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[发明专利]硅基共晶键合结构、微机械器件、封装结构及制备方法-CN202110469693.9有效
发明人：梁亨茂 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基共晶键合结构、微机械器件、封装结构及制备方法，该硅基共晶键合结构包括被包裹在绝缘层中的硅凸台，所述硅凸台的表面高度高于或等于位于硅凸台底部的绝缘层的表面高度；该微机械器件中的器件单元通过硅基共晶键合结构与衬底单元键合连接，衬底硅片的电极由硅基共晶键合结构引出至器件硅片上；利用硅局部氧化方法形成硅凸台结构，暴露器件硅区域，保证器件可动结构的刻蚀穿透；该微机械封装结构中的盖板封装互连结构单元由硅基共晶键合结构与微机械器件键合以机械与电气连接本发明通过两次硅局部氧化层的厚度调控实现硅凸台的表面高度高于或等于绝缘层的表面高度，提升硅基共晶键合结构的机械连接可靠性和电学接触可靠性。
硅基共晶键合结构微机器件封装制备方法

[发明专利]一种硅基倒装LED芯片及其制作方法-CN201811406150.7在审
发明人：张秀敏;黄慧诗;华斌;闫晓密;王书宇;郑宝玉 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种硅基倒装LED芯片，其中，所述硅基倒装LED芯片包括：硅基衬底、发光外延层、共晶键合层和电极，所述电极通过所述共晶键合层与所述硅基衬底连接，所述发光外延层设置在所述电极背离所述共晶键合层的一侧，所述硅基衬底上设置有硅通孔，所述硅通孔内填充有通孔金属，所述通孔金属与所述共晶键合层连接，所述硅基衬底与所述共晶键合层之间设置第一石墨烯层，所述发光外延层能够发出光线。本发明还公开了一种硅基倒装LED芯片的制作方法。本发明提供的硅基倒装LED芯片能够有效增强芯片的散热性能。
倒装LED芯片共晶键合硅基硅基衬发光外延层电极硅通孔通孔芯片制作技术金属散热性能石墨烯层填充制作背离芯片

[发明专利]测量共晶键合对准偏差的测试结构-CN202010608838.4在审
发明人：王俊杰;徐爱斌 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量共晶键合对准偏差的测试结构，包括形成于第一硅晶圆的第一表面上的多个顶层硅条形以及形成于第二硅晶圆的第一表面上的第二键合材料块，在各顶层硅条形表面形成有第一键合材料层；各顶层硅条形作为共晶键合的对准偏差的刻度；第二键合材料块和第一测试衬垫连接；各顶层硅条形顶部的第一键合材料层都和对应的第二测试衬垫连接；进行对准偏差测量时，对第一和各第二测试衬垫的导通关系进行测量，导通时表示第二键合材料块和对应位置的顶层硅条形顶部的第一键合材料层键合，从而确定共晶键合的对准偏差。本发明能有效监控键合机台的对准精度。
测量共晶键合对准偏差测试结构

[发明专利]实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法-CN201510309008.0有效
发明人：黄锦才;刘玮荪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-06-07 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法，包括在晶圆内形成硅基器件和光电二极管，并且在硅晶圆表面上形成用于键合的铝金属键合图案；在光子器件晶圆中形成光子器件，在光子器件晶圆的第一侧表面上形成用于键合的锗金属键合图案，在光子器件晶圆的第二侧表面上形成封装层；使得晶圆的铝金属键合图案和光子器件晶圆的锗金属键合图案接触并执行键合处理，从而形成铝锗共晶键合；对晶圆的与形成铝金属键合图案的一侧相对的一侧进行减薄，以露出光电二极管，而且对光子器件晶圆的第二侧表面上的封装层进行图案化，以露出光子器件；将减薄和图案化之后将晶圆和光子器件晶圆的组合布置在第一基板和第二基板之间。
实现光子器件系统一体化集成方法

[发明专利]一种硅基芯片的多层基板堆叠的封装体及堆叠封装方法-CN202210445083.X在审
发明人：邓小峰;聂宝敏;王世芳;王兵兵 -专利权人：四川九洲电器集团有限责任公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基芯片的多层基板堆叠的封装体及堆叠封装方法，属于微组装技术领域，解决了现有技术中的芯片散热效果差、连接可靠性差、使用面积大等问题。该封装体中，中间基板上开设通孔，硅基芯片置于通孔中；硅基芯片正面通过金凸点与底层基板键合形成电气连接，硅基芯片背面与顶层基板之间在封装过程中形成金硅共晶层。该方法包括如下步骤：将硅基芯片背面与顶层基板进行金硅共晶；在硅基芯片正面制作金凸点；将硅基芯片置于通孔中，中间基板的正面与顶层基板连接形成电气通路；底层基板与具有金凸点的硅基芯片部分键合，中间基板背面与底层基板连接该封装体及封装方法可用于硅基芯片的封装。
一种芯片多层堆叠封装方法

