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[发明专利]电源抑制比测试系统-CN202210216583.6在审
发明人：许超;宋海艳 -专利权人：宁波奥拉半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种电源抑制比测试系统，包括：信号处理模块，用于输出预设频点的交流调制信号；测试模块，与信号处理模块连接，用于获取交流调制信号并和预设直流信号叠加后输出测试电压信号至待测产品，预设频点在测试模块的频带宽度范围内；电流源模块，连接于待测产品的输入端和输出端之间，用于提供负载电流；信号处理模块，与待测产品的采样端连接，还用于通过采样端获取测试电压信号和待测产品输入所述测试电压信号时的输出信号，并计算出预设频点的电源抑制比值
电源抑制测试系统

[实用新型]电源抑制比测试系统-CN202220484403.8有效
发明人：许超;宋海艳 -专利权人：宁波奥拉半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种电源抑制比测试系统，包括：信号处理模块，用于输出预设频点的交流调制信号；测试模块，与信号处理模块连接，用于获取交流调制信号并和预设直流信号叠加后输出测试电压信号至待测产品，预设频点在测试模块的频带宽度范围内；电流源模块，连接于待测产品的输入端和输出端之间，用于提供负载电流；信号处理模块，与待测产品的采样端连接，还用于通过采样端获取测试电压信号和待测产品输入所述测试电压信号时的输出信号，并计算出预设频点的电源抑制比值
电源抑制测试系统

[发明专利]一种运算放大器和电压基准源电路-CN201710439180.7在审
发明人：方海彬;刘铭 -专利权人：合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种运算放大器和电压基准源电路，运算放大器包括初级放大模块，运算放大器还包括：电源抑制比提高模块，电源抑制比提高模块的第一端与运算放大器的电源相连，电源抑制比提高模块的输入端与初级放大模块的输出端相连，电源抑制比提高模块的输出端作为运算放大器的输出端，电源抑制比提高模块用于跟随运算放大器的电源电压变化，并输出初级放大模块的输出信号。本发明实施例通过在运算放大器中增加电源抑制比提高模块，实现提高运算放大器的电源抑制比，使得应用该运算放大器的电压基准源电路的电源抑制比也相应提高。
电源抑制比运算放大器电压基准源电路初级放大模块输出端跟随运算放大器电源电压变化放大器输出端相连输出信号第一端输入端与运算电源输出应用

[实用新型]一种运算放大器和电压基准源电路-CN201720677706.0有效
发明人：方海彬;刘铭 -专利权人：合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型提供一种运算放大器和电压基准源电路，运算放大器包括初级放大模块，运算放大器还包括电源抑制比提高模块，电源抑制比提高模块的第一端与运算放大器的电源相连，电源抑制比提高模块的输入端与初级放大模块的输出端相连，电源抑制比提高模块的输出端作为运算放大器的输出端，电源抑制比提高模块用于跟随运算放大器的电源电压变化，并输出初级放大模块的输出信号。本实用新型通过在运算放大器中增加电源抑制比提高模块，实现提高运算放大器的电源抑制比，使得应用该运算放大器的电压基准源电路的电源抑制比也相应提高。
一种运算放大器电压基准电路

[发明专利]宽频高电源抑制比的带隙基准电路-CN202310959656.5在审
发明人：胡康;俞向荣 -专利权人：无锡艾为集成电路技术有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种宽频高电源抑制比的带隙基准电路，宽频高电源抑制比的带隙基准电路包括：分压电路的一端与信号源电连接，分压电路的另一端与第一电源抑制比提高电路一端电连接；基准电压电路的一端与第一电源抑制比提高电路的另一端电连接，基准电压电路的另一端与第二电源抑制比提高电路一端电连接，第二电源抑制比提高电路另一端作为输出。通过上述方式一方面可以显著提升输出电压中低频时的电源抑制比特性，一方面可更好的实现输出电压在宽频率范围具有较高电源抑制比的特性。
宽频电源抑制基准电路

[发明专利]高电源抑制比电压调整电路-CN201610838388.1有效
发明人：唐浩月 -专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电源抑制比电压调整电路，包括启动子电路、与所述启动子电路相连的用于提供基准电流的基准源子电路、与所述基准源子电路相连的电压调整子电路、连接于所述基准源子电路与所述电压调整子电路之间的用于保证环路稳定性的负反馈子电路及与所述电压调整子电路相连的高电源抑制比子电路，所述启动子电路启动所述高电源抑制比电压调整电路的工作，所述电压调整子电路产生需要的可以调节的输出电压，所述高电源抑制比子电路提高所述高电源抑制比电压调整电路的电源抑制比。本发明提高了电压调整电路的高频段部分的电源抑制比。
电源抑制电压调整电路

[实用新型]高电源抑制比电压调整电路-CN201621070108.9有效
发明人：唐浩月 -专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高电源抑制比电压调整电路，包括启动子电路、与所述启动子电路相连的用于提供基准电流的基准源子电路、与所述基准源子电路相连的电压调整子电路、连接于所述基准源子电路与所述电压调整子电路之间的用于保证环路稳定性的负反馈子电路及与所述电压调整子电路相连的高电源抑制比子电路，所述启动子电路启动所述高电源抑制比电压调整电路的工作，所述电压调整子电路产生需要的可以调节的输出电压，所述高电源抑制比子电路提高所述高电源抑制比电压调整电路的电源抑制比。本实用新型提高了电压调整电路的高频段部分的电源抑制比。
电源抑制电压调整电路

