改性降冰片烯单体开环易位聚合高选择性加成聚合酸催化凝胶催化剂制备聚合天然气升级

[发明专利]一种硅烷膏体及其制备方法-CN201710606761.5有效
发明人：王胜年;岑文杰;熊建波;范志宏 -专利权人：中交四航工程研究院有限公司;广州港湾工程质量检测有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C09D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅烷膏体的制备方法，其包括以下步骤：配料，烷基硅烷80.0～85.0份、复配高效自增稠乳化剂0.2～0.4份、去离子水14.6～19.8份；在去离子水中加入第一部分的复配高效自增稠乳化剂，超声分散得到复配高效自增稠乳化剂水溶液A；在烷基硅烷中加入余量的复配高效自增稠乳化剂，超声分散得到复配高效自增稠乳化剂烷基硅烷溶液B；往复配高效自增稠乳化剂水溶液A中缓慢滴加复配高效自增稠乳化剂烷基硅烷溶液B，硅烷膏体生成后，继续超声乳化12～18分钟，降至室温保存。本发明采用超声乳化技术，使烷基硅烷和去离子水在微量的乳化剂作用下充分乳化成均匀的高纯度硅烷膏体，活性成份烷基硅烷含量为80％以上，充分发挥烷基硅烷的防水、防腐功能。
一种硅烷及其制备方法

[发明专利]包含卡宾-过渡金属配合物发射体和至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物的有机发光二极管-CN200880104631.0有效
发明人： N·兰格尔;K·卡勒;C·伦纳茨;O·莫尔特;E·福克斯;J·鲁道夫;C·席尔德克内希特;渡边宗一;G·瓦根布拉斯特 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。
包含过渡金属配合发射至少一种选自二甲硅烷基咔唑基二苯呋喃噻吩