专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种硅烷化处装置-CN202310597910.1在审
  • 张锦麟;谷红宇;吕少波;齐振一;宋力昕 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 2023-05-25 - 2023-09-12 - B01J19/00
  • 本发明公开了一种硅烷化处装置,包括壳体和至少两个导液管,其中壳体的内部开设有反应槽,反应槽用于放置待硅烷化处样件和硅烷试剂,使待硅烷化处样件浸泡于硅烷试剂内,壳体内还设置有若干加热板,加热板均对应分布于反应槽外的两侧,导液管均设置于反应槽内对应待硅烷化处样件的两侧,导液管上均开设有若干导液孔,导液管通过软管连接,软管上还连通有动力泵,若干导液管、软管与反应槽形成闭环管路,使得硅烷试剂能够在动力泵的驱动下于闭环管路内以预定流速进行循环流动,本发明解决了现有技术中处理样品的硅烷化效果不佳的问题,有效提升了产品硅烷化的良品率,为后续的已硅烷化处的产品的使用提供有效保障。
  • 一种硅烷处理装置
  • [实用新型]硅烷废水处理系统-CN202220050683.1有效
  • 杨娟;韩亮;童波 - 江苏三一环境科技有限公司
  • 2022-01-10 - 2022-07-05 - C02F9/14
  • 本实用新型涉及废水处理领域,提供了硅烷废水处理系统,包括:物化处子系统,包括依次连接的硅烷废水调节池、混凝反应池、斜管沉淀池、絮凝气浮池和pH反调监测池;生化处子系统,包括依次连接的生化调节池、水解酸化池、多级接触氧化池和二沉池;pH反调监测池与生化调节池连接,以向生化调节池中输送硅烷处理合格水。本实用新型的硅烷废水处理系统,首先通过物化处子系统来对硅烷废水进行包括混凝工序、沉淀工序、絮凝气浮工序、pH调节工序的物化处。然后将合格水通入生化处子系统,进行包括水解酸化工序、接触氧化工序、沉淀工序的生化处。由此实现对硅烷废水的有效处理,实现稳定达标排放、操作简便、能耗较少的效果。
  • 硅烷废水处理系统
  • [发明专利]一种金属表面硅烷化处剂及其应用-CN202310006104.2在审
  • 冯琼华;王成;张力;黄天次 - 湖北新蓝天新材料股份有限公司
  • 2023-01-04 - 2023-04-14 - C23C22/62
  • 本发明公开了一种金属表面硅烷化处剂,由硅烷处理剂A和硅烷处理剂B组成;将乙烯基硅烷、硅酸酯类硅烷混合得硅烷混合液,将硅烷混合液与去离子水和醇类溶剂混合均匀,在室温下进行水解反应,即得硅烷处理剂A;将氨基硅烷与去离子水和醇类溶剂混合均匀,在室温下进行水解反应,即得硅烷处理剂B;本发明还提供了一种金属表面硅烷化处剂的应用,包括以下步骤:将金属用脱脂剂处理,然后水洗;随后用除锈剂处理,然后水洗、吹干;将预处理后的金属浸入硅烷处理剂A中,取出沥干;再浸入硅烷处理剂B中,取出吹干即可;本发明提供的硅烷化处剂,能够极大提升基体与有机涂层的结合力,且硅烷膜固化温度低、时间短,适合于工业生产。
  • 一种金属表面硅烷处理及其应用
  • [发明专利]一种薄膜硅烷化表面改性系统-CN202310598021.7在审
  • 吕少波;谷红宇;王枫;郑刚;张锦麟;宋力昕 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 2023-05-25 - 2023-08-22 - C08J7/12
  • 本发明公开了一种薄膜硅烷化表面改性系统,包括薄膜固定装置、薄膜硅烷化处装置和薄膜热处理装置,其中薄膜固定装置包括固定框,固定框的内框上设置有若干夹持组件,夹持组件用于将待处理薄膜固定并延展于固定框上,薄膜硅烷化处装置包括第一壳体,第一壳体开设有第一容纳腔,第一容纳腔内设置有反应容器,反应容器内开设有反应槽,反应槽内充满硅烷试剂,反应容器上对应反应槽的两侧还设置有第一加热装置,反应槽与固定框相匹配,使待处理薄膜可通过固定框在反应容器内展开并进行硅烷化处,薄膜热处理装置,用于加热烘干处理硅烷化处的待处理薄膜,解决了现有技术中薄膜硅烷化表面改性系统无法处理大尺寸的薄膜的问题。