[实用新型]一种高电源抑制比的带隙电压源结构-CN201922187608.0有效
发明人：黄敬馨;章国豪;刘祖华 -专利权人：东莞赛唯莱特电子技术有限公司;广州穗源微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高电源抑制比的带隙电压源结构，包括产生单元，电源抑制比提高单元以及偏置单元。电源抑制比提高单元利用放大器做钳位以及局部电压反馈来提高电源抑制比。同时为了提高电源抑制比，将输出端连接到电流镜的电源端，构成一个局部电压反馈，使得电流镜的电源端不直接受电源电压的影响而改变，从而大大提高了传统电流镜形式结构带隙基准电路的电源抑制比。
一种电源抑制电压结构

[发明专利]高电源抑制比基准电路-CN202010029689.6在审
发明人：王宇星;曹薇薇 -专利权人：无锡科技职业学院
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：高电源抑制比基准电路，其结构设计简单合理，可降低功耗和投入成本，其包括启动电路模块、带隙基准电路模块，其还包括预调节电路模块，所述预调节电路模块输入端连接电压源VDD，预调节电路模块用于形成内部稳定电压
电源抑制基准电路

[实用新型]高电源抑制比电流源-CN201520372781.7有效
发明人：陶霞菲 -专利权人：杭州宽福科技有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高电源抑制比电流源。高电源抑制比电流源包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第三电阻、第四电阻、第四NPN管、第五电阻、第五NPN管、第六电阻、第六NPN管、第二PMOS管、第三利用本实用新型提供的高电源抑制比电流源可以输出高电源抑制比的电流。
电源抑制电流

[发明专利]提升电源抑制比的电源稳压芯片-CN202111052944.X在审
发明人：袁广睿;刘晓敏;马永健;陆竹青 -专利权人：无锡力芯微电子股份有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种LDO电路，尤其是一种提升电源抑制比的电源稳压芯片。按照本发明提供的技术方案，所述提升电源抑制比的电源稳压芯片，包括LDO电路本体，还包括与所述LDO电路本体适配连接的电源抑制比增强电路，所述电源抑制比增强电路的电源端与电源电压VDD连接，电源抑制比增强电路能产生并输出对电源电压VDD有抑制作用的内部电压VPP，所述电源抑制比增强电路所产生的内部电压VPP能提供LDO电路本体所需的工作电压。本发明能提升LDO电路的电源抑制比，确保LDO电路性能的稳定性与可靠性。
提升电源抑制稳压芯片

[发明专利]一种高电源抑制比的电压基准电路-CN201010549933.8无效
发明人：张立新;谢凌寒;陈健;易扬波;周飙;李海松;张韬;武家中 -专利权人：无锡芯朋微电子有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明公布了一种高电源抑制比的电压基准，包括前级缓冲电路和传统电压模带隙基准电路，其中前级缓冲电路包括电流偏置模块和低阻抗电路模块。所述低阻抗电路模块为第二级传统电压模带隙基准电路提供静态工作点、抑制电源噪声。第二级传统电压模带隙基准电路产生1.25V带隙基准。该电压基准电源抑制比高，在低频段的电源抑制比约为125dB，而在10KHz时，电源抑制比约为94dB，这一性能远高于一般的电压基准。在要求对电源噪声抑制高的模拟芯片中，例如高电源抑制比的LDO，这类电路可以广泛应用。
一种电源抑制电压基准电路

[发明专利]一种低噪声高电源抑制比的两级低压差线性稳压器-CN201911257150.X有效
发明人：李巍;胡晗;叶骄 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于模拟CMOS集成电路技术领域，具体为一种低噪声高电源抑制比的两级低压差线性稳压器。本发明两级低压差线性稳压器由高电源抑制比的低压差线性稳压器和低噪声的低压差线性稳压器级联而成；前者包括高电源抑制比带隙基准电压源和高电源抑制比低压差线性稳压器主体电路；后者包括低噪声带隙基准电压源和低噪声低压差线性稳压器主体电路在1.8V电源电压VDD下，高电源抑制比的低压差线性稳压器为低噪声的低压差线性稳压器提供1.4V的零温度系数电源电压VDD1；两者级联实现一个低噪声高电源抑制比的两级低压差线性稳压器，并输出一个600mV
一种噪声电源抑制两级低压线性稳压器

[实用新型]一种具有高的低频电源抑制比低压线性稳压源-CN201820716707.6有效
发明人：刘志明 -专利权人：合肥市汤诚集成电路设计有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高的低频电源抑制比低压线性稳压源，包括一个参考电压单元、一个误差放大器、一个PMOS、两个电阻和一个电容，还包括由三个PMOS管、两个电流源和一个电阻构成的低频电源抑制比提高电路由于低频电源抑制比提高电路的加入，提高了低压线性稳压源的低频电源抑制比，方案简单实用。
低频电源抑制比低压线性稳压源电阻电路参考电压单元本实用新型误差放大器电容电流源

[发明专利]改善电源抑制比的电源电压钳制-CN202010263974.4有效
发明人： C·I·斯多克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本申请公开了改善电源抑制比的电源电压钳制。一种电路(100)，包括具有DAC输入和DAC输出的数模转换器(DAC，160)。该电路(100)包括具有VREF发生器输入、VREF发生器输出和VREF电源输入的参考电压(VREF)发生器。VREF发生器输出耦合到DAC输入。稳压器具有稳压器输入和稳压器输出。第一钳位电路输入耦合到稳压器输入，钳位电路输出耦合到VREF电源输入。第二钳位电路输入耦合到稳压器输出。钳位电路(110)包括具有第二钳位电路输入的源极跟随器电路。
改善电源抑制电压钳制

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