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[发明专利]边皮加工方法-CN202310055358.3在审
发明人：陈明一;薛俊兵;刘普襄;乔石 -专利权人：青岛高测科技股份有限公司
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：边皮加工方法包括：去除边皮硅料的圆弧状边皮顶以形成边皮顶面；将一个边皮硅料的边皮顶面与另一边皮硅料的边皮底面堆叠以形成堆叠料；对堆叠料进行开方形成矩形硅料块；对矩形硅料块进行磨削加工；对完成磨削加工的矩形硅料块进行切片以获得硅片本发明提供的边皮加工方法能够有效的避免了现有技术中将边皮作为废料处理而造成加工工艺复杂且生产效率低的问题，提高了材料的利用率，增加硅片的产出，降低硅棒的加工成本，并且实现了对多块边皮硅料同时加工以提升生产效率，以及保证加工后边皮硅料精度一致的效果。
加工方法

[实用新型]一种物理法处理多晶硅碳头料装置-CN202222834720.0有效
发明人：王伟;祁若伟;何生辉;陈科;刘富强;薛典 -专利权人：新疆东方希望新能源有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B24C3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种物理法处理多晶硅碳头料装置，涉及多晶硅碳头料处理领域，包括碳料处理单元、可为喷砂枪供给磨料的喷砂驱动单元和粉尘收集单元，所述碳料处理单元为内设空腔的壳体结构，空腔内设有可对碳料表面进行喷砂处理的喷砂枪，所述喷砂驱动单元通过喷枪管与喷砂枪连接，所述粉尘收集单元通过除尘风道与碳料处理单元连通，所述除尘风道处设有可向除尘风道内抽吸粉尘的除尘驱动装置。本实用新型提供的物理法处理多晶硅碳头料装置，通过喷砂枪对含碳硅表面的多晶硅碳头料进行喷砂处理，将含碳部分与硅料剥离，使多晶硅碳头料表面的沉积硅料得到有效利用，喷砂后产生的硅粉或碳化硅颗粒可回收循环利用。
一种物理处理多晶硅碳头料装置

[发明专利]利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法-CN201811606677.4在审
发明人：张文霞;高润飞;高树良;谷守伟;裘孝顺;武志军;郭志荣;刘伟;张全顺 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，将多晶硅和掺镓单晶硅回收料进行混合装料，熔融后进行单晶拉制，多晶硅和掺镓单晶硅回收料装料时，多晶硅与掺镓单晶硅回收料的质量比按能使合格电阻率区间最大化的比例配置本发明的有益效果是利用掺镓单晶硅回收料进行单晶硅棒的生产，利用固态的含镓回收料，代替了掺镓合金，不需在直拉单晶过程中再次补掺镓元素或合金，不仅提高了回收料的利用率，同时避免了资源的浪费，节省了原材料，降低了生产成本
回收料单晶硅多晶硅直拉单晶硅棒装料低光比例配置单晶硅棒单晶拉制直拉单晶电阻率质量比最大化镓合金镓回收镓元素熔融生产成本生产合金

[发明专利]硅料的投料方法-CN202110712328.6在审
发明人：周声浪;汪晨;张华利;周洁 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅料的投料方法，其包括：S1、选择尺寸在第一预设区间范围内的硅料作为第一类硅料，选择尺寸在第二预设区间范围内、且具有圆滑表面的硅料作为第二类硅料，其中所述第一预设区间范围的最小值大于所述第二预设区间范围的最大值；S2、将所述第一类硅料及所述第二类硅料装入装料空间，所述第二类硅料至少部分占据所述第一类硅料之间的空隙；S3、将所述装料空间内的所述第一类硅料及所述第二类硅料投入坩埚；S4、若投入不满足所述坩埚预设的投料需求本发明提高了直拉单晶硅工艺的产出效率。
投料方法

[发明专利]一种可实现单晶锅底料有效清洗的工艺-CN201610627039.5有效
发明人：李鹏廷;王峰;张建帅;姚玉杰 -专利权人：大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于硅料回收处理技术领域，具体涉及一种可实现单晶锅底料有效清洗的工艺。所述工艺包括以下步骤：(1)将块状单晶锅底料倒入滚筒中；(2)将装料的滚筒放入烧碱溶液中进行滚动清洗；(3)将碱洗完的硅料用清水冲洗后放入酸液中滚动清洗；(4)将酸洗后的硅料用清水多次滚动清洗后取出；(5)进行硅料分选，捡出块状杂质即可；(6)将分选后的硅料用纯水进行超声波清洗后烘干、包装。通过对硅料清洗方式及酸碱清洗时间的控制，达到有效清洗复拉单晶锅底料外表面粘附的难熔的坩埚等非硅杂质，从而使硅料得以重复利用，从而可以有效的降低单晶锅底料的利用成本。
清洗硅料锅底料单晶滚动滚筒放入分选超声波清洗装料硅料清洗回收处理块状单晶块状杂质清水冲洗烧碱溶液重复利用粘附的烘干非硅碱洗难熔酸碱酸洗酸液坩埚清水取出

