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[发明专利]一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源-CN201910441985.4在审
发明人：李民久;陈庆川;蒲世豪;熊涛;姜亚南;贺岩斌;黄雨;邵斌 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H02M9/06 文献下载
摘要：本发明属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源。该电源可以输出所需要的不同输出波形特性的直流负偏压、单极性脉冲负偏压、直流叠加单极性脉冲负偏压模式、非对称双极性脉冲偏压模式或直流叠加双极性脉冲偏压。并且，负偏压的脉冲电压幅度、频率和占空比可调节，直流叠加脉冲负偏压的直流电压幅度可调节，负偏压工作在高压低电流或低压大电流模式两种模式可设置，正脉冲电压幅度和占空比可调节。
负偏压可调节等离子体镀膜单极性脉冲双极性脉冲偏压电源直流叠加复合式占空比电力电子技术领域脉冲电压幅度直流电压幅度直流叠加脉冲自动控制技术低压大电流正脉冲电压直流负偏压偏压模式输出波形非对称电源输出

[实用新型]一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源-CN201920776684.2有效
发明人：李民久;陈庆川;蒲世豪;熊涛;姜亚南;贺岩斌;黄雨;邵斌 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H02M9/06 文献下载
摘要：本实用新型属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源。该电源可以输出所需要的不同输出波形特性的直流负偏压、单极性脉冲负偏压、直流叠加单极性脉冲负偏压模式、非对称双极性脉冲偏压模式或直流叠加双极性脉冲偏压。并且，负偏压的脉冲电压幅度、频率和占空比可调节，直流叠加脉冲负偏压的直流电压幅度可调节，负偏压工作在高压低电流或低压大电流模式两种模式可设置，正脉冲电压幅度和占空比可调节。
负偏压可调节单极性脉冲双极性脉冲直流叠加占空比电力电子技术领域等离子体镀膜脉冲电压幅度直流电压幅度直流叠加脉冲自动控制技术本实用新型低压大电流正脉冲电压直流负偏压偏压电源偏压模式输出波形非对称复合式电源输出

[发明专利]溅射镀膜装置-CN202111204280.4在审
发明人：杨鹏 -专利权人：万津实业（赤壁）有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种溅射镀膜装置，包括具有容纳腔的壳体、至少两个带有磁性的喷射组件以及至少一个带有磁性的偏压组件。至少两个喷射组件沿壳体的周向固设于壳体的内侧壁，至少一个偏压组件沿壳体的周向收容于容纳腔中，每个偏压组件的磁极与一个喷射组件的磁极相反，每个偏压组件能够绕壳体的中心轴线相对于壳体旋转产生镀膜工艺所需要的负偏压从而不需增加额外的直流电源，只在每个偏压组件经过喷射组件与壳体的中心轴的连线，并且每个偏压组件相向面对喷射组件的时候才产生镀膜工艺所需要的负偏压，达到了精准偏压以及节约电资源的目的。
溅射镀膜装置

[发明专利]一种微波开关负偏压产生电路-CN201910505034.9在审
发明人：骆云飞;刘雷;李玉楠;韦彦义 -专利权人：南京国立电子科技有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H02M3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波开关负偏压产生电路，包括：脉冲宽度调制电路、高频变压器、倍压整流滤波及分压取样电路，直流供电通过所述的脉冲宽度调制电路产生高频脉冲送给所述的高频变压器，高频脉冲经所述的高频变压器升压后送给所述的倍压整流滤波及分压取样电路，所述的倍压整流滤波及分压取样电路产生负偏压送出，并将取样信号反馈给所述的脉冲宽度调制电路，完成电压负反馈，实现输出负偏压的稳压。本发明的微波开关负偏压产生电路，通过脉冲宽度调制电路直接驱动高频变压器，省掉了驱动电路和开关晶体管，具有体积小，电路简单的特点。
负偏压脉冲宽度调制电路高频变压器分压取样电路倍压整流产生电路微波开关高频脉冲取样信号反馈电压负反馈开关晶体管升压驱动电路直接驱动直流供电体积小送出稳压电路输出

