“硅热法”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1411888个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种用于支撑硅热法竖罐的装置-CN202321251402.X有效
发明人：高倩;闫肃;杜源;许康;王晋华;吴军二 -专利权人：西安陕鼓动力股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C22B26/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于支撑硅热法竖罐的装置，包括两个分别套设在硅热法竖罐的轴向两端且结构相同的支撑机构；支撑机构包括依次套设在硅热法竖罐外壁上的支撑环和支撑托环，支撑环和支撑托环之间可转动设置有多个沿周向均匀分布的支撑结构；通过在硅热法竖罐的轴向两端设置支撑结构，便于对硅热法竖罐的两端进行支撑，达到了硅热法竖罐两端支撑稳定的目的；支撑结构中的电动液压油缸的伸缩端固定有压力传感器，便于硅热法竖罐支撑时每个电动液压油缸均通过压力传感器检测受力，便于调节硅热法竖罐支撑时的平衡力，防止了硅热法竖罐受热不均匀造成形变，解决了现有技术中支撑装置易造成硅热法竖罐变形导致硅热法竖罐稳定性差的技术问题。
一种用于支撑硅热法竖罐装置

[发明专利]一种多孔纳米硅的制备方法-CN201710280081.9有效
发明人：朱聪旭;柳浩锋;李婷婷;高远浩;杨晓刚;武玺旺;刘闯;铁伟伟;赵红晓;岳红伟 -专利权人：许昌学院
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔纳米硅的制备方法，包括以下步骤：化学气相沉积法制备镁二硅粉粗品，然后再用水热法处理镁二硅粉粗品，再将水热法处理后的产物纯化后即得到多孔纳米硅。本发明提供的多孔纳米硅的制备方法利用简单的设备，在相对较低的温度条件下，实现了大颗粒硅的多孔纳米化技术，大幅度降低了多孔纳米硅的制备成本。
一种多孔纳米制备方法

[发明专利]热法炼镁所用还原剂高硅铝合金的制取工艺-CN200910159923.0无效
发明人：王峰;李正涛;王建军;崔旭辉 -专利权人：登封电厂集团铝合金有限公司
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C22B5/04 文献下载
摘要：本发明热法炼镁所用还原剂高硅铝合金的制取工艺涉及一种用于合金的制取工艺。其目的是为了提供一种生产高硅铝合金的方法，用该方法生产出的高硅铝合金适宜作为新型热法炼镁还原剂。本发明热法炼镁所用还原剂高硅铝合金的制取工艺包括物料的制备冶炼和浇注与精整三个步骤，其中所使用的原料为FeSi90Al(3～1.5)牌号硅铁合金48～59％，Al含量为82～90％的废杂铝39～50％，
热法炼镁所用还原剂铝合金制取工艺

[发明专利]单晶硅直拉法热屏调整工艺-CN201310689227.7有效
发明人：小暮康弘;贺贤汉;彭海鹏;王汉君 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明单晶硅直拉法热屏调整工艺，包括如下步骤第一步，当化料完成并且温度稳定后热屏下降，此时热屏底端和坩埚内硅液表面的距离为10毫米～30毫米；第二步，热屏升高，此时热屏底端和坩埚内硅液表面的距离为130毫米～200毫米，待温度稳定后开始籽晶浸入熔体的过程；第三步，籽晶浸入熔体过程完成后，热屏下降，此时热屏底端和坩埚内硅液表面的距离为10毫米～30毫米。本发明单晶硅直拉法热屏调整工艺通过热屏悬挂系统对热屏的底端和硅液表面的距离值（GAP值）进行调整以达到抑制热冲击的目的，在籽晶浸入熔体前调整热屏的位置，减弱液面上下的温度差，从而减弱热冲击，抑制或降低新位错的产生
单晶硅直拉法热屏调整工艺

[发明专利]一种制取太阳能级硅的无卤硅烷法-CN201310130643.3有效
发明人：李绍光;顾玉山 -专利权人：李绍光;顾玉山
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C01B33/029 文献下载
摘要：一种制取太阳能级硅的无卤硅烷法，采用工业硅粉和无水甲醇(或乙醇)作原料，其特征在于它包括如下步骤(1)用硅粉与无水甲醇或乙醇反应制取三甲(乙)氧基硅烷；(2)使三甲(乙)氧基硅烷发生歧化反应制取甲硅烷；(3)用吸附和冷却方法分离、提纯甲硅烷；(4)使用甲硅烷热分解制取太阳能级多晶硅。本发明完全摒弃了金属氢化物法、三氯氢硅歧化反应法和硅镁合金法的工艺路线，与现有的需要使用卤族元素化合物即氟化物或氯化物参与反应的上述硅烷法不同，可以有效地避免卤族元素化合物对设备的腐蚀和对环境的污染。而甲硅烷热分解与三氯氢硅氢还原相对比，两者所能得到的硅比率相差很大，故其经济指标也远比西门子法要优，具有极大的社会效益和经济效益。
一种制取太阳能级硅烷