[发明专利]直拉单晶炉加料装置-CN201910064168.1在审
发明人：史蒂芬·劳伦斯·金贝尔;孟敬镐;布拉德·乔佩克 -专利权人：江苏协鑫软控设备科技发展有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：其包括：进料管；硅料输运体，用于接收来自进料管的硅料，硅料输运体具有用于接收硅料的底壁、远离硅料的第一侧壁以及围绕硅料设置的第二侧壁；底壁与第一侧壁相对设置，且底壁、第一侧壁与第二侧壁围成用以容纳硅料的腔体；以及下料管，用于接收来自硅料输运体的硅料；硅料的自然堆积角为θ，进料管的中心线与下料管的中心线之间的夹角为γ，γ满足以下条件：0°≤γ＜90°‑θ；底壁与下料管的中心线之间的夹角为α，α满足以下条件：
硅料第一侧壁下料管底壁直拉单晶炉加料装置夹角为进料管输运第二侧壁相对设置堆积角腔体容纳应用

[发明专利]一种条状、片状硅料破碎机-CN202211252676.0在审
发明人：李威;徐永忠;金利明;徐月圆;肖俊欣 -专利权人：浙江矽盛电子有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏领域，具体的是一种条状、片状硅料破碎机，包括作业箱，作业箱下部外侧固定安装有支撑架，支撑架与地面接触，作业箱内腔一侧固定安装有片状切割单元，设置片状切割单元和条状切割单元，可同时适用于片状硅料和籽晶条硅料两种不同的硅料进行切割破碎，设置下落辊和侧边板，可对片状硅料在放置时进行两侧限位，避免片状硅料在下落时发生倾倒，下落辊用于对片状硅料在下落时进行导向，同时便于片状硅料快速下落，设置伸缩杆和筛网，通过伸缩杆的设置可对分类箱进行左右倾倒，由于分类箱两侧的筛网可调节，从而实现对破碎后的两种不同硅料的粒径大小进行分类排出，通过设置推板和转杆，便于对切割后的片状硅料进行推出。
一种条状片状破碎

[发明专利]适用于硅料入炉前的上游处理系统-CN201811367315.4有效
发明人：羊实;周旭 -专利权人：成都斯力康科技股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B02C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了适用于硅料入炉前的上游处理系统，对堆积在闸板阀上的硅料由两块破碎板进行挤压破碎，通过直线驱动装置驱动若干插针同时进行上下运动，对硅料进行不断的破坏，能够显著的减小硅料的体积大小。还利用第二主动轮，使得硅料在通过第二主动轮时无法保持平直状态下的输送，能够对硅料与传送带相接触的一侧表面也同样进行吸附除尘；特别是针对被破碎系统所破碎后的小颗粒的硅料，这就为下坡段的翻滚提供了充分的工作条件，以此解决了现有技术中只能够对硅料上表面进行除尘，无法对其余方向的表面进行除尘处理的问题，从而实现了在硅料输送过程中简单高效的去除附着在硅料表面的灰尘的目的。
适用于硅料入炉前上游处理系统

[发明专利]一种粘石英埚底料的回收方法-CN200810136391.4有效
发明人：胡动力 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2008-12-08 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体及太阳能领域的一种粘石英的硅料的回收方法，特别应用于在处理埚底料中石英与硅料的分离。一种粘石英埚底料的回收方法，将粘石英埚底料通过加热和冷却两个步骤，将石英与硅料分离。本发明利用了石英和硅的热膨胀系数的差异，由于硅的热膨胀系数系数大于石英，所以在加热和冷却过程中，使得石英与硅料的接触面产生强大的热应力，在热应力作用下，石英与硅料的接触面开裂，石英脱离硅料的表面，得到硅原料根据加热温度和冷却效果的不同，少量未能自动分离或手动剥离的粘石英埚底料，可通过进一步的振动磨、球磨、超声波振动等作用实现粘石英埚底料中硅料与石英的分离。
一种石英埚底料回收方法

[实用新型]硅料爆料装置-CN201721235497.0有效
发明人：王会敏;张浩强;刘彬;赵萌萌 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅料爆料装置，涉及硅料破碎技术领域。包括：依次设置的用于给硅料加热的加热装置、用于冷却加热后的硅料的冷却装置和用于破碎冷却后的硅料的破碎装置，所述冷却装置包括用于冷却加热后的硅料的水槽、冷凝器盘管、压缩机、温度控制器和温度测量器，所述冷凝器盘管设置在所述水槽的底部采用上述方案后，通过增加冷却装置，降低硅料加热后放入纯水的温差，提高硅料的内裂效果，进而提高硅料的整体破碎率，增大小块硅料的生产效率，保障公司的正常生产。
爆料装置