[发明专利]MEMS器件及其制造方法-CN201910014728.2有效
发明人：王健鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS器件，包括：MEMS器件的主体部分形成于第一硅晶圆上，CMOS集成电路形成于第二硅晶圆上。第一和第二硅晶圆之间通过共晶健合结构实现共晶健合；共晶健合结构的第一键合层包括形成于第一硅晶圆上的锗层，第二键合层为形成于第二硅晶圆表面的顶层金属层；在第一硅晶圆上还形成有由第一介质层进行光刻刻蚀同时形成的限制结构和键合衬底层，第一介质层的刻蚀的面内均匀性大于硅刻蚀的面内均匀性，第一键合层形成在键合衬底层的表面并延伸到外部的硅并形成和硅的接触。
mems 器件及其制造方法

[发明专利]一种用于MEMS晶圆级共晶键合封装的硅槽结构及制备方法-CN201911329252.8有效
发明人：崔尉;刘福民;邱飞燕;梁德春;刘宇;张树伟;杨静;张乐民;吴浩越;马骁 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于MEMS晶圆级共晶键合封装的硅槽结构及制备方法，分布于硅盖板片正面键合环内侧及外侧的环状硅槽为防溢出硅槽，其宽度w1与键合环的宽度w2之比为R满足1/20≤R≤1/10；分布于键合环内部的方形硅槽为收纳硅槽，其边长为L，在键合环上横向、纵向等间距排布，间距d和边长L满足20μm≤d＝L≤w2/10；所述硅槽结构在共晶键合过程中被溢出的合金熔液填充，固化后形成楔形键合层结构。本发明采用深反应离子刻蚀技术，直接在硅盖板片正面键合环两侧及内部刻蚀出横截面为等腰倒梯形的硅槽结构，通过这些沟槽结构收纳在共晶键合过程中溢出的合金熔液，并通过合金熔液固化后形成的楔形的键合层结构来提高键合强度和密封效果
一种用于 mems 晶圆级共晶键合封装结构制备方法

[发明专利]一种基于金硅共晶的低温键合方法-CN201010189314.2无效
发明人：熊斌;荆二荣;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-06-01 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金硅共晶的低温键合的方法，包括上基板的制备、下基板的制备以及上、下基板对准键合，其特征在于以金和硅为键合材料，通过加温加压的方式实现了键合。由于Au不易氧化，所以键合界面没有金属氧化层阻碍键合反应。当键合温度大于Au/Si的共晶温度时，反应中会形成液态的AuSi合金，液态的合金不仅会增强硅和金的扩散，还可以消除键合表面粗糙度的影响。同时，非晶硅或多晶硅表面沉积了一层Ti/Au层，其中Ti金属层用于除去硅表面的自然氧化层，使Au/Si反应在键合区域的各个点都发生。更重要的是，该键合方法不仅可以用于硅材料的键合，还可以用于非硅材料的键合。
一种基于金硅共晶低温方法

[发明专利]硅基太赫兹金属波导工艺可靠性测试装置及其测试方法-CN202110041962.1在审
发明人：杨瑾屏;李升;宋艳汝;李琪;朱忠博;刘志 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明提出一种通过测量金属波导直流电阻低频噪声的方式检验硅基太赫兹金属波导工艺可靠性的测试装置和测试方法。所述测试装置采用四线法直流电阻测量原理，其电路主要由直流电源，限流电阻，硅基太赫兹金属波导，前置放大器，模拟数字变换器(ADC)组成。本发明通过制备分别包含溅射、刻蚀和共晶键合工艺步骤的硅基金属波导结构模板，并对测得的低频噪声进行功率谱密度归一化和噪声参数的曲线拟合。实现了对硅基太赫兹波导结构的低频背景噪声，薄膜溅射工艺低频噪声，深硅刻蚀工艺低频噪声，共晶键合工艺低频噪声进行定量分析。
硅基太赫兹金属波导工艺可靠性测试装置及其方法

