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[发明专利]直接接合机-CN201710462833.3在审
发明人：李闵泂 -专利权人：塔工程有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： B32B37/10 文献下载
摘要：一种根据本发明的示例性实施例的直接接合机包括托台和支承构件，支承构件遮盖托台的至少一侧并联接至所述托台，其中，所述支承构件以使第一接合对象和第二接合对象相互间隔开的状态支承第一接合对象和第二接合对象，并且支承构件的至少一部分由于真空受到挤压而收缩，从而使得第一接合对象和第二接合对象相互联接以便相互紧密接触。
直接接合

[发明专利]直接接合结构-CN202180094803.6在审
发明人： R·坎卡尔;B·哈巴;P·M·恩奎斯特;小盖厄斯·G·方丹;G·高;C·E·尤佐 -专利权人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开了用于生产直接接合结构的方法和用于形成直接接合结构的方法的实施例。直接接合结构可以包括元件，该元件包括有源电子器件、微机电系统、光学元件等。
直接接合结构

[发明专利]直接接合机-CN201710462746.8有效
发明人：朴培赫;朴钟奂;李闵泂;朴敏奎 -专利权人：塔工程有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种根据本发明的示例性实施例的直接接合机包括：托台，其具有流动路径和工作图案孔，从外部供给的工作流体沿着所述流动路径流动，所述工作图案孔与流动路径连通且暴露至外侧；以及隔膜，其联接至所述托台，从而遮盖所述托台的工作图案孔
直接接合

[实用新型]直接接合机-CN201720828042.3有效
发明人：朴培赫;朴钟奂;李闵泂;朴敏奎 -专利权人：塔工程有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： B29C65/42 文献下载
摘要：一种根据本实用新型的示例性实施例的直接接合机包括托台，其具有流动路径和工作图案孔，从外部供给的工作流体沿着所述流动路径流动，所述工作图案孔与流动路径连通且暴露至外侧；以及隔膜，其联接至所述托台，从而遮盖所述托台的工作图案孔
直接接合

[发明专利]低温铜-铜直接接合-CN201980091560.3在审
发明人：斯蒂芬·J·巴尼克二世;贾斯廷·奥伯斯特;卡利·托尔凯尔森;布莱恩·L·巴卡柳;托马斯·阿南德·波努司瓦米 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-12-07 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：低温下铜‑铜直接接合通过在衬底上电镀铜特征接着电平坦化这些铜特征而实现。在使纳米孪晶铜结构形成的条件下，将铜特征电镀在衬底上。具有纳米孪晶铜结构、减小粗糙度、及较佳共平面性的铜特征实现低温下的铜‑铜直接接合。
低温直接接合

[发明专利]直接接合方法和结构-CN202180078542.9在审
发明人： C·E·尤佐 -专利权人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种接合方法可以包括抛光第一元件的第一接合层以进行直接接合，第一接合层包括第一导电焊盘和第一非导电接合区域。在抛光之后，可以对经抛光的第一接合层执行最后的化学处理。在执行最后的化学处理之后，可以在没有中间粘合剂的情况下将第一元件的第一接合层直接接合到第二元件的第二接合层，包括将第一导电焊盘直接接合到第二接合层的第二导电焊盘并且将第一非导电接合区域直接接合到第二接合层的第二非导电接合区域在执行最后的化学处理与直接接合之间不对第一接合层执行处理或冲洗。
直接接合方法结构

[发明专利]用于微电子器件的直接接合的界面中的电容性耦合-CN201980080676.7在审
发明人： B·哈巴;A·R·西塔拉姆 -专利权人：伊文萨思公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：提供了用于微电子器件的直接接合的界面中的电容性耦合。在一实施方式中，微电子器件包括在接合界面处直接接合在一起的第一管芯和第二管芯、通过金属‑金属直接接合在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的导电互连件、以及在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的电容性互连件直接接合工艺在两个管芯的介电表面之间产生直接接合，在两个管芯的相应导电互连件之间产生直接接合，以及在接合界面处在两个管芯之间产生电容性耦合。在一实施方式中，每条信号线在接合界面处的电容性耦合包括每条信号线在接合界面处形成电容器的介电材料。电容性耦合产生于相同的直接接合工艺，该相同的直接接合工艺在相同的接合界面处产生直接接合在一起的导电互连件。
用于微电子器件直接接合界面中的电容耦合

[发明专利]具有直接接合的微电子组件中的牺牲再分布层-CN202111353155.X在审
发明人： A·A·埃尔谢尔比尼;V·A·斯特朗;S·M·利夫;B·M·罗林斯;J·沙基亚;J·M·斯旺;D·M·克雷格;J·A·特雷费尔;B·K·米勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：在一些实施例中，微电子组件可以包括：第一微电子部件，具有第一直接接合区域，其中第一直接接合区域包括第一金属触点和在第一金属触点中的相邻的第一金属触点之间的第一电介质材料；第二微电子部件，具有第二直接接合区域并且通过第一直接接合区域和第二直接接合区域耦合到第一微电子部件，其中第二直接接合区域包括第二金属触点和在第二金属触点中的相邻的第二金属触点之间的第二电介质材料，并且其中第一直接接合区域中的各个第一金属触点耦合到第二直接接合区域中的相应的各个第二金属触点；以及空隙，
具有直接接合微电子组件中的牺牲再分

