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[发明专利]柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法-CN202010071226.6有效
发明人：李连碧;臧源;陈鸿;胡继超;林生晃;张国青;蒲红斌;封先锋;宋立勋;涂喆研;李泽斌;徐永康;王蓉 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结
柔性石墨烯基硅纳米线异质结制备转移方法

[发明专利]一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器及其制作方法-CN201710431610.0有效
发明人：邓涛;张兆浩 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器，包括单晶硅衬底；形成于单晶硅衬底上的应力层；形成于应力层上的异质结，异质结包括顺序设置的栅电极、第一石墨烯层、介电层、第二石墨烯层、与栅电极平行且等距的源电极和漏电极层结构；应力层使得异质结自组装为微管式三维结构；在上述结构上形成电流测量回路。本发明还公开一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器的制作方法。通过三维微管结构可以大幅度减小芯片的占用面积，提高单层石墨烯的光吸收率以及光利用率，大幅提高石墨烯光探测器的响应度。
一种基于石墨微型宽带探测器及其制作方法

[发明专利]一种基于石墨烯/超薄硅/石墨烯异质结的颜色探测器及其制备方法-CN202010867079.3有效
发明人：罗林保;方婷;林亚楠;刘佳音;李春燕 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯/超薄硅/石墨烯异质结的颜色探测器及其制备方法，该颜色探测器是由两个相同的石墨烯‑超薄硅‑石墨烯异质结单元上下叠合而成，在光照下，下层异质结单元与上层异质结单元的电流比，随被探测光波长的增大而增大
一种基于石墨超薄烯异质结颜色探测器及其制备方法

[实用新型]一种硅烯三端异质结的谷电子过滤器件-CN201921024476.3有效
发明人：任重丹;吴娅 -专利权人：遵义师范学院
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及谷电子过滤技术领域，且公开了一种硅烯三端异质结的谷电子过滤器件，包括过滤器主体，所述过滤器主体的底部左右两侧均固定安装有数量为两个的支撑块，所述支撑块内开设有空腔，所述支撑块底部活动连接有贯穿支撑块并延伸至空腔内的活动杆，所述活动杆底部固定安装有位于支撑块底部的车轮，所述活动杆外套接有位于支撑块与车轮之间的第一弹簧，所述活动杆位于空腔内的一端固定安装有活动板。该硅烯三端异质结的谷电子过滤器件，解决了目前市场上的硅烯三端异质结的谷电子过滤器件不便于移动，而且在移动时没有有效的减震装置，容易在移动过程中造成谷电子过滤器件内部零件故障，给使用者带来极大的不便的问题
一种硅烯三端异质结电子过滤器件

[发明专利]一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池-CN201710616077.5有效
发明人：刘辉;刘聪贤;朱眉清 -专利权人：南通鸿图健康科技有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池。所述PIN异质结太阳能电池由下至上依次包括背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、本征非晶锗层、P型黑磷烯层、透明导电层和上电极，其中N型硅纳米线阵列、本征非晶锗层和P型黑磷烯层形成的PIN异质结为径向异质结本发明的电池结构简单，硅纳米线阵列的设置提高了该太阳能电池对太阳光的吸收效率，黑磷烯作为新型二维半导体材料，与N型硅纳米线阵列以及本征非晶锗层形成PIN异质结，可以有效的进行光电转换，且径向结构的设置，
一种黑磷 pin 异质结太阳能电池

[实用新型]一种异质结硅基太阳能电池-CN201320198901.7有效
发明人：杨建国;周莹;杜学国;张东;刘玉海;田娜;周莉莉 -专利权人：巨力新能源股份有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结硅基太阳能电池，其包括由非晶硅与晶体硅构成的异质结本体，在异质结本体的正面和背面分别镀有石墨烯薄膜，石墨烯薄膜的外端面上制作有电极。
一种异质结硅基太阳能电池