[发明专利]MEMS器件的制造方法-CN201910014732.9有效
发明人：王健鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS器件的制造方法，包括步骤：步骤一、提供第一硅晶圆并形成限制结构和键合衬底层；步骤二、在限制结构和键合衬底层的侧面形成介质层侧墙；步骤三、形成第一键合层；步骤四、进行光刻形成第一光刻胶图形，进行硅刻蚀在形成沟槽并由此形成MEMS器件的主体部分，介质层侧墙使第一光刻胶图形具有中央区域比边缘区域薄的结构；步骤五、提供形成有CMOS集成电路的第二硅晶圆，第二硅晶圆表面的顶层金属层为第二键合层；步骤六、将第一和第二键合层接触并进行共晶键合形成共晶健合结构。本发明能在MEMS器件的沟槽的刻蚀中使光刻胶同时满足沟槽的较小宽度的要求以及对硅晶圆的边缘区域的保护的要求。
mems 器件制造方法

[发明专利]金/硅共晶芯片键合方法-CN200710187345.2有效
发明人：刘凯;孙明 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种直接金/硅共晶芯片键合方法，该方法包括芯片键合区镀金，将晶片研磨到所需要的厚度，研磨步骤后的晶片切割，拾取芯片，和在高于金/硅共晶温度的温度下将芯片附贴到芯片键合区的各个步骤。
硅共晶芯片方法

[发明专利]一种硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法及其应用-CN201410104395.X有效
发明人：董健;蒋恒;孙笠 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基绝缘层上非晶硅与玻璃的阳极键合方法，所述方法为（1）在硅基底面上沉积一层绝缘层；（2）以光刻胶作掩膜，对绝缘层进行刻蚀，将硅基底面与非晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区；（3）在开设有开槽区的硅基底面的绝缘层上沉积一层非晶硅，非晶硅在所述的开槽区与硅基导通；（4）所述的非晶硅与玻璃进行阳极键合；当硅‑玻璃键合面区域存在高压敏感结构时，本发明方法使键合电流在阳极键合过程中不通过这些结构，以实现MEMS器件的电学性能保护，同时仍然保证非晶硅‑玻璃的键合强度。
一种硅基上非晶硅玻璃阳极方法及其应用

[发明专利]一种晶圆的键合方法-CN202210617812.5在审
发明人：王荣栋;杨云春;陆原;张拴 -专利权人：北京海创微芯科技有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的键合方法，通过将第一晶圆的电极端面上喷涂含有导电粒子的胶剂，再将第一晶圆和第二晶圆粘合紧固，使第一晶圆和第二晶圆在被粘合紧固后，晶圆上器件的键合面能够通过导电粒子电性导通，与硅‑硅键合和共晶键合相比整体过程更简单快捷，整个键合过程无需对晶圆进行抛光处理，也无需在键合的过程中进行高温退火处理，进而提高了晶圆键合的工艺质量。
一种方法

[发明专利]一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法-CN202310935417.6在审
发明人：武震宇;苏泳全;刘艺晨;王栎皓 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆的上表层设有第一键合层；提供一第二晶圆，所述第二晶圆的下表层设有第二键合层；将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行键合，键合后，所述第一键合层与所述第二键合层构成的叠层结构中至少包括第一截止层、第二截止层。本发明通过硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法制作得到的硅基绝缘体上玻璃衬底结构，采用所述第一截止层、所述第二截止层构成的双截止层结构作为所述硅基绝缘体上玻璃衬底结构的刻蚀截止层，解决了硅玻璃键合晶圆图形化时无法获得高质量平整的玻璃界面的问题
一种绝缘体玻璃衬底结构及其制作方法

[发明专利]基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法-CN201710891111.X在审
发明人：李国强;李洁 -专利权人：佛山市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法。该方法包括以下步骤1清洗处理外延层，制备第一粘附层、键合层；步骤2在转移硅衬底上制备粘附层、阻挡层、键合层；步骤3金锡双面共晶键合；步骤4剥离生长衬底，得到转移后的外延层硅衬底材料。本发明提出了金锡双面共晶键合的结构，改善了键合效果；同时，表面Au层保护Sn不被氧化；Ti做阻挡层很好地阻止Sn的扩散，穿过阻挡层破坏键合结构。本发明中所述制备方法通过形成可靠的金锡合金，减小键合层空洞，提升了键合质量，避免了键合失效，实现了外延层到硅衬底的无损转移。有利于发挥理想的半导体特性，制备成大规模、功能齐全的微电子和光电子集成器件。
基于双面共晶键合外延转移方法

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