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[发明专利]一种质谱分析方法-CN201110461610.8有效
发明人：吴先伟;李晓旭;雷学列;俞建成;王训斌 -专利权人：聚光科技(杭州)股份有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种质谱分析方法，包括以下步骤：A、设定分析参数选定目标q值及目标离子化时间，得出在该目标q值下各目标离子分别对应的射频电压，并进一步得出各离子在相应射频电压下对应的共振频率；B、将目标离子离子化；C、利用频域信号AC将各目标离子分别进行隔离并检测，频域信号AC包括除目标离子外所有其他离子的共振频率；其中，每个目标离子的隔离检测步骤为：将RF电压提升至待检目标离子对应的射频电压，使频域信号AC在该待检目标离子对应的共振频率处缺失，则离子阱内仅保留该待检目标离子；扫描离子阱，将待检目标离子排出阱外并被检测。本发明具有目标离子隔离灵敏度高等优点。
种质谱分析方法

[发明专利]量子随机数生成方法、装置、设备、系统及存储介质-CN202310636834.0在审
发明人：汪景波;陈俣翱;刘树森 -专利权人：北京百度网讯科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：具体实现方案为：确定用于施加在目标离子上的目标脉冲的脉冲特征，其中，所述目标离子为用于作为量子比特的离子；基于所述目标脉冲的脉冲特征，对所述目标离子施加所述目标脉冲，以使所述目标离子处于目标叠加态；利用处于所述目标叠加态的目标离子
量子随机数生成方法装置设备系统存储介质

[发明专利]离子源、重粒子线照射装置及方法、离子源的驱动方法-CN201310070318.2有效
发明人：角谷晶子;桥本清;佐藤洁和;吉行健;来栖努 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及能够在使用激光的离子源中始终监视真空容器内的离子中的与目标离子不同的非目标离子的离子源、重粒子线照射装置、离子源的驱动方法以及重粒子线照射方法。激光烧蚀等离子体产生装置（27）使得从真空容器（1）内的包含有元素的靶（2）产生激光烧蚀等离子体（4）。离子束引出部（18）通过将激光烧蚀等离子体（4）中包含的离子从真空容器（1）内引出来生成离子束（5）。离子检测器（9）检测真空容器（1）内的离子中的与元素被离子化后的目标离子不同的非目标离子，作为检测结果而输出检测信号（14），该检测信号（14）表示非目标离子的数量，或者表示作为非目标离子相对于目标离子的混合比的值
离子源粒子照射装置方法驱动

[发明专利]一种基于四极杆-线性离子阱串联质谱仪离子碎裂的方法-CN201710731347.7有效
发明人：江游;楚士颖;刘梅英;方向;黄泽建;龚晓云;熊行创 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：本发明主要属于质谱技术领域，具体涉及一种基于四极杆‑线性离子阱串联质谱仪离子碎裂的方法。所述方法为利用四极杆从离子化离子中选出目标离子并使目标离子进入离子阱，目标离子在离子阱中积累一定浓度后对离子进行冷却，将四极杆射频电压升至与所述目标离子相同电压的1/3，同时，对所述离子阱施加射频电场，实现对存储在离子阱中的目标离子的碎裂。本发明为离子碎裂提供了一个新方法。
一种基于四极杆线性离子串联质谱仪碎裂方法

[发明专利]提升离子阱串联质谱定量精密度的方法、系统、介质和设备-CN202310782434.0有效
发明人：卜杰洵;张男;蓝鹏 -专利权人：清谱科技（苏州）有限公司;北京清谱科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N30/88 文献下载
摘要：本发明涉及串联质谱定量分析技术领域，公开一种提升离子阱串联质谱定量精密度的方法、系统、介质和设备，包括：将目标物和内标束缚在离子阱中，根据目标物的目标离子的质荷比和内标的内标离子的质荷比获取特定波形，特定波形包含离子阱中除必要离子外的其他离子所具有的离子角频率；根据特定波形对离子阱内的目标离子和内标离子进行离子选择，判断目标物的碎片和内标的碎片是否一致，若一致则将通过离子选择出的目标离子和内标离子同时进行碎裂和质谱分析，若不一致则将通过离子选择出的目标离子和内标离子进行顺序碎裂和质谱分析
提升离子串联定量精密度方法系统介质设备

