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[发明专利]电极形成装置、电极形成系统、以及电极形成方法-CN201410491500.X在审
发明人：栗原弘邦;五十岚章雄;水鸟量介;后和昭典;桥本尚明 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及电极形成装置、电极形成系统、以及电极形成方法。提供一种提高了将电极形成于基板的处理的成品率的电极形成装置、电极形成系统以及电极形成方法。电极形成装置(1)具备：按压板(13)，从上方按压基板(B)；吸附装置(14)，将基板(B)吸附到印刷平台(11)；掩模部件(15)，一体形成有用于对基板(B)涂覆焊剂的第1掩模部、和用于对涂覆了焊剂的基板
电极形成装置系统以及方法

[发明专利]MEMS电极微桥形成方法-CN201810757203.3在审
发明人：刘善善;朱黎敏;朱兴旺 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS电极微桥形成方法，包括如下步骤：步骤1、准备一硅基板，该硅基板上形成有带牺牲层非晶硅薄膜，在该非晶硅薄膜上覆盖SiO2；步骤2、在步骤1所形成的硅片上形成电极接触层非晶硅膜；步骤3、在所述电极接触层非晶硅膜上依次形成电极层TiN及表面SiO2，并图形化；步骤4、刻蚀步骤3形成的表面SiO2，露出电极层TiN；步骤5、湿法刻蚀电极层TiN，形成图形。本发明能够完整的形成MEMS电极微桥结构。
电极电极层电极接触层非晶硅薄膜非晶硅膜硅基板微桥刻蚀步骤湿法刻蚀微桥结构图形化牺牲层硅片覆盖

[发明专利]一种具有交叉回路下部电极的制备工艺-CN202210124923.2有效
发明人：杨佐东;李宗泰;郎凯 -专利权人：重庆臻宝实业有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C23C4/02 文献下载
摘要：本发明涉及下部电极制备技术领域，具体涉及一种具有交叉回路下部电极的制备工艺，包括以下步骤：步骤一，基板定位；步骤二，形成底层绝缘层；步骤三，铺设掩盖膜；步骤四，形成回路电极层；步骤五，形成非电极回路区；步骤六，形成上层绝缘层；步骤七，研磨上层绝缘层。本发明的一种具有交叉回路下部电极的制备工艺因为省略了通过研磨加工电极层来得到非电极回路的步骤，采用本发明的工艺形成电极回路后可省去大部分研磨加工的时间，同时不会出现在非电极回路区出现电极层残留从而导致两个电极层之间的导通炸裂现象
一种具有交叉回路下部电极制备工艺

[发明专利]半透过式FFS型液晶显示装置及其制造方法-CN200710119285.0有效
发明人：金在光 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明涉及一种半透过式FFS型液晶显示装置及其制造方法，该方法包括：步骤1.在基板表面形成栅电极；步骤2.在经过步骤1的基板表面形成栅绝缘层，使栅绝缘层覆盖整个基板表面；步骤3.在经过步骤2的基板表面形成硅岛，并使硅岛位于栅电极上方；步骤4.经过步骤3的基板表面形成作为透射区域的像素电极层和作为反射区的源漏电极层，源漏电极层重叠设置在部分像素电极层表面，像素电极层和源漏电极层电连接；步骤5.在经过步骤4的基板表面形成钝化层，使钝化层覆盖整个基板表面；步骤6.在经过步骤5的基板表面形成公共电极层，使公共电极层表面以设定间隙形成凹谷。
透过 ffs 液晶显示装置及其制造方法

