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[发明专利]基于线性渐变滤光片的微型长波近红外物联网节点-CN201710388178.1在审
发明人：王绪泉;黄松垒;于月华;叶捷敏;邵秀梅;方家熊 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：它包括线性渐变滤光片、线列铟镓砷焦平面探测器、探测器驱动电路、光谱数据采集电路、无线通信模块和锂电池。将线性渐变滤光片与线列铟镓砷焦平面探测器的光敏芯片耦合，作为分光部件替代光栅，省去入射光纤。线列铟镓砷焦平面探测器响应的长波近红外波段，相比CMOS近红外传感器的短波近红外区域，有更高的科研应用价值。本发明简化光学系统结构，利用无线通信和锂电池避免数据线和电源线带来的使用不便，实现长波近红外物联网节点的微型化，为物联网向长波近红外光谱分析领域扩展提供技术支持。
基于线性渐变滤光微型长波红外联网节点

[发明专利]提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法、薄膜的制备方法及其应用-CN201510917803.8在审
发明人：张宇;陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;郝文嘉;于浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明涉及P型铟镓砷薄膜生长技术领域，具体公开了提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法，将掺杂碳的铟镓砷薄膜，在氮气环境下进行降温退火，退火温度从550±10℃均匀降到400±10℃，时间为5±1min，压力为
提高型铟镓砷薄膜掺杂浓度方法制备及其应用

[发明专利]精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置及方法-CN200610060337.7无效
发明人：罗建国 -专利权人：罗建国
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明适用于III－V或II－IV化合物半导体材料，比如砷化镓、磷化铟、砷化铟、磷化镓、锑化铟、硒化镉、碲化锌等等，及锗和硅等单晶体的生长。
精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置方法

[实用新型]双测温感应烹饪器具-CN202223097364.5有效
发明人：管兴勇 -专利权人：杭州越磁科技有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： F24C7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双测温感应烹饪器具，所述双测温感应烹饪器具包括烹饪主体、铟镓砷探测器、热敏电阻组件以及控制组件，所述烹饪主体具有用于放置锅具的微晶面板以及设于所述微晶面板下方的加热线盘；所述铟镓砷探测器设于所述烹饪主体，用于接受锅具上发射的红外线并输出温度信号；所述热敏电阻组件设在所述微晶面板的下表面，用于测量锅具温度；所述控制组件设于所述烹饪主体且分别与所述铟镓砷探测器、热敏电阻组件电性连接。本器具在烹饪时，高温段下使用所述铟镓砷探测器测温，低温段下使用所述热敏电阻组件测温，所述控制组件控制线圈加热以控制温度，从而能够在全温度段进行精确测温并控温。
测温感应烹饪器具

[发明专利]一种便捷式太阳能板-CN201410780048.9无效
发明人：施旸 -专利权人：苏州费米光电有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：所述本体由位于上层的强光层和位于下层的转换层构成，所述强光层由丙烯酸酯塑料和聚碳酸酯塑料高温复合而成，按照质量分数进行配比：所述丙烯酸酯塑料的含量占75-85%，所述聚碳酸酯塑料的含量占15-25%，所述转换层由砷化镓、硒铟铜组成，按照质量分数进行配比：所述砷化镓的含量占30-40%，所述硒铟铜的含量占60-70%，通过上述方式，本发明能够在保证所产出电能相同的条件下，实现太阳能板尺寸的最小化，从而便于携带、搬运以及安装
一种便捷太阳能

[发明专利]一种机场跑道表面冰水混合物含冰比的光学测量装置与方法-CN202210760887.9在审
发明人：刘鸿鹏;张嘉桐;孙高晶;台宏达;秦绍萌;武爱青;李立 -专利权人：中国民航大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N21/359 文献下载
摘要：本发明公开了一种机场跑道表面冰水混合物含冰比的光学测量装置与方法，包括第一近红外LED发光二极管与第一铟镓砷光电二极管探测器，所述第一近红外LED发光二极管一侧设置有第二近红外LED发光二极管，所述第二近红外LED发光二极管一侧设置有第三近红外LED发光二极管，所述第一铟镓砷光电二极管探测器一侧设置有第二铟镓砷光电二极管探测器，所述第二铟镓砷光电二极管探测器一侧设置有第三铟镓砷光电二极管探测器。
一种机场跑道表面冰水混合物光学测量装置方法

[发明专利]一种减量化高效处理含砷烟灰的方法-CN201910594277.4有效
发明人：李骞;彭志平;张雁;雷日华;邓永喜;杨永斌;徐斌;姜涛;李光辉;李勇;罗君;李冬云;陈许玲;陈川;陈卓悦;俄立源;韩雨琪;董斯宇 -专利权人：中南大学;郴州雄风环保科技有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C22B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种减量化高效处理含砷烟灰的方法，该方法主要包括以下步骤：(1)将含砷烟灰进行酸浸，得到酸浸液和酸浸渣；(2)将所得酸浸液用铁粉分步还原其中的砷，得到单质砷，还原过程中采用Cu2+做活化剂，反应完成后过滤得滤液和滤渣；(3)将所得滤渣进行磁选分离，将滤渣中的铁和砷分离，得到高纯的单质砷产品。该方法首先进行酸性浸出，使砷、锌、铟、镉进入酸浸液中，实现了砷、锌、铟、镉等有价金属与其他金属的分离；酸浸液中的砷使用铁粉分步还原为单质砷，这样不但可有效地回收砷，还可最大限度的降低砷产品的保存含量，实现含砷烟灰的减量化处理
一种量化高效处理烟灰方法

