“R·坎卡尔”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]直接接合结构-CN202180094803.6在审
发明人： R·坎卡尔;B·哈巴;P·M·恩奎斯特;小盖厄斯·G·方丹;G·高;C·E·尤佐 -专利权人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开了用于生产直接接合结构的方法和用于形成直接接合结构的方法的实施例。直接接合结构可以包括元件，该元件包括有源电子器件、微机电系统、光学元件等。
直接接合结构

[发明专利]用于聚丙烯生产的催化剂预处理及进料系统-CN202180065055.9在审
发明人： R·坎卡尔;J·A·玛驰勒;B·M·格尔纳;J·E·海因 -专利权人：切弗朗菲利浦化学公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C08F110/06 文献下载
摘要：公开了一种用于预聚合丙烯的工艺和系统。通过将催化剂颗粒与烃混合来形成第一催化剂悬浮液，所述烃为饱和烃或丙烯。将各种其他催化剂组分添加至第一催化剂悬浮液中，然后将第一催化剂悬浮液在预聚合条件下预聚合以形成预聚合的催化剂悬浮液，将所述预聚合的催化剂悬浮液引入至聚合反应器或储罐。所述饱和烃可以是丙烷、混合丁烷或它们的混合物。
用于聚丙烯生产催化剂预处理进料系统

[发明专利]环路淤浆反应器冷却方法和系统-CN202180062545.3在审
发明人： R·坎卡尔;J•E•海因;A•古普塔;E·J·曼奇拉斯;T•O•欧迪 -专利权人：切弗朗菲利浦化学公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：公开了用于将反应器冷却剂流分配到环路淤浆反应器的冷却套管的系统和方法，其中所述反应器冷却剂被用于控制烯烃聚合中的所述环路淤浆反应器的温度。还公开了用于控制被用于冷却烯烃聚合反应器的反应器冷却剂的温度的系统和方法，所述系统和方法可以与传统的冷却剂分配机制组合使用以及与本文公开的冷却剂分配系统和方法组合使用。
环路反应器冷却方法系统

[发明专利]层上共生网络-CN202211305634.9在审
发明人： J·A·德拉克鲁斯;B·哈巴;R·坎卡尔 -专利权人：伊文萨思公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本公开涉及片上共生网络。片上系统(SoC)可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。
共生网络

[发明专利]层上共生网络-CN202211305928.1在审
发明人： J·A·德拉克鲁斯;B·哈巴;R·坎卡尔 -专利权人：伊文萨思公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本公开涉及片上共生网络。片上系统(SoC)可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。
共生网络

[发明专利]层上共生网络-CN202080040869.2有效
发明人： J·A·德拉克鲁斯;B·哈巴;R·坎卡尔 -专利权人：伊文萨思公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：技术涉及片上系统(SoC)。SoC可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。
共生网络

[发明专利]用于互连的扩散阻挡衬层-CN202210498640.4在审
发明人： R·坎卡尔;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2018-10-01 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开涉及用于互连的扩散阻挡衬层。技术和装置的代表性实施方式用于减少或防止导电材料扩散到结合衬底的绝缘材料或电介质材料中。由于重叠，错位的导电结构可以直接接触衬底的电介质部分，尤其是在采用直接结合技术的情况下。通常在重叠处将可以抑制扩散的阻挡界面设置在导电材料和电介质之间。
用于互连扩散阻挡

[发明专利]在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构-CN202080046522.9在审
发明人： C·E·尤佐;R·坎卡尔;T·沃克曼;G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;B·哈巴;G·Z·格瓦拉;J·瓦塔纳贝 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：提供了用于在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。针对存储器模块和3DIC提供了用于减少垂直堆叠管芯中的缺陷的结构特征和堆叠配置。例如，示例工艺减轻了较厚的顶部管芯与其下方的直接键合管芯之间的翘曲应力。顶部管芯上的蚀刻表面可以减轻翘曲应力。示例堆叠可以包括在管芯之间的顺应层。另一堆叠配置用模制材料层代替顶部管芯以规避翘曲应力。键合表面上的腔体阵列可以减轻应力。还可以在顶部管芯的一侧或在其他管芯之间创建一个或多个应力平衡层以减轻或对抗翘曲。边缘圆角化可以防止应力和压力破坏性地传递穿过管芯和衬底层。这些措施可以一起或组合应用于单个封装中。
微电子学增加可靠性提高直接堆叠结构

[发明专利]密封的键合结构及其形成方法-CN202080033098.4在审
发明人： R·坎卡尔;A·R·西塔拉姆;L·W·米卡里米 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了一种键合结构。键合结构包括第一元件，该第一元件具有前侧和与前侧相对的背侧。第一元件在第一元件的前侧处具有第一导电焊盘和第一非导电场区。键合结构还包括第二元件，该第二元件具有在第二元件的前侧处的第二导电焊盘和第二非导电场区。第二导电焊盘沿着界面结构被键合到第一导电焊盘。键合结构还包括集成器件，该集成器件与第一元件或第二元件耦合或与第一元件或第二元件一起形成。键合结构还包括从第一元件的背侧延伸到界面结构的细长导电结构。细长导电结构在集成器件周围提供有效闭合轮廓。
密封结构及其形成方法

