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[发明专利]具有高谐波抑制单刀多掷开关-CN202011375855.4有效
发明人：韩群飞;陶洪琪;陈庆;余旭明;王维波;凌显宝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H03H5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高谐波抑制单刀多掷开关，涉及射频开关器件，属于基本电气元件的技术领域。该高谐波抑制开关包括一端为输入端的输入传输线，该输入传输线的另一端同时连接到多个谐波控制电路的一端，每个谐波控制电路的另一端连接到对应每个开关臂的一端，每个开关臂的另一端为输出端，所述谐波控制电路由电感、电容和管芯组成，通过选用合适的电感、电容和管芯进行串并联，改变谐波的相位，实现高谐波抑制。本发明在单刀双掷开关的基础上，再增加多个谐波控制电路和开关臂，即构成了单刀多掷开关。
具有谐波抑制单刀开关

[发明专利]一种用于单颗未封装裸芯片批量减薄的方法-CN202210610014.X在审
发明人：田飞飞;张君直;凌显宝;陶洪琪;杨勇;周海 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单颗未封装裸芯片批量减薄的方法，属于半导体新工艺、新方法以及新材料应用领域。该方法利用有机溶剂稀释的石蜡将单颗未封装裸芯片正面粘接在平整度较高的蓝宝石上，将蓝宝石放入高温低真空键合机中，从而使芯片粘接更加牢固。测量芯片高度后将粘接芯片的蓝宝石放入磨片机中对芯片背面进行减薄，设定减薄厚度即可完成减薄工艺。该方法减薄单颗未封装裸芯片设备简单、成本低廉、操作方便，且该方法不会对芯片正面图形造成损伤且测试后电路性能对比与芯片减薄前一致。为单颗未封装裸芯片批量减薄提供了一种切实可行的制备方法。
一种用于单颗未封装芯片批量方法

[发明专利]一种砷化镓电源调制电路-CN202210207931.3在审
发明人：邹文静;潘晓枫;阮启恒;林瑞;凌显宝;刘飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓电源调制电路，采用砷化镓工艺进行设计，包括静电防护电路、电平转换电路、开关控制电路和输出缓冲电路。信号首先经过防静电保护电路，通过电平转换电路实现驱动后级开关的控制电平匹配，开关控制电路实现对输出缓冲电路所输出电源调制信号的电平控制。本发明提出的砷化镓电源调制电路便于和砷化镓芯片集成，具有降低成本和系统复杂程度，提高系统可靠性的特点。
一种砷化镓电源调制电路

[发明专利]一种温补衰减器及其设计方法-CN202210208283.3在审
发明人：邹文静;潘晓枫;王奇;杨清愉;郑诗敏;凌显宝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种温补衰减器及其设计方法，涉及衰减器器件，属于射频微波领域，所述温补衰减器包括温补驱动模块和衰减结构。其中温补驱动模块根据温补电路和差分网络控制电压调节衰减结构电路的衰减量，衰减结构电路连接在输入端口和输出端口之间，实现电路衰减补偿功能。本发明提出的温补衰减器补偿微波/射频通道中温度变化带来的有源器件增益变动的问题，工作频率范围广，适用于大衰减量补偿范围。
一种衰减器及其设计方法

[发明专利]一种功率可重构匹配电路及功率放大器-CN202210054020.1在审
发明人：张巍;余旭明;闫明松;陶洪琪;刘宪锁;凌显宝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率可重构匹配电路，包括第一微带线TL1、第一偏置支路、第三微带线TL3、第二电容C2、第三电容C3、第四微带线TL4、重构支路、第六电容C6、第七微带线TL7、第九微带线TL9、第二偏置支路、第一输入端子P1、第二输入端子P8和输出端P4；第一微带线TL1、第三微带线TL3、第三电容C3、第四微带线TL4、重构支路、第六电容C6、第七微带线TL7、第九微带线TL9依次串联；第二电容C2的一端连接在第三微带线TL3和第三电容C3相连接的端子，另一端连接接地点G1；输出端P4与重构支路连接。本发明通过外加控制信号改变可重构元件的工作状态，实现功率放大器的不同功率模式的切换。
一种功率可重构匹配电路功率放大器

[发明专利]一种超宽带大功率高效率的单片集成功率放大器电路结构-CN202110042377.3在审
发明人：张巍;陶洪琪;吴瑞南;凌显宝;余旭明 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带大功率高效率的单片集成功率放大器电路结构，融合了分布式电路结构、负反馈式电路结构和电抗匹配电路结构的各自优势。在超宽带功放电路的射频功率输出级采用了分布式匹配结构，易于拓展带宽，提高功率、效率；功率驱动级采用负反馈式结构，易于改善输入驻波和增益平坦度。在放大器的输出级和驱动级之间采用了电抗匹配结构，改善输出级和驱动级之间的阻抗失配。通过融合三者电路结构的各自优势，可极大的提高了超宽带大功率单片集成功率放大器的整体性能。
一种宽带大功率高效率单片集成功率放大器电路结构

[发明专利]基于Cu膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法-CN201310078857.0无效
发明人：郭辉;凌显宝;张玉明;张晨旭;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cu膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小，不能用于规模化生产，层数不均匀，缺陷多，载流子迁移率不稳定的问题。其制作过程是：(1)对SiC样片进行清洗；(2)将清洗后的SiC样片置于石墨烯生长设备中，并对其进行氢刻蚀；（3）向反应室中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700℃～1100℃下SiC与Cl2反应4min～10min，生成碳膜；(4)在生成的碳膜上镀一层Cu膜上；(5)再将镀有Cu膜的碳膜样片置于Ar气中，在温度为900℃～1200℃下退火15min～25min生成石墨烯；(5)将Cu膜从石墨烯样片上去除。本发明制备的石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于生物、微电子、化学等许多领域。
基于 cu 退火氯气反应 sic 衬底制备石墨方法

[发明专利]基于Ni膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法-CN201310078910.7无效
发明人：郭辉;凌显宝;张玉明;张晨旭;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯连续性不好、表面不光滑的问题。其实现过程是：先对SiC衬底进行RCA清洗；对清洗后的SiC进行氢刻蚀，并去除刻蚀残留物；向石英管反应室中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700℃～1100℃下SiC与Cl2反应3min～8min，生成碳膜；然后在碳膜上电子束沉积一层Ni膜；再将沉积有Ni膜的样片置于Ar气中，在温度为950℃～1150℃下退火10min～30min生成石墨烯；最后利用盐酸和硫酸铜的混合溶液将Ni膜从石墨烯样片上去除。本发明具有生成的石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低的优点，可用于制作微电子器件，生物传感器或气体和液体的密封。
基于 ni 退火氯气反应 sic 衬底制备石墨方法

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