[发明专利]一种石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜及其制备方法-CN202210182771.1在审
发明人：张璐 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2022-02-27 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜及其制备方法，方法包括：对铜箔衬底和二氧化硅/硅衬底分别进行清洁处理；在处理完成的铜箔衬底上生长石墨烯薄膜；将生长完成的石墨烯薄膜从处理完成的铜箔衬底上转移至处理完成的二氧化硅/硅衬底上，以得到沉积石墨烯薄膜的二氧化硅/硅衬底；在沉积石墨烯薄膜的二氧化硅/硅衬底上生长二硫化钼薄膜，以得到石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜。本发明通过在沉积石墨烯薄膜的二氧化硅/硅衬底上生成二硫化钼，得到大面积连续高质量的二维二硫化钼薄膜，使得在范德瓦尔斯力的作用下，石墨烯和二硫化钼自然形成范德瓦尔斯异质结，得到大面积连续高质量的石墨烯/二硫化钼异质结半导体薄膜
一种石墨二硫化钼异质结半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]基于单晶硅纳米膜/石墨烯的柔性光电探测器及制备方法-CN201911405518.2有效
发明人：吕朝锋;陆明;徐杨;茅仁伟;刘粒祥 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明公开一种基于单晶硅纳米膜/石墨烯的柔性光电探测器及制备方法，该光电探测器由聚酰亚胺衬底、金属互连导线、单晶硅纳米薄膜、单原子层石墨烯以及顶层聚酰亚胺组成。本发明基于体硅/石墨烯肖特基异质结光电探测器优异性能的基础上，将体硅减薄到纳米级尺度，使原本大而坚硬的固体硅变得薄而柔且可实现较大程度上的弯曲，经柔性封装材料聚酰亚胺封装后，在保留体硅/石墨烯异质结优异光电探测性能的基础上，还具有了超薄、柔性的优点，结合聚酰亚胺的高绝缘性和良好的生物相容性，大大拓宽了硅/石墨烯异质结光电探测器的应用领域，尤其是生物医学领域、可穿戴电子设备领域等。
基于单晶硅纳米石墨柔性光电探测器制备方法

[发明专利]一种二维材料异质结及其性能分析方法和用途-CN202010735693.4有效
发明人：李兴冀;李伟奇;杨剑群;应涛;庞凯娟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料异质结及其性能分析方法，以及所述异质结在半导体和光电能量转化方面的用途。所述二维材料异质结包括：包括Janus二维材料的第一二维材料；以及包括硅烯的第二二维材料；第一二维材料和第二二维材料纵向堆叠。本发明提供的异质结不仅可以利用不同材料自身的卓越性能，而且可以克服单一二维材料的缺陷，通过Janus二维材料与硅烯的相互作用，打开硅烯的带隙，使得二维材料的能量谱分布相对于构成其的两种组分的各自单独的性质发生明显改变异质结的性能分析方法基于含时密度泛函理论和随机相位近似进行电子能量损失谱谱分析，步骤简单、易于操作，为基于打开带隙为目的的异质结设计提供快速的分析途径和有力支持。
一种二维材料异质结及其性能分析方法用途

[发明专利]一种石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器结构-CN201710578169.9在审
发明人：张永哲;邓文杰;游聪娅;刘北云;陈永锋;申高亮 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-07-16 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，属于光电探测技术领域。光电探测器至少包括硅/二氧化硅衬底，薄层石墨烯材料以及薄层二硫化钼材料组成的沟道材料，还包括必要的金属电极及电极黏附层。在硅衬底上为二氧化硅层，二氧化硅层上为石墨烯‑二硫化钼异质结，其中石墨烯‑二硫化钼异质结中石墨烯和二硫化钼并行在二氧化硅层上，一侧为石墨烯一侧为二硫化钼，形成侧向连接石墨烯‑二硫化钼结型二维材料；在石墨烯和二硫化钼上分别通过电极黏附层粘结有金属电极石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器具有良好整流及光电特性。
一种石墨二硫化钼侧向异质结光电探测器结构

