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[发明专利]一种时分多址负载系统USB接口供电方法和供电设备-CN201210470472.4有效
发明人：毛建华;赖玉强 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H02M3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种时分多址负载系统USB接口供电方法和供电设备，在确保性能的同时降低使用电容的成本。该USB接口供电设备，包括依次相连的USB接口、缓启动电路和DC‑DC直流转换电路，DC‑DC直流转换电路的输出为时分多址负载系统供电，供电设备还包括电容器件电容器件的第一端连接在缓启动电路和DC‑DC直流转换电路之间，电容器件的第二端设置为接地，该电容器件用于限制DC‑DC直流转换电路输入电流；电容器件的电容值根据时分多址负载系统工作及未工作时电容器件的电压、USB接口允许输出的最大电流、DC‑DC
一种时分多址负载系统 usb 接口供电方法设备

[发明专利]半导体存储器件及其制作方法-CN202011552732.3在审
发明人：金廷修;卢一泓;白国斌;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开半导体存储器件及其制作方法，涉及半导体制造技术领域，以形成侧壁垂直的电容器轮廓。该半导体存储器件包括衬底及电容器。衬底具有埋栅晶体管，电容器与埋栅晶体管的源区或漏区电连接。电容器的轮廓利用刻蚀速率从下向上递变的薄膜刻蚀形成。本发明提供的半导体存储器件及其制作方法用于半导体器件、电子设备制作。
半导体存储器件及其制作方法

[发明专利]射线探测器-CN00117976.4有效
发明人：富崎隆之;本田道隆;永井清一郎;田中学;坂口卓弥 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2000-06-06 - 公布日： 2000-12-13 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：射线探测器具备把入射射线变换成电荷的电荷变换器件;储存用该电荷变换器件变换后的电荷的电容器;读出在该电容器中储存的电荷的电荷读出器件。本发明的射线探测器,为了对通过上述电荷读出器件从上述电容器中读出来的信号进行调整,还具备调整装置,用来消除由储存在电容器中的电荷产生的信号以外的信号。
射线探测器

[实用新型]印刷电路板及电吹风-CN202021027542.5有效
发明人：黄家根;陈兵 -专利权人：追觅科技（上海）有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： A45D20/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种印刷电路板及电吹风，安装于电吹风的握持部内，印刷电路板上设置有至少一个电容器件，电容器件卧放设置在印刷电路板上；电容器件卧放设置的高度小于电容器件竖放设置的高度。
印刷电路板电吹风

[发明专利]一种带有电容器的半导体器件-CN201611054501.3有效
发明人：王汉清 -专利权人：新昌县峰特年智能科技有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有电容器的半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，具有相对的上表面和下表面；形成于所述上表面上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM电容器；其中，所述MIM电容器垂直于所述上表面。
一种带有电容器半导体器件

[发明专利]一种电容器组件及电子装置-CN202110097953.4在审
发明人：吴成龙;杨泽恺;张荣 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01G9/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种电容器组件及电子装置，涉及电容器技术领域，可以防止电容器中的电解液从电容器顶部的防爆槽溢出后导致其它电子元器件被腐蚀或短路。该电容器组件包括电容器和吸液袋；所述电容器的顶部设置有防爆槽；所述吸液袋套在所述电容器的顶部，并覆盖所述防爆槽，且所述吸液袋与所述电容器密封连接。
一种电容器组件电子装置

[实用新型]一种用于电容器的带螺纹式塑料外壳-CN201120220201.4有效
发明人：周定毅;匡永正;陆李刚 -专利权人：无锡宏广电容器有限公司
申请日： 2011-06-25 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01G4/224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于电容器的带螺纹式塑料外壳，包括筒形壳体，在所述筒形壳体的内部形成用于放置电容器芯的空腔，特征是：在所述壳体的内壁上设有用于安装固定电容器内部元器件的螺纹。本实用新型的优点是：带螺纹式塑料外壳，通过塑料外壳对电容器内部元器件进行定位，并且使电容器内部填充料分布均匀，固定内部电子元器件，更加安全可靠。
一种用于电容器螺纹塑料外壳

[发明专利]半导体器件-CN200610171482.2有效
发明人：山日竜二;矢野浩 -专利权人：优迪那半导体有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件具有电极焊盘、电容器和基板。所述基板具有在其上布置所述电极焊盘和所述电容器的给定区域。所述电极焊盘和所述电容器布置在所述基板上，从而所述电容器的至少两个边中的各边与所述电极焊盘的至少两个边中的各边以给定间隔彼此相邻。所述电容器具有一连接边，该连接边连接所述电容器的所述两个边并面向所述电极焊盘。所述电容器的由所述连接边和该电容器的所述两个边形成的外角大于90度。
半导体器件