[实用新型]直拉单晶炉加料装置-CN201920119660.X有效
发明人：史蒂芬·劳伦斯·金贝尔;孟敬镐;布拉德·乔佩克 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：其包括：进料管；硅料输运体，用于接收来自进料管的硅料，硅料输运体具有用于接收硅料的底壁、远离硅料的第一侧壁以及围绕硅料设置的第二侧壁；底壁与第一侧壁相对设置，且底壁、第一侧壁与第二侧壁围成用以容纳硅料的腔体；以及下料管，用于接收来自硅料输运体的硅料；硅料的自然堆积角为θ，进料管的中心线与下料管的中心线之间的夹角为γ，γ满足以下条件：0°≤γ＜90°‑θ；底壁与下料管的中心线之间的夹角为α，α满足以下条件：
硅料第一侧壁下料管底壁夹角为进料管输运直拉单晶炉第二侧壁加料装置本实用新型相对设置堆积角腔体容纳应用

[实用新型]一种过料系统-CN200820220150.3无效
发明人：唐时健;吴跃江;郭英姿 -专利权人：沈阳铝镁设计研究院
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种脱硅槽的过料系统，尤其涉及氧化铝生产中的一种脱硅槽的过料系统。一种过料系统，包括脱硅槽，其中脱硅槽包括首未端脱硅槽和中间脱硅槽，首端脱硅槽和中间脱硅槽内设有提料管，提料管与出料支溜管连接，出料支溜管与主溜管连接，中间脱硅槽与主溜管之间设有进料的支溜管和出料的支溜管，中间脱硅槽的出料支溜管与提料管连接，未端脱硅槽与进料支溜管连接。本实用新型的过料系统同现有技术相比，避免了溜槽带来的投资费用大，制作复杂、体积大、容易冒槽等问题，大大简化了设计和制作，减少了投资，适应生产过程中料浆流量的波动，确保生产平稳运行，提高了运转率，从而提高劳动生产率
一种系统

[发明专利]一种硅料的铸锭方法-CN201110278002.3有效
发明人：黄林;吴彬辉;张泽兴;张小东;张理辉 -专利权人：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种硅料的铸锭方法，包括配料，按冶金级硅与太阳能级硅的重量比4：8备料，其中太阳能级硅中包含2-5%总重量的细碎硅料；布料，将细碎太阳能级硅铺设在坩埚底部，将冶金级硅铺设在细碎硅料上面和坩埚侧面，形成“凹”形，在坩埚中间铺设剩余太阳能级硅料，并根据目标电阻率加入掺杂剂；加热，将装有上述原料的坩埚置于铸锭炉中进行抽真空加热，分阶段升温使上部和四周的硅料熔化，至熔化后期延长熔化时间，使底部硅料全部熔化，然后进入长晶阶段；长晶，在长晶阶段，分阶段降温，使晶体由下至上生长，待晶体长成后，经退火冷却得到硅锭。该方法易于操作、成本低，适合规模化生产，制备的硅锭收益率高，且其回收料可重复利用。
一种铸锭方法

[发明专利]一种生产三氯氢硅的装置及方法-CN201110432613.9无效
发明人：秦永红;韩江涛;张世斌;董春青;赵建桥;王国正;马盈利;石如彦 -专利权人：河南尚宇新能源股份有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产三氯氢硅的装置及方法，包括硅粉发送仓，其中，硅粉发送仓的进料口连接有硅粉进料管道，硅粉发送仓的出料口端设有硅粉发送仓出料阀，硅粉发送仓出料阀出口端连接有硅粉输送管道，硅粉输送管道出口端连接有高位料仓，高位料仓的底部出口连接干燥器，硅粉干燥器连接计量罐，计量罐连接合成炉，高位料仓的侧面出口端还通过管道连接有除尘器，除尘器与干燥器之间设有硅粉回收管道。本发明结构简单、安全可靠、安装拆卸方便，由于本发明输送管道、阀门及高位料仓的改造，可以延长输送管道和阀门的使用寿命，减少停车次数，实现三氯氢硅生产的连续性，同时减少硅粉的浪费，减少环境污染，降低了生产成本
一种生产三氯氢硅装置方法

[发明专利]一种硅料灌装设备及灌装方法-CN202010741029.0在审
发明人：张红霞;白建军;邢晓东;李俊;陈培杰;武皓洋;刘必超;樊国庆 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： B65G65/32 文献下载
摘要：本发明提供一种硅料灌装设备及灌装方法，包括：用于放置硅料并使所述硅料下流至复投筒的装料单元；用于从所述装料单元中导流所述硅料至所述复投筒的导流单元；用于吸附所述硅料中粉尘的吸尘单元；以及用于控制所述导流单元位置移动的气动单元；其中，所述导流单元置于所述装料单元下方且连通所述装料单元和所述复投筒；所述吸尘单元与所述导流单元连通；所述气动单元推动所述导流单元带动所述吸尘单元摆动，以使所述硅料被灌入所述复投筒内。本发明可加速硅料流入复投筒内并及时吸走硅料中的粉尘，保证单晶硅料的纯度，以提高单晶拉制的质量，灌料效果好且效率高。
一种灌装设备方法