  • 一种薄膜硅烷表面改性系统
  • [发明专利]一种金属表面硅烷化处剂及其表面硅烷化处的工艺方法-CN201110094961.X无效
  • 龚向光 - 龚向光
  • 2011-04-15 - 2011-09-14 - C09D183/04
  • 本发明涉及一种在金属表面硅烷化处剂及用其在金属表面硅烷化处的工艺方法,特别是用于代替或部分代替传统锌系磷化和铁系磷化的无磷处理金属表面的方法。所述金属表面硅烷化处剂包括机硅烷、有机酸、醇、促进剂和去离子水,混合的硅烷醇溶液在金属基体上产生表面保护膜,使用本发明的表面硅烷化处剂进行处理不需要加温,不含磷、无沉渣产生、不含重金属、节能、管理简便,能为金属基材与聚酯型、环氧型、丙烯酸型等多种涂料结合提供优越的附着力,本发明特别适用于冷轧钢、锌、铁、铝和铝合金表面进行无磷环保的转化膜处理
  • 一种金属表面硅烷处理及其表面工艺方法
  • [发明专利]一种植酸-巯基硅烷钝化液以及制备和钝化处方法-CN202310698098.1在审
  • 刘雪峰;李清伟;王文静 - 北京科技大学
  • 2023-06-13 - 2023-10-10 - C25D11/00
  • 本发明公开了一种植酸‑巯基硅烷钝化液以及制备和钝化处方法,属于铜及铜合金表面处理技术领域。植酸‑巯基硅烷钝化液由植酸、巯基硅烷、交联剂和缓蚀剂组成。将植酸、巯基硅烷、交联剂、缓蚀剂加入去离子水和无水乙醇中恒温水解制备植酸‑巯基硅烷钝化液。将表面预处理后的铜及铜合金放入植酸‑巯基硅烷钝化液中进行阳极电沉积处理或浸渍处理,经双级固化处后在铜及铜合金表面得到植酸‑巯基硅烷钝化膜。植酸‑巯基硅烷钝化液成分简单,体系稳定,价格低廉;植酸‑巯基硅烷钝化液的制备方法简单,易于操作;钝化处方法工艺流程短,制备效率高,节约水资源;植酸‑巯基硅烷钝化膜结构均匀致密,具有优异的铜及铜合金抗腐蚀和防氧化作用
  • 种植巯基硅烷钝化以及制备处理方法
  • [发明专利]通用金属表面硅烷化处剂及其制备方法和应用-CN200910042568.9无效
  • 何德良;王名浩;崔正丹;徐以兵;舟舟 - 湖南大学
  • 2009-01-21 - 2009-07-08 - C23C22/05
  • 本发明公开了一种通用金属表面硅烷化处剂及其制备方法和应用。是取5-20体积的有机溶剂,5-20体积硅烷偶联剂,均匀混合,得到硅烷主体溶液,将预先调节好pH的去离子水100体积注入硅烷主体溶液中,得到复相混合液;控制复相混合液的温度在20-60℃,水解反应0.5-12小时;冷却至室温,待清晰分层后分液,水相为金属表面硅烷化处剂;有机相可补充硅烷偶联剂后再重复使用。本发明可降低成本;使用安全;生产设备简单,操作方便;可以处理的金属包括钢、镀锌钢、铜、锌、铝、铝合金、镁合金等。处理效果好,抗水解、抗擦洗、抗盐雾能力强,对金属的保护周期长;大大提高和增强了硅烷化处技术的实际应用价值,推动了金属表面硅烷化处技术的工业化发展。
  • 通用金属表面硅烷处理及其制备方法应用
  • [发明专利]一种铜箔表面水溶性大分子硅烷化处剂、制备方法及其应用-CN202111333930.5有效
  • 张王兵;赵万鑫;杨新安 - 安徽工业大学
  • 2021-11-11 - 2023-07-25 - C23C22/02
  • 本发明涉及铜箔表面处理领域,具体涉及一种铜箔表面水溶性大分子硅烷化处剂、制备方法及其应用,利用二甲基二乙氧基硅烷(DMDES)或三甲基乙氧基硅烷(TMES)对目标分子量的聚硅氧烷‑聚丙烯酸互穿网络聚合物进行封端,通过原位聚合形成的互穿网络聚合物具有致密性;DMDES和TMES具有低活性位点的特效,可起到阻聚效果,使互穿网络聚合物保持水溶性,通过试验发现,硅烷化处剂保存时间延长;另外通过电化学表征发现,铜箔表面阻抗增大,硅烷膜抗电化学腐蚀能力增强,具有令人满意的抗腐蚀性,即使溶液环境(pH、温度、离子浓度等)发生剧烈变化依旧不会产生凝胶;硅烷化处剂可保存2个月以上,经硅烷化处剂的铜箔耐化学腐蚀性提高。
  • 一种铜箔表面水溶性大分子硅烷处理制备方法及其应用

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