[发明专利]锂离子导体-聚合物-陶瓷膜-CN202080064574.9在审
发明人：王焕庭;N·S·恩古延;Z·王 -专利权人：莫纳什大学
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B01D61/42 文献下载
摘要：可渗透离子的膜用于目标离子优选锂选择性渗透通过该膜，该膜包含可渗透目标离子复合材料，该复合材料包含可渗透目标离子的陶瓷和与该可渗透目标离子的陶瓷缔合的至少一种有机聚合物。
锂离子导体聚合物陶瓷膜

[发明专利]离子捕集的方法和设备-CN200680010091.0有效
发明人： A·A·马卡罗夫;E·丹尼索夫;G·荣;R·马雷克;O·兰格 -专利权人：萨默费尼根有限公司
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：本发明涉及捕集离子的方法以及离子捕集装置。具体地，本发明应用于质谱仪中离子质量分析之前的离子阱中的离子气体辅助捕集。本发明提供了一种在离子捕集装置的目标离子阱中捕集离子的方法，该离子捕集装置包括安排的一系列的体使得离子可从一个体穿过到下一个体，这些体包括目标离子阱，由此使离子能够反复地穿过体使得它们还进入所述目标离子阱并从所述目标离子阱出来而不被捕集电位可用于将离子从离子捕集装置的各端反射。选择地，势阱和/或气体辅助冷却可用于使离子稳定在目标离子阱中。
离子方法设备

[发明专利]基于深度学习的Vocs质谱图离子碎片峰区域识别方法及装置-CN202310233026.X在审
发明人：石磊;程平;贾滨;刘吉星;史崇丽;张坚;刘立峰;徐维嘉;王文重 -专利权人：珠海高凌信息科技股份有限公司;上海大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于深度学习的Vocs质谱图离子碎片峰区域识别方法及装置，该方法包括：获取目标Vocs质谱图，将目标Vocs质谱图输入至训练好的目标DeepGCMSPeak模型，目标DeepGCMSPeak模型包括第一CNN网络和第二CNN网络；通过第一CNN网络从目标Vocs质谱图中识别出目标离子碎片峰区域；将目标离子碎片峰区域输入至第二CNN网络，通过第二CNN网络识别出目标离子碎片峰区域的目标区域面积；将目标离子碎片峰区域和目标区域面积确定为目标Vocs质谱图的目标识别结果。根据本发明实施例的技术方案，能够在通过目标DeepGCMSPeak模型的两个深度学习网络分别识别出目标离子碎片峰区域和目标区域面积，有效提高离子碎片峰区域的识别效率，为提高Vocs质谱图的分析效率提供数据基础
基于深度学习 vocs 质谱图离子碎片区域识别方法装置

[发明专利]用于调节离子阱中的离子群体以用于MSn-CN201810797099.0有效
发明人： J·C·施瓦茨;李林繁 -专利权人：萨默费尼根有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：一种质谱分析设备包含离子源、离子阱和质谱仪控制器。所述离子源被配置成产生离子。所述离子阱被配置成：俘获RF场内的离子；排出不需要的离子，同时保留目标离子；以及使目标离子碎裂。所述质谱仪控制器被配置成：基于前体离子流和产物离子流来确定所述离子阱的注入时间；用来自所述离子源的离子来填充所述离子阱达等于所述注入时间的时间量；隔离所述离子阱中的目标前体离子；使所述目标前体离子碎裂以产生产物离子；以及对所述产物离子进行质量分析。
用于调节离子中的群体 ms base sup

[发明专利]离子注入程式的正确性验证方法及装置-CN201910673189.3在审
发明人：孙天拓;高杏;陆叶涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入程式的正确性验证方法及装置。方法包括：确定目标离子注入程式，获取与目标离子注入程式对应的实际离子注入参数；基于目标离子注入程式名获取常数型校验规则，比对实际离子注入参数与离子注入参数目标值是否一致；获取函数型校验规则，函数型校验规则包括不同离子注入参数之间的对应关系，判定实际离子注入参数之间是否符合函数型校验规则；当实际离子注入参数与离子注入参数目标值一致，且符合函数型校验规则时，将目标离子注入程式对应的实际离子注入参数作为基准版本导入至程式管理模块中。本发明提供的方法可以确保离子注入程式的实际离子注入参数的正确建立。
离子注入参数校验规则目标离子离子正确性验证管理模块比对判定