[发明专利]半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法-CN201210056791.0有效
发明人：贾沛 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，包括以下步骤：步骤1、提供基板；步骤2、在基板上形成透明电极层、在透明电极层上形成第一金属层；步骤3、通过第一道光罩制程以形成预定图案的栅极及像素电极，其中，该像素电极由透明电极层形成并暴露，该栅极由透明电极层及第一金属层形成；步骤4、在栅极及像素电极上形成绝缘层；步骤5、通过第二道光罩制程在上述绝缘层上形成预定图案的栅极绝缘层；步骤6、在栅极绝缘层上形成半导体层、在半导体层及像素电极上形成第二金属层；步骤7、通过第三道光罩制程在半导体层上形成预定图案的沟道层及在第二金属层上形成预定图案的漏极、源极及反射部，形成薄膜晶体管。
半穿半反液晶显示器阵列制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN99100712.3无效
发明人：井上显;菅原宽 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1999-02-10 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：第一步骤，在第一导电型的半导体衬底上形成栅极绝缘膜；第二步骤，在栅极绝缘膜上形成下电极；第三步骤，在下电极和栅极绝缘膜的两侧区域的半导体衬底的表面上掺杂第二导电型杂质，从而形成源极和漏极；第四步骤，在下电极上形成保护膜；第五步骤，在源极和漏极上形成硅化物层；第六步骤，除去保护膜，随后形成具有T形截面以与下电极露出的上表面接触的上电极，从而形成包括上电极和下电极的浮置栅；第七步骤，形成隔离绝缘膜以覆盖上电极；和第八步骤，通过隔离绝缘膜在浮置栅上形成控制栅。
半导体器件制造方法

[发明专利]燃料电池的制造方法-CN202010100025.4有效
发明人：麦岛丈弘;藤本洸生;长﨑仁志 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明提供一种燃料电池的制造方法及燃料电池，可利用一个激光振荡器无需高精度的控制而形成适当的互联体部。所述燃料电池的制造方法包括：第一狭缝形成步骤，在第一电极上形成第一狭缝；电解质膜层叠步骤，在第一电极上层叠电解质膜；IC形成步骤，在电解质膜上形成互联体部；第二狭缝形成步骤，在第二电极上形成第二狭缝；第二电极层叠步骤，使第二电极层叠于电解质膜；以及侧缘部去除步骤，以经由第一狭缝将第一电极分割为多个的方式且以经由第二狭缝将第二电极分割为多个的方式，除去第一电极及第二电极的侧缘部。
燃料电池制造方法

[发明专利]一种倒装LED芯片结构及其制造方法-CN201410425677.X有效
发明人：刘英策;胡红坡 -专利权人：广东量晶光电科技有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供一种倒装LED芯片结构及其制作方法，其中该方法包括：步骤1，依次布置衬底、缓冲层、N型层、发光层和P型欧姆接触层；步骤2，通过刻蚀形成芯片隔离区；步骤3，在芯片两侧边缘对称分别形成N型电极形成区；步骤4，在P型欧姆接触层之上形成扩散反射层，在隔离区、N型电极形成区、扩散发射层之上形成绝缘介质膜层；步骤5、对N型电极型成区、扩散反射层之上的绝缘介质膜层形成N电极、P电极的窗口区，并对绝缘介质膜层形成山脊分离形状；步骤6、制作形成P型电极和N型电极，焊接于PCB板上。
绝缘介质膜倒装LED芯片反射层隔离区扩散芯片分离形状两侧边缘依次布置窗口区发光层发射层缓冲层山脊衬底刻蚀制作焊接对称申请制造

[发明专利]电极形成-CN202010459561.3在审
发明人： A-J·B·程;B·D·克劳斯;S·S·克尔克;M·N·洛克莱;C·W·佩茨;R·比勒;金道俊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明描述与电极形成相关的设备、方法和系统。在存储节点的电介质材料上方形成顶部电极的第一部分。在所述电极的所述第一部分上方形成金属氧化物。在所述金属氧化物上方形成所述电极的第二部分。
电极形成

[发明专利]有机平面发光装置及透明电极板制造方法-CN02157845.1无效
发明人：魏茂国 -专利权人：铼宝科技股份有限公司
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机平面发光装置制造方法，其中该装置包含一透明电极板、一有机电激发光层以及一金属阴极，该制造方法包含下列步骤：一透明电极基板形成步骤、一绝缘层形成步骤、一固化步骤、一有机电激发光层形成步骤以及一金属阴极形成步骤，其中，在透明电极基板形成步骤中，于透明基板上形成复数个相互分离的透明阳极；在绝缘层形成步骤中，以喷墨印刷方式在该透明阳极周围形成绝缘层；在固化步骤中，将绝缘层固化，以形成透明电极板；在有机电激发光层形成步骤中，于形成有透明阳极与绝缘层的透明电极板上形成一有机电激发光层；以及在金属阴极形成步骤中，在有机电激发光层上镀上金属阴极，另外，本发明亦提供一种透明电极板制造方法。
有机平面发光装置透明极板制造方法