[发明专利]一种亲水性有机硅膜的制备方法-CN201610559429.3有效
发明人：徐荣;姜万;钟璟;张琪 -专利权人：常州大学
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： B01D71/06 文献下载
摘要：本发明属于有机硅膜材料领域，特别涉及一种亲水性有机硅膜的制备方法。首先通过有机硅源前驱体的水解聚合反应制备有机硅聚合溶胶；采用热涂法将硅锆溶胶擦涂在陶瓷支撑体上，高温条件下煅烧得到膜的过渡层；再采用热涂法将得到的有机硅聚合溶胶擦涂在过渡层上，涂完后煅烧得到有机硅膜；最后将有机硅膜在臭氧水溶液中浸泡得到改性后的有机硅膜
一种亲水性有机硅制备方法

[发明专利]用高镁低钛精矿制取钛铁、硅钛铁的方法-CN200710048313.4无效
发明人：梅卫东 -专利权人：梅卫东
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用高镁低钛精矿制取钛铁、硅钛铁的方法，该方法包括以下步骤：1)配制反应料；2)按铝热法进行第一次冶炼；3)冶炼结束后，放出钛铁液，铸锭，得到钛铁；4)加入硅铁，对炉内渣液用电硅热法进行第二次冶炼；5)冶炼结束后，放出全部熔液，铸锭，得到硅钛铁。本发明采用复合发热剂提高反应热，保持渣温，促使钛铁沉降，解决钛精矿中氧化镁含量高，渣溶点高，粘度大，钛铁沉降困难，出钛铁率低的问题；本发明可使铝热法冶炼后渣中残留的钛铁细粒及未还原的低价钛氧化物回收成硅钛铁，提高原料中钛的回收率；本发明两次冶炼在同一炉内进行，提高反应炉的使用效率；高温炉渣直接冶炼，可利用炉渣的物理热降低硅钛铁冶炼的能耗。
用高镁低钛精矿制取硅钛铁方法

[发明专利]钒铁炉渣贫化剂及其应用-CN90106462.9无效
发明人：白凤仁;王瑞林;禹宝贵;王相宝;惠兆生;陈重新;薄立群 -专利权人：锦州铁合金厂
申请日： 1990-12-11 - 公布日： 1991-05-22 - 主分类号： C21C7/06 文献下载
摘要：一种适合电硅热法冶炼钒铁用的炉渣还原贫化剂，它由铝、硅、铁等组成，其中含铝60-70％、硅20-30％、铁5-12％(重量百分比)。其密度为2.8-3.1，熔点为750--850℃。在电硅热法冶炼钒铁时，先用硅铁还原，使炉渣中含钒氧化物(折合钒)≤2％后，加入上述贫化剂，对炉渣中的钒氧化物进一步贫化还原，使炉渣含钒贫化到V2O5≤0.35％。
炉渣贫化及其应用

[发明专利]硅烷热分解法与改良西门子法耦合生产多晶硅的方法-CN201310486289.8有效
发明人：刘春江;罗勇强;袁希钢;赵俏;项文雨 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及硅烷热分解法与改良西门子法耦合生产多晶硅的方法。将硅烷法热分解尾气利用三氯氢硅及四氯化硅通过反歧化反应消除硅烷；反应后气体经精馏塔脱除四氯化碳后与外购三氯氢硅混合，作为改良西门子法原料，大大提高了原料利用率。本工艺流程主要特点是利用硅烷法在分解炉中使高纯硅烷分解制取多晶硅及氢气；氢气及未反应的硅烷气体与外购三氯氢硅、四氯化硅按一定比例混合经反歧化反应工段使硅烷完全反应；剩余混合气体进入精馏塔脱除四氯化硅；多晶硅还原炉内由氢气将三氯氢硅还原为多晶硅该工艺将硅烷法产生的氢气及剩余硅烷高效利用，降低生产过程危险性，并且两种传统工艺耦合降低了工艺总投资。
硅烷解法改良西门子耦合生产多晶方法

[发明专利]一种钛合金原位自生铝硅梯度热浸镀涂层及其制备方法-CN201910644328.X有效
发明人：李发国;胡孝愿;施东明 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C23C2/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位自生铝硅梯度热浸镀涂层及其制备方法。本发明所述的钛合金原位自生铝硅梯度热浸镀涂层是将钛合金热浸镀于原位自生铝硅成分梯度的熔池中扩散反应得到的含钛‑铝‑硅合金化合物层与铝硅成分梯度合金的涂层。通过该制备方法在钛合金表面依次形成致密的固溶硅原子的Ti(Al,Si)3中间相层、τ2相+Al‑Si液相（L‑(Al,Si)）相层、含硅浓度梯度的L‑(Al,本发明的钛合金原位自生铝硅梯度热浸镀涂层结合了热浸镀法、铸渗法、原位反应自生复合材料法三种方法的优点，致密的Ti(Al,Si)3中间相层和
一种钛合金原位自生梯度热浸镀涂层及其制备方法