[发明专利]将铟和砷互相分离的方法及工艺装置-CN201480071156.7在审
发明人： H·塔卡拉;B·萨斯恩 -专利权人：奥图泰(芬兰)公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C22B7/02 文献下载
摘要：一种从含锌起始材料分离铟和砷的方法及工艺装置，包括–弱酸浸出，其中将该起始材料与第一浸出液接触，以获得第一浸出溶液，该第一浸出溶液包含浸出形式的锌和砷的第一部分，‑固‑液分离，以从该第一浸出溶液分离固体物质，‑强酸浸出，其中将该固体物质与第二浸出液接触，以获得第二浸出溶液并从该第二浸出溶液分离和回收铟，该第二浸出溶液包含浸出形式的砷和锌的第二部分以及铟。
互相分离方法工艺装置

[发明专利]一种提高铟镓砷光电阴极近红外波段响应的激活方法-CN202010358231.5有效
发明人：张益军;舒昭鑫;荣敏敏;李诗曼;李姗;张锴珉;詹晶晶;钱芸生 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高铟镓砷光电阴极近红外波段响应的激活方法，包括依次采用卤素灯白光光源和1064nm激光光源照射的铯源、氧源交替两步激活。本发明可以得到近红外长波段量子效率更高的铟镓砷光电阴极。
一种提高铟镓砷光电阴极红外波段响应激活方法

[发明专利]一种研磨材料-CN201510417886.4在审
发明人：沈丽华;王林丹;沈川江;吕阿琴 -专利权人：湖州华通研磨制造有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的研磨材料更加适合用于蓝宝石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化镓、砷化镓、砷化铟、磷化铟等硬脆材料的研磨中。
一种研磨材料

[实用新型]一种远程外延结构及肖特基结太阳电池器件-CN201921584421.8有效
发明人：李国强;余粤锋;林静;梁敬晗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本实用新型通过在砷化镓衬底与砷化铟外延层之间引入单层石墨烯层，有效阻断了界面的铟原子与镓原子的互扩散，有效地抑制了量子点结构异化、失活的现象，有效的提升了由其制备的肖特基结太阳电池器件的性能。
一种远程外延结构肖特基结太阳电池器件

[发明专利]一种高砷铜烟灰综合回收有价金属的方法-CN201610598695.7有效
发明人：刘维;梁超;焦芬;覃文庆;邱文顺 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C22B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高砷铜烟灰综合回收有价金属的方法，该方法以含砷铜烟灰为原料，首先采用碱浸工艺使砷、锡和锌转化为含氧酸盐进入溶液，然后冷却结晶析出砷酸钠晶体，所得母液硫化沉淀出锌和锡，碱浸渣则通过硫酸浸出‑分步萃取工艺实现铜、铟、铋和铅的分离回收，金属分离回收过程中，砷的脱除率在95％以上，铜、铟、锌、锡的回收率在90％以上。该方法从源头高效脱砷，具有对原料适应性好、操作简单、高效清洁、能耗低、金属回收率高等的特点，具有显著的经济效益和社会效益。
烟灰有价金属综合回收高砷铜金属回收率原料适应性析出分离回收含氧酸盐金属分离冷却结晶硫化沉淀萃取工艺碱浸渣砷酸钠脱除率碱浸浸出母液砷铜脱砷硫酸回收率能耗回收清洁源头转化

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510465545.4有效
发明人：韩秋华;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：在第二鳍部的侧壁表面形成第二硅锗层；形成覆盖第二硅锗层表面的掩膜层；对第一硅锗层进行锗凝结处理，形成锗鳍部和位于锗鳍部表面的氧化硅层；去除掩膜层和第二鳍部，在相邻的第二硅锗层之间形成空腔；在第二硅锗层的侧壁和顶部表面上形成铟铝砷层；在所述铟铝砷层的表面形成铟镓砷层；在形成铟镓砷层后，去除所述锗鳍部表面的氧化硅层。
半导体结构形成方法

[发明专利]两级台面铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管及其制备方法-CN201711064990.5在审
发明人：谢生;朱帅宇;毛陆虹 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明，两级台面铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管及其制备方法，结构包括N+‑InP衬底、N‑InP缓冲层、N‑‑铟镓砷In0.53Ga0.47As吸收层、N‑铟镓砷磷In(1‑x)GaxAsyP(1‑y)组分渐变层
两级台面铟镓砷雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202110719930.2在审
发明人：何先良;林志东;魏鸿基 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：在砷化铟镓刻蚀阻挡层和第一N型掺杂层上形成第二凹槽。在砷化铝刻蚀阻挡层上形成第三凹槽，其中，第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽连通以作为栅极凹槽。在栅极凹槽内沉积金属以形成与低能隙遂穿层接触的栅极。由于在栅极和势垒层之间插入了低能隙遂穿层，在第一N型掺杂层和第二N+型掺杂层之间设置有砷化铟镓刻蚀阻挡层，故，可以有效降低源极和漏极的欧姆接触的电阻，进而进一步的降低器件导通电阻，便于提高器件性能。
一种电子迁移率晶体管及其制备方法