[发明专利]微电子组件中的直接接合界面处的电容器和电阻器-CN202110946893.9在审
发明人： A·A·埃尔谢尔比尼;M·E·卡比尔;钱治国;G·S·帕斯达斯特;K·俊;S·M·利夫;J·M·斯旺;A·阿列克索夫;F·艾德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本文公开了微电子组件中的直接接合界面处的电容器和电阻器、以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，一种微电子组件可以包括第一微电子部件和第二微电子部件，其中，第二微电子部件的直接接合界面直接接合到第一微电子部件的直接接合界面，所述微电子组件包括传感器，所述传感器包括第一传感器板和第二传感器板，第一传感器板在第一微电子部件的直接接合界面处，并且第二传感器板在第二微电子部件的直接接合界面处。
微电子组件中的直接接合界面电容器电阻器

[发明专利]具有直接接合的微电子组件中的屏蔽结构-CN202180077797.3在审
发明人： A·A·埃尔谢尔比尼;G·S·帕斯达斯特;K·俊;钱治国;J·M·斯旺;A·阿列克索夫;S·M·利夫;M·E·卡比尔;F·艾德;K·P·奥布莱恩;H·W·田 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件，具有第一表面和相反的第二表面，所述第一微电子部件包括在第二表面处的第一直接接合区域，所述第一直接接合区域具有第一金属触点和在第一金属触点中的相邻第一金属触点之间的第一电介质材料；第二微电子部件，具有第一表面和相反的第二表面，所述第二微电子部件包括在第一表面处的第二直接接合区域，所述第二直接接合区域具有第二金属触点和在所述第二金属触点中的相邻第二金属触点之间的第二电介质材料，其中，所述第二微电子部件通过所述第一直接接合区域和所述第二直接接合区域耦接到所述第一微电子部件；以及在第一直接接合电介质材料中的屏蔽结构，至少部分地围绕所述第一金属触点中的一个或多个第一金属触点。
具有直接接合微电子组件中的屏蔽结构

[发明专利]微电子组件中的直接接合-CN202110948262.0在审
发明人： A·A·埃尔舍尔比尼;K·巴拉特;邓汉威;K·君;A·阿列克索夫;M·E·卡比尔;S·M·利夫;J·M·斯万;F·埃德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本文公开了包括直接接合的微电子组件，以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件和通过直接接合区耦合到第一微电子部件的第二微电子部件，其中直接接合区包括第一子区和第二子区，以及第一子区，并且第一子区具有比第二子区更大的金属密度。在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件和通过直接接合区耦合到第一微电子部件的第二微电子部件，其中直接接合区包括第一金属接触和第二金属接触，第一金属接触具有比第二金属接触更大的面积，并且第一金属接触电耦合到第一微电子部件的电源
微电子组件中的直接接合

[发明专利]提升直接接合的接触对准容限-CN201680073087.2在审
发明人：保罗·M·恩奎特斯;盖乌斯·吉尔曼·方腾·二世;贾维尔·A·狄拉克鲁兹 -专利权人：英帆萨斯邦德科技有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：一种接合装置结构包括：第一基板，其具有第一组传导性接触结构(较佳的是连接到一装置或电路)，并且具有在第一基板上相邻接触结构的第一非金属性区域；第二基板，其具有第二组传导性接触结构(较佳的是连接到一装置或电路)，并且具有在第二基板上相邻接触结构的第二非金属性区域；以及在第一组和第二组接触结构之间的接触接合接口，其是藉由将第一非金属性区域接触接合至第二非金属性区域所形成。
非金属性接触结构传导性接触第二基板第一基板对准容限接合电路寄生电容最小化接合装置区域接触直接接合相交点凹陷长形格栅基板平行

[发明专利]用于直接接合半导体结构的改善的接合表面-CN201210249557.X有效
发明人：玛丽亚姆·萨达卡 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：用于直接接合半导体结构的改善的接合表面。将第一半导体结构直接接合到第二半导体结构的方法包括以下步骤：在导电材料对导电材料直接接合工艺中将第一半导体结构的至少一个器件结构直接接合到第二半导体结构的至少一个器件结构。在一些实施方式中，在接合工艺之前，可使所述第一半导体结构的至少一个器件结构突出一距离，以超过所述第一半导体结构上的相邻的介电材料。使用这些方法来制造接合的半导体结构。
用于直接接合半导体结构改善表面

[发明专利]减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤-CN202080030123.3在审
发明人： G·高;L·W·米卡里米;G·G·小方丹 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：提供了减轻在制备衬底的直接接合时探测焊盘的表面损伤的方法。方法以及层结构在测试探测期间探测焊盘表面被破坏后，通过恢复平坦直接接合表面，制备用于直接接合处理的半导体衬底。示例性方法在被破坏的探测焊盘表面上填充一系列金属以及氧化物，并且构建电介质表面以及用于混合接合的互连件。互连件可以被连接到探测焊盘和/或衬底的其他电接触。层结构被描述用于增加所得直接接合处理的产出以及可靠性。另一处理在倒数第二金属化物层上构建探测焊盘，并且施加直接接合电介质层以及金属镶嵌处理而不增加掩模层的计数。
减轻制备衬底直接接合探测表面损伤

[发明专利]元件的接合结构-CN200780006638.4无效
发明人：占部宏成;松浦宜范;久保田高史 -专利权人：三井金属鉱业株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供在n⁺-Si等半导体层和Al系合金层直接接合时可防止Al和Si的互相扩散，可维持欧姆特性，可确保Al系合金层本身的低电阻特性的元件的接合结构。本发明是具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构，该元件的接合结构的特征在于，与Al系合金层直接接合的半导体层为含氮Si。
元件接合结构

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