[发明专利]一种钒铁合金清洁生产工艺-CN201110007927.4有效
发明人：陈东辉;李东明;曹敬东;王方;贾立根 -专利权人：河北钢铁股份有限公司承德分公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C21B15/02 文献下载
摘要：通过集成创新将电硅热法电铝热法两种钒铁生产工艺在同一场地实施，实现具备全牌号钒铁合金生产能力，充分利用两种冶炼钒铁合金过程原、材料互补性，钒铁成品破碎产生的钒铁粉直接用于氮化钒铁生产，不再返回流程二次熔炼，对电铝热法工艺的炉渣、衬、工艺废料等，回收用于电硅热炉再利用，实现了钒铁合金冶炼的高效与清洁生产；对两种工艺产生的冶炼贫渣、除尘灰、工业废水进行资源化再利用，降低工艺流程的综合能耗，提高冶炼钒铁合金的资源利用率符合循环经济理念，将电硅热法与电铝热法两种钒铁生产工艺在同一场地实施一体化整体设计建设，降低工程成本。
一种铁合金清洁生产工艺

[发明专利]综合利用多金属共生白云岩方法-CN96109199.1无效
发明人：李才全;李道昭 -专利权人：李才全;李道昭
申请日： 1996-08-20 - 公布日： 2000-08-02 - 主分类号： C22B5/00 文献下载
摘要：把现有的稀土硅热法工艺和火法提铌工艺合理组合形成碳热法熔化分离得铌磷生铁和含氟稀土钙镁炉渣。前者在氧气底吹转炉喷钠盐吹炼得钠化铌渣和含残泥的低碳钢，前者进一步得铌产品。含氟稀土钙镁炉渣用硅热法冶炼各种牌号的稀土镁钙硅合金。充分综合利用了这种白云岩。
综合利用金属共生白云岩方法

[发明专利]一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途-CN202210886651.X在审
发明人：周雨;董雪迪;张武;林佳继 -专利权人：拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷掺杂多晶硅膜、其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：以正硅酸乙酯和磷烷作为反应气源，在反应腔内采用热丝化学气相沉积法在硅片的表面沉积得到磷掺杂非晶硅膜；抽除反应腔内的气体，并通入保护气，调节热丝化学气相沉积法中热丝距离对所述的磷掺杂非晶硅膜进行加热退火，加热退火后制备得到所述的磷掺杂多晶硅膜。本发明以磷烷和正硅酸乙酯作为原料，采用利用热丝化学气相沉积法制备磷掺杂多晶硅膜，通过热丝距离调节，实现催化沉积和退火加热激活，大大缩短了制备时间，且避免了大气对磷掺杂非晶硅膜的污染。
一种掺杂多晶制备方法用途

[发明专利]绝缘体上硅的深槽隔离结构的填充方法-CN200910036001.0无效
发明人：易扬波;李海松;王钦;杨东林 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种绝缘体上硅深槽隔离结构的介质填充方法，包括位于在半导体衬底上面设置的埋氧层，在埋氧层上设有N型顶层硅，在N型顶层硅表面刻蚀出深槽的形貌，深槽的填充步骤如下：在刻蚀顶层硅后通过干氧法生长第一层氧化层；在由干氧法生长第一层氧化层的侧壁上淀积第一层多晶硅；在纯多晶硅的表面进行湿氧法热生长第二层氧化层；最后在由湿氧法热生长第二层氧化层的侧壁上淀积第二层多晶硅。本发明的填充方法通过在由干氧法生长的第一层氧化层侧壁上淀积第一层纯多晶硅，一方面填充了深槽底部的横向过刻蚀的凹陷区，另一方面提高了深槽底部隔离氧化层的生长速率，从而保证了隔离氧化层厚度的均匀性，提高绝缘体上硅深槽隔离能力
绝缘体隔离结构填充方法

[发明专利]电解活化法热镀铝锌硅镀层生产方法及其设备-CN200610171079.X无效
发明人：石泉 -专利权人：石泉
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C23C2/02 文献下载
摘要：电解活化法热镀铝锌硅镀层生产方法，所使用的设备包括电镀池和热镀池，所涉及的镀层生产方法是首先按电镀技术对需要进行高强度耐腐层热镀的材料进行预处理，放入电镀池内进行快速地电镀处理，再将经过电镀处理的材料放入备有铝锌硅溶液的热镀池内进行热镀所说铝锌硅溶液三种材料的配合比例是：硅1.6％，锌40.4％，其他是铝。采用本发明所述电解活化法热镀铝锌硅镀层生产方法对金属材料进行表面耐腐层处理后，其耐腐性能会有极大地提高，经实验得知，与普通镀锌技术处理的耐腐层相比，其使用寿命可提高20倍以上，尤其对于电气化机车或者电车吊导线的承力索
电解活化镀铝镀层生产方法及其设备

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条