[发明专利]有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件-CN201310566264.9有效
发明人：韩佰祥 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件，所述方法包括步骤1、提供基板（20）；步骤2、在基板（20）上形成第一电极（21）；步骤3、在第一电极（21）与基板（20）上形成栅极绝缘层（22）；步骤4、在栅极绝缘层（22）上形成第二电极（23），该第二电极（23）包括第二金属层（224）及透明导电层（222）；步骤5、在第二电极（23）与栅极绝缘层（22）上形成氧化物半导体层（24）；步骤6、在氧化物半导体层（24）与第二电极（23）上形成有机平坦化层（25）；步骤7、以有机平坦化层（25）作为掩膜，蚀刻第二电极（23）的第二金属层（224），露出透明导电层（222），以形成透明电极
有机电致发光器件制作方法制作

[发明专利]穿透式液晶显示器的阵列基板制造方法-CN201210056802.5有效
发明人：贾沛 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种穿透式液晶显示器的阵列基板制造方法，包括以下步骤：步骤1、提供基板；步骤2、在基板上形成透明电极层、在透明电极层上形成第一金属层；步骤3、通过第一道光罩制程以形成预定图案的栅极及像素电极，其中，该像素电极位于所述栅极的一侧，由透明电极层形成并暴露，该栅极由透明电极层及第一金属层形成；步骤4、在栅极及像素电极上形成绝缘层；步骤5、通过第二道光罩制程在上述绝缘层上形成预定图案的栅极绝缘层；步骤6、在栅极绝缘层上形成半导体层、在半导体层上形成第二金属层；步骤7、通过第三道光罩制程在半导体层上形成预定图案的沟道层及在第二金属层上形成预定图案的漏极与源极，形成薄膜晶体管。
穿透液晶显示器阵列制造方法

[发明专利]制备有机发光器件的方法-CN201480045673.7有效
发明人：文英均;姜旼秀 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明的制备有机发光器件的方法包括1)在基板上形成第一电极的步骤；2)在第一电极的至少部分区域上形成辅助电极的步骤；3)在辅助电极上形成绝缘层以及形成突出结构的步骤，其中绝缘层具有比辅助电极更大的宽度；以及4)在第一电极和绝缘层上形成第二电极的步骤，从而具有使提供在第一电极上的第二电极与提供在绝缘层上的第二电极彼此电性短路的结构。
制备有机发光器件方法

[发明专利]制造非水电解质二次电池的方法和非水电解质二次电池-CN201610023527.5有效
发明人：梅山浩哉;岛村治成;桥本达也 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01M10/0585 文献下载
摘要：制造非水电解质二次电池的方法包括：步骤(S101，S201)：形成包含电极活性材料和第一粘合剂的第一电极混合物层；步骤(S102，S202)：形成包含电极活性材料和第二粘合剂的粒状颗粒；步骤(S103，S203)：在第一电极混合物层上形成由粒状颗粒形成的第二电极混合物层；步骤(S302)：在隔片表面上形成包含无机填料和第三粘合剂的耐热层；步骤(S400)：通过将电极和隔片层压使得第二电极混合物层和耐热层相互接触而制备电极体；和步骤(S500)：将电极体加热。
混合物层非水电解质二次电池粘合剂电极活性材料第二电极第一电极粒状颗粒电极体耐热层无机填料电极隔片层隔片制备加热制造

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201280053287.3有效
发明人：北林弘之;玉祖秀人;堀井拓 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制备MOSFET(1)的方法，包括：制备碳化硅衬底(10)的步骤；形成与衬底(10)进行欧姆接触的漏电极(51)的步骤；以及形成与漏电极(51)的顶部接触的背表面焊盘电极(80)的步骤。在漏电极(51)形成步骤中，形成包括含有Ti和Si的合金的漏电极(51)。而且，所形成的背表面焊盘电极(80)被维持在300℃或更低的温度，直至MOSFET(1)制备完成。该配置使得能够条制备工艺的效率，同时实现电极间良好的粘附性。
制造半导体器件方法

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