[发明专利]包括MIM电容器和电阻器的器件-CN201811062067.2在审
发明人：洪振翔;褚立新;赖佳平;曾仲铨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：电容器，包括第一金属板；电容器介电层，设置在第一金属板上方；以及第二金属板，设置在电容器介电层上方；以及电阻器，包括金属薄膜，其中，电阻器的金属薄膜和电容器的第二金属板由相同的金属材料形成，并且其中，金属薄膜的顶面与电容器的第二金属板的顶面大致共面。本发明实施例涉及包括MIM电容器和电阻器的器件。
金属板电阻器电容器金属薄膜电容器介电层顶面半导体器件金属材料

[发明专利]包括MIM电容器和电阻器的器件-CN202211014036.6在审
发明人：洪振翔;褚立新;赖佳平;曾仲铨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：电容器，包括第一金属板；电容器介电层，设置在第一金属板上方；以及第二金属板，设置在电容器介电层上方；以及电阻器，包括金属薄膜，其中，电阻器的金属薄膜和电容器的第二金属板由相同的金属材料形成，并且其中，金属薄膜的顶面与电容器的第二金属板的顶面大致共面。本发明实施例涉及包括MIM电容器和电阻器的器件。
包括 mim 电容器电阻器器件

[发明专利]包括电容器的半导体装置及其制造方法及电子设备-CN202010141125.1有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：公开了一种包括电容器的半导体装置及其制造方法及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例，半导体装置可以包括：竖直半导体器件，包括在衬底上竖直延伸的有源区；以及电容器，包括依次叠置的第一电容器电极、电容器电介质层和第二电容器电极。第一电容器电极在衬底上竖直延伸，且包括导电材料，所述导电材料包含竖直半导体器件的有源区中所含的半导体元素中的至少一种。
包括电容器半导体装置及其制造方法电子设备

[发明专利]电路板的制造方法-CN201210513035.6在审
发明人：六波罗真仁;足立研;冈修一;松本一治;柳川周作;堀内悟志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：所述方法包括如下各步骤：使用电容器件材料形成电容器件和短路部，所述电容器件材料包括依次位于金属箔上的电介质膜和导电膜，所述电容器件包括把所述电介质膜夹在中间的第一电极层和第二电极层，并且所述短路部将所述第一电极层与所述第二电极层短路；在所述电容器件和所述短路部上方形成上层配线；以及在形成所述上层配线之后移除或切断所述短路部。
电路板制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810005644.4有效
发明人：土手晓;和泉宇俊 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其具有：含铁电膜的铁电电容器，具有形成在所述铁电电容器上的第一层的层间绝缘膜，连接到所述铁电电容器的插塞和布线，以及在所述铁电电容器邻近处的虚置插塞。本发明还提供上述半导体器件的制造方法。利用本发明的半导体器件制造方法，可以实现一种FeRAM，其中由氢气和潮气造成的铁电电容器的性能下降能够被有效抑制。另外，按照本发明，抑制铁电电容器性能下降的FeRAM可以在不增加制造步骤数量的情况下形成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种高效率测试耐高压大电容的系统及方法-CN202211442999.6在审
发明人：张博;遇寒;黄景丰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效率测试耐高压大电容的系统及方法，该方法包括如下步骤：步骤S1，以设定低电压筛除不合格的待测器件，所述待测器件为耐高压的大电容器件；步骤S2，利用电流源向合格的待测器件注入电流以降低测试电路的RC延迟效应；步骤S3，对所述待测器件加高压测量所述待测器件的漏电流，并根据器件标准进行测试结果判定。通过本发明，可实现减少DTC电容器件等耐高压的大电容器件的测试时间，达到高速测试大电容器件的目的。
一种高效率测试高压电容系统方法

[发明专利]电容器直流叠加谐波电压试验装置及方法-CN202210798018.5在审
发明人：黄想;严飞;林浩;姜胜宝;国江;尹婷;杨丹;劳斯佳 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容器直流叠加谐波电压试验装置及方法。该装置包括：直流电源、电子器件、保护电阻、电压测量仪、电流测量仪、隔直电容器和交流电源；直流电源的正极依次通过电子器件、保护电阻与待测试电容器的正极电连接，待测试电容器的负极通过电流测量仪与直流电源的负极电连接；电压测量仪并联设置于待测试电容器的两端；隔直电容器的正极与待测试电容器的正极电连接，隔直电容器的负极通过交流电源与待测试电容器的负极电连接。本发明能够模拟电容器直流叠加谐波的运行工况，进而实现电容器直流叠加谐波的电压试验，并能根据试验需求调节直流电压和谐波电压，进而对待测试电容器进行电压测试，该装置的可靠性高。
电容器直流叠加谐波电压试验装置方法