[实用新型]一种微波开关负偏压产生电路-CN201920873656.2有效
发明人：骆云飞;刘雷;李玉楠;韦彦义 -专利权人：南京国立电子科技有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H02M3/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波开关负偏压产生电路，包括：脉冲宽度调制电路、高频变压器、倍压整流滤波及分压取样电路，直流供电通过所述的脉冲宽度调制电路产生高频脉冲送给所述的高频变压器，高频脉冲经所述的高频变压器升压后送给所述的倍压整流滤波及分压取样电路，所述的倍压整流滤波及分压取样电路产生负偏压送出，并将取样信号反馈给所述的脉冲宽度调制电路，完成电压负反馈，实现输出负偏压的稳压。本实用新型的微波开关负偏压产生电路，通过脉冲宽度调制电路直接驱动高频变压器，省掉了驱动电路和开关晶体管，具有体积小，电路简单的特点。
脉冲宽度调制电路高频变压器负偏压分压取样电路倍压整流本实用新型产生电路高频脉冲微波开关取样信号反馈电压负反馈开关晶体管升压驱动电路直接驱动直流供电体积小送出稳压电路输出

[发明专利]等离子体浸没式注入腔室及提高等离子体分布均匀性方法-CN202310232684.7在审
发明人：王兴;周临震 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于半导体等离子体注入技术领域，尤其是一种等离子体浸没式注入腔室及提高等离子体分布均匀性方法，射频电源、进气口、出气口、下基板、负偏压电源、直流线圈；进气口位于腔室上部，出气口位于腔室下部，下基板位于腔室内，外接负偏压电源，腔室内顶部为射频线圈，外接射频电源，腔室侧部为直流线圈，使用时需要抽真空，注入等离子体气体，然后开启射频电源，调节电容，使射频功率的反射功率最小，最后开启直流线圈的电源，给腔室内部提供一个横向磁场，开启偏压电源。本发明在腔室内侧加入直流线圈，电源给直流线圈通入直流电流，在腔室内部产生横向磁场，使腔室内部带电粒子在横向磁场的作用下向四周扩散，提升等离子体分布均匀性。
等离子体浸没注入提高分布均匀方法

[发明专利]大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置-CN200710101587.5有效
发明人：雷明凯;郭甲;高峰;袁力江;张仲麟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2007-04-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：材料表面工程领域中，大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置，包括金属真空室[5]，低能离子注入电源[14]和真空系统，特征：取消由外界输运等离子体的独立等离子体源，在真空室内安置一金属网罩[6]，等离子体源电源[8]向网罩施加直流脉冲负偏压，在炉体[2]内壁和网罩之间形成等离子体，或者增加提供放电辅助作用的热阴极灯丝[9]降低放电电压，将直流脉冲等离子体源和低能离子注入装置组合在真空室内，在网罩与样品台[11]上分别施加的直流脉冲负偏压交替发生，保证了直流脉冲等离子体的产生和低能离子注入交替不间断的进行。
大面积直流脉冲等离子体低能离子注入装置

[发明专利]一种均压电路-CN201410354085.3有效
发明人：吕华军;康博 -专利权人：沃尔缇夫能源系统公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种均压电路，利用反激变压器实现能量的转移，当出现正、负直流母线偏压的情况时，能够从电压偏高的直流母线上转移能量至电压偏低的直流母线上，以达到均压的目的，相比于现有技术的均压方案，避免了能量的损耗
一种压电

[发明专利]WCN纳米复合膜及其制备方法-CN201210468926.4无效
发明人：喻利花;许俊华;王蕊 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种WCN纳米复合膜及其制备方法，采用真空多靶磁控溅射法在基体上共沉积得到，以W靶和C靶为阴极靶，Cr靶为直流靶，Ar和N2的混合气体中，真空室内共沉积在基体上形成厚度为1～3微米的WCN纳米复合膜，W靶功率固定为200W，C靶功率为120W，基体与靶之间施加偏压，基体负偏压取40V～200V间的任意压力；基体负偏压在40V～80V之间时，WCN纳米复合薄膜为六方α-WCN相结构，基体负偏压在80
wcn 纳米复合及其制备方法