[发明专利]一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法-CN201310122729.1无效
发明人：贾锐;乔秀梅;丁武昌;陈晨;崔冬萌;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括：单晶硅衬底及形成于该单晶硅衬底上的p型或n型硅纳米柱；在该单晶硅衬底及该p型或n型硅纳米柱上依次形成的钝化膜、与硅纳米柱反型的非晶硅薄膜、石墨烯和TCO膜；在该TCO膜上制作的金属栅电极；以及在该单晶硅衬底背面制作的背电极。本发明综合了径向结电池和异质结电池的优点，利用异质结电池的高效率和低温工艺，间接降低了生产成本，同时径向结有效提高了光的吸收利用，提高光生载流子的收集效率，从而有效地提高电池的效率，同时利用异质结的低温工艺
一种石墨径向异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种混合等离子体波导的光电探测器-CN202010641914.1有效
发明人：黄旭光;张新;梁勇 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合等离子体波导的光电探测器，包括：衬底，所述衬底的上表面铺设有硅波导和第一金属电极，所述硅波导的上表面设有由黑砷磷薄膜和石墨烯薄膜相接触组成的异质结，所述异质结的上表面设有第二金属电极，所述石墨烯薄膜的一部分延伸离开硅波导，并与第一金属电极的上表面接触。待测光沿着硅波导进行长距离传输，在进行传输的过程中，待测光的消逝波会进入到石墨烯薄膜和黑砷磷薄膜所形成的异质结，从而被所述异质结吸收并进行光电转换。
一种混合等离子体波导光电探测器

[发明专利]与锗硅异质结NPN 三极管集成的PNP三极管-CN201110326307.7有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊;王永成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管。本发明通过在有源区的侧面上形成有基区引出区来引出基区，能避免在有源区的顶部形成多晶硅来引出基区，从而能不需要改变锗硅异质结NPN三极管的制作工艺就能实现PNP三极管和锗硅异质结NPN三极管的集成，能避免对锗硅异质结NPN三极管的制作产生影响，能保证不增加锗硅异质结NPN三极管的制作成本和不降低锗硅异质结NPN三极管的良率。
锗硅异质结 npn 三极管集成 pnp

[发明专利]一种基于石墨烯墙/硅复合异质结的光电探测器及其制备方法-CN201911010071.9在审
发明人：王怀昌;付永启;杨俊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯墙/硅复合异质结的光电探测器及其制备方法。在本发明中中，为了研究石墨烯墙/硅复合的光电探测器，用n掺杂的硅衬底制造了石墨烯墙/硅复合异质结的光电探测器，并采用两层光刻胶进行光刻，然后进行反应离子刻蚀(RIE)工艺，以实现基于石墨烯墙/硅复合的高质量石墨烯墙沟道和光电导探测器石墨烯墙和硅形成肖特基势垒，将光生电子‑空穴对分开。空穴进入石墨烯墙道，利用光致栅控效应，可以实现高的光响应增益。
石墨烯硅复合光电探测器空穴异质结反应离子刻蚀光电导探测器肖特基势垒光生电子光刻胶光响应硅衬底沟道光刻两层制备制造研究

[发明专利]柔性异质结薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201510190269.5在审
发明人：魏大鹏;焦天鹏;刘健;杨俊;史浩飞;杜春雷 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明公开了柔性异质结薄膜太阳能电池，包括厚度为3-30μm的单晶硅基底和覆盖在单晶硅基底上表面的石墨烯，所述单晶硅基底下表面设有金属背电极，所述单晶硅基底与石墨烯构成肖特基结。本发明制备柔性异质结薄膜太阳能电池的方法，首先减薄单晶硅至3-30μm，然后在单晶硅背面制备金属背电极，接着将石墨烯转移到单晶硅薄膜上表面，最后在石墨烯表面制备前电极得产品。本发明太阳能电池将石墨烯和单晶硅结合使用，形成肖特基结，石墨烯可以起到分离光生电子和空穴的作用，可以有效将太阳辐照转化为电能。
柔性异质结薄膜太阳能电池及其制备方法

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