[发明专利]重金属离子的检测方法-CN201811169021.0在审
发明人：李俊锜;徐树刚;吴旻珊;王儀婷;张婷婷;张冠甫 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G01N27/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种重金属离子的检测方法，其包括下列步骤。使废水流经用以吸附至少两种目标金属离子的离子拓印高分子管。冲洗离子拓印高分子管，以移除离子拓印高分子管中的非目标物。以酸液脱附离子拓印高分子管中的目标金属离子。以电化学法检测目标金属离子的浓度。
高分子管拓印目标金属离子离子重金属离子检测电化学法目标物酸液脱附吸附移除冲洗废水

[发明专利]用于光刻图案化的方法-CN201811435002.8有效
发明人：杨承翰;吴宗翰;张致玮;林欣玫;谢翊群;张晞砚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：方法包括在衬底上沉积目标层；通过将离子注入到目标层中来减少入射到目标层上的光的反射，从而产生离子注入的目标层；在离子注入的目标层上涂覆光刻胶层；使用光刻工艺将光刻胶层暴露于光，其中目标层在光刻工艺期间减少在离子注入的目标层和光刻胶层之间的界面处的光的反射；显影光刻胶层以形成光刻胶图案；用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻离子注入的目标层；使用至少蚀刻的离子注入的目标层作为工艺掩模处理衬底；以及去除蚀刻的离子注入的目标层。
用于光刻图案方法

[发明专利]一种等离子体光刻成像方法及装置-CN202211405494.2在审
发明人：丁虎文;韦亚一;刘丽红;董立松;李梓棋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种等离子体光刻成像方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像的目标成像结构，目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形，将目标掩模图形输入快速成像模型，得到目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，快速成像模型是利用目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的，本申请中通过目标成像结构的训练掩模图形以及训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练快速成像模型，这样该模型就可以后续用于快速输出目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，提高对于等离子体光刻成像的输出效率，为后续对等离子体光刻成像进行研究提供了有效模型，极大地方便了对于等离子体光刻技术的研究。
一种等离子体光刻成像方法装置

[发明专利]一种不依赖保留时间的化学物质注释方法-CN202211262069.2有效
发明人：薛靖川;诸嘉民;蔡宴朋;谭倩;杨丹琳;林憶玲 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：该方法包括：获取基于离子源内高能裂解现象采集的目标化学物质的源内碎片离子质谱数据建立目标化学物质离子数据库，并采集样品化学物质的二级离子质谱数据。分别在所述样品化学物质的二级离子质谱数据中提取具体目标化学物质的母离子的色谱数据。对提取的色谱数据进行峰检测以确定若干潜在物质色谱峰及对应的出峰时段。基于该样品化学物质的碎片离子质谱数据中该具体潜在物质色谱峰对应的母离子和目标碎片离子在对应出峰时段内的丰度相关度，确定所述具体目标化学物质存在的可信度。所述目标碎片离子为目标化学物质离子数据库中所述具体潜在物质色谱峰对应的母离子关联的所有碎片离子。
一种不依赖保留时间化学物质注释方法

[发明专利]等离子体涂覆目标宽频段雷达吸波参数选取方法和装置-CN202011493587.6有效
发明人：冯雪健;邓浩川;霍超颖;韦笑;殷红成 -专利权人：北京环境特性研究所
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：一种等离子体涂覆目标宽频段雷达吸波参数选取方法和装置，包括：建立等离子体涂覆目标宽频段雷达吸波电磁计算模型；确定等离子体涂覆目标优化参数的变化范围；在所述优化参数的变化范围内随机选取等离子体涂覆目标参数初始值；利用时域有限差分方法计算等离子体涂覆目标宽频段雷达吸波电磁计算模型宽频段雷达吸波效果；通过参数优化方法对等离子体涂覆目标参数进行更新；通过预先设置的优化终止条件跳出参数优化循环，得到等离子体涂覆目标宽频段雷达吸波所对应的参数值可以针对等离子体涂覆目标宽频段雷达吸波需求实现对应参数的优化选取，用于目标结构的隐身优化设计。
等离子体目标宽频雷达参数选取方法装置

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