[发明专利]基座偏压调节装置和方法、半导体工艺设备-CN202110849800.0有效
发明人：张超 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种基座偏压调节装置和方法、半导体工艺设备，该装置包括正偏压调节单元、负偏压调节单元和抗干扰单元，其中，正偏压调节单元的第一端接地，正偏压调节单元的第二端与基座电连接，用于调节基座的偏压，且能够使基座产生正偏压；负偏压调节单元的第一端接地，负偏压调节单元的第二端与基座电连接，用于调节基座的偏压，且能够使基座产生负偏压；抗干扰单元连接在负偏压调节单元与基座之间的电路上，用于抑制正偏压调节单元与基座之间的电路中的电流流入负偏压调节单元与基座之间的电路中本发明提供的基座偏压调节装置和方法、半导体工艺设备的技术方案，可以满足不同工艺需求，从而扩大了工艺窗口。
基座偏压调节装置方法半导体工艺设备

[发明专利]以反应器进行蚀刻的方法及蚀刻系统-CN201811360314.7有效
发明人：林育奇;林进兴;张宏睿;邱意为;柯宇伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：此方法可包括(1)旋转喷淋头的顶板或底板至第一位置，以容许气体流动通过喷淋头；(2)实施表面改质周期，包括：施加负直流偏压至喷淋头、施加射频功率信号至晶圆吸座；及(3)实施蚀刻周期，包括：从静电吸座去除负直流偏压
反应器进行蚀刻方法系统

[实用新型]一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置-CN201621057920.8有效
发明人：姜辛;刘鲁生;黄楠;杨兵;翟超峰;李俊豪;贾心怡 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置。波导、调配器、微波源，截止波导上设置冷却水出口；石英管另一端外部设有短路活塞，短路活塞所在的活塞缸上设有冷却水入口，所述石英管另一端外部与反应气体入口连通；石英管的上部设有光电温度计，下部设有真空系统、直流偏压电源；石英管内部设有基片台、基片，基片设置于基片台上，直流偏压电源通过电缆与基片台相连。本实用新型在高功率大面积微波等离子体沉积装置的基片台上加装直流负偏压系统，能够制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的金刚石单晶膜。
一种功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置

[发明专利]烧结钕铁硼磁体表面磁控溅射镀覆不锈钢防护层的方法-CN201010592932.1无效
发明人：袁庆龙;范广新;张宝庆;李强;刘宝忠 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明提供一种烧结钕铁硼磁体表面磁控溅射镀覆不锈钢防护层的方法，该方法是：先对钕铁硼磁体表面抛光处理后装炉；抽真空5×10-3-10-1Pa，通氩气18～35Pa，接通直流电源甲，在钕铁硼磁体与真空室壳体之间加180～450伏负偏压，通过辉光离子轰击对钕铁硼磁体表面处理，轰击时间5～12min，关闭直流电源甲；接通直流电源乙，在不锈钢磁控靶与真空室壳体之间加上350～550伏负偏压，通过辉光离子轰击不锈钢磁控靶，使靶材表面原子以一定能量逸出，沉积在钕铁硼磁体表面上，形成均匀的镀覆防护层；关闭直流电源乙，在氩气保护下降温，出炉抛光处理。
烧结钕铁硼磁体表面磁控溅射镀覆不锈钢防护方法

[发明专利]基座偏压调节装置、半导体加工设备及薄膜制作方法-CN201711145639.9有效
发明人：张超 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种基座偏压调节装置、半导体加工设备及薄膜制作方法，该装置包括正偏压调节单元、负偏压调节单元和转换开关，其中，正偏压调节单元的第一端接地，第二端与基座连接，用于使基座产生正偏压，并能够调节正偏压的大小；负偏压调节单元的第一端接地，第二端与基座连接，用于使基座产生负偏压，并能够调节负偏压的大小；转换开关用于选择性将正偏压调节单元或者负偏压调节单元与基座接通。本发明提供的基座偏压调节装置，可以满足不同工艺的需求或者同一工艺中不同阶段的需求，从而扩大了工艺窗口。
基座偏压调节装置半导体加工设备薄膜制作方法

[发明专利]蚀刻方法和装置-CN201210035774.9有效
发明人：陈世宏;陈建安;萧颖;张郢 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开的一种蚀刻方法包括：用等离子体腔室的第一直流偏压蚀刻氧化物层，用等离子体腔室的第二直流偏压去除光刻胶层，以及用等离子体腔室的第三直流偏压蚀刻穿过衬膜。为了减少在等离子体腔室壁上的铜沉积，将第三直流偏压设置成小于第一直流偏压和第二直流偏压。本发明还公开了蚀刻方法和装置。
蚀刻方法装置

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