[发明专利]作为焊盘的TSV-CN201980051599.2在审
发明人： G·高;B·李;G·G·小方丹;C·E·尤佐;B·哈巴;L·W·米卡里米;R·坎卡尔 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：包括过程步骤的代表性技术和器件可以被采用，来减轻由于接合界面处的金属膨胀而导致接合的微电子衬底的分层的可能性。例如，穿硅过孔(TSV)可以设置穿过微电子衬底中的至少一个微电子衬底。TSV在衬底的接合界面处被暴露，并且用作针对直接接合的接触表面。
作为 tsv

[发明专利]芳构化工艺中分离和再循环氢的方法-CN201980030755.7在审
发明人： R·坎卡尔;S·G·莫里森;S·D·布里格斯;C·M·克拉格;V·D·麦加希 -专利权人：切弗朗菲利浦化学公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C10G5/06 文献下载
摘要：一种在苯生产系统中处理一个或多个流的方法，包括：从芳构化反应器系统接收包含苯的反应器流出物流；将反应器流出物流引入第一分离器中以产生第一气流和第一液流；将所述第一气流分成所述第一气流的第一部分和第二部分；将第一气流的第一部分引入第一压缩机中以产生第一压缩气流；将第一压缩气流引入第二分离器中以产生包含氢的再循环气流和第二液流；将再循环气流再循环至芳构化反应器系统；将第一气流的第二部分引入第二压缩机中以产生第二压缩气流；将第二压缩气流引入第三分离器中以产生包含氢的气体产品流和第三液流；以及可选地将气体产品流再循环至芳构化反应器系统。
化工分离再循环方法

[发明专利]3D NAND高长径比串和沟道-CN201911309429.8在审
发明人： R·坎卡尔;常旭;B·哈巴 -专利权人：艾克瑟尔西斯公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明题为“3D NAND高长径比串和沟道”。本公开的方面涉及形成完整的层堆叠。形成完整的层堆叠可以包括在第一基板上形成第一层堆叠以及在第二基板上形成第二层堆叠。第一层堆叠可以结合到第二层堆叠。可以去除第一基板或第二基板。在结合第一层堆叠和第二层堆叠之前，可以在第一层堆叠中蚀刻一个或多个孔。在去除第二基板之后，可以在第二层堆叠中蚀刻一个或多个孔，其中第二层堆叠中的一个或多个孔中的每一个延伸到第一层堆叠中的一个或多个孔中的对应孔中。
nand 长径沟道

[发明专利]用于三维NAND的堆叠架构-CN201911319706.3在审
发明人： S·莫利安;J·A·德拉克鲁斯;常旭;B·哈巴;R·坎卡尔 -专利权人：艾克瑟尔西斯公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明题为“用于三维NAND的堆叠架构”。本公开的多个方面涉及形成具有多个存储器区段的堆叠NAND。形成具有多个存储器区段的堆叠NAND可包括在牺牲衬底上形成第一存储器区段。可在衬底上形成逻辑区段。可将逻辑区段键合到第一存储器区段。可从第一存储器区段移除牺牲衬底，并且可形成具有第二牺牲衬底的第二存储器区段并将其键合到第一存储器区段。
用于三维 nand 堆叠架构

[发明专利]用于互连的扩散阻挡衬层-CN201880055006.5在审
发明人： R·坎卡尔;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2018-10-01 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：技术和装置的代表性实施方式用于减少或防止导电材料扩散到结合衬底的绝缘材料或电介质材料中。由于重叠，错位的导电结构可以直接接触衬底的电介质部分，尤其是在采用直接结合技术的情况下。通常在重叠处将可以抑制扩散的阻挡界面设置在导电材料和电介质之间。
用于互连扩散阻挡

[发明专利]用于局部化底充胶的器件和方法-CN201580053897.7有效
发明人：王亮;R·坎卡尔;C·G·沃伊奇克;C·E·尤佐 -专利权人：伊文萨思公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于局部化底充胶的器件和方法，所述器件和方法包括衬底、多个管芯和底充胶材料。衬底包括由多个台面分隔的多个触点以及多个腔体。所述多个管芯使用所述多个触点安装到所述衬底。所述底充胶材料位于所述衬底和所述管芯之间。所述底充胶材料使用所述台面局部化为多个区域。所述触点中的每个位于所述腔体中的相应一个。在一些实施方案中，所述衬底还包括互连所述腔体的多个通道。在一些实施方案中，所述衬底还包括多个腔体内台面，用于进一步局部化所述底充胶材料。在一些实施方案中，所述管芯的第一个的外边缘置于所述腔体的第一个的边缘上。
用于局部化底充胶器件方法

1
2
下一页»
尾页
共 16 条