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[发明专利]波长可调激光器测量方法和控制方法以及激光装置-CN200810185043.6有效
发明人：石川务;町田豊稔;田中宏和 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：本发明涉及波长可调激光器测量方法和控制方法以及激光装置。一种具有谐振器的波长可调激光器的测试方法，该谐振器包括具有彼此不同的波长特性的波长选择部，该方法包括以下步骤：第一步骤，控制所述波长可调激光器以根据初始设定值在给定波长下振荡；第二步骤，调节所述波长选择部的所述波长特性，并检测所述波长可调激光器的增益状态变化的不连续点；以及第三步骤，根据所述给定波长下的振荡状态的极限点求得所述波长选择部的稳定工作点，所述极限点是检测到所述不连续点时的点。
波长可调激光器测量方法控制方法以及激光装置

[发明专利]半导体激光器的控制方法-CN200810133955.9有效
发明人：町田豊稔;石川务;田中宏和 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：一种对具有可用加热器调节折射率的波长选择部的半导体激光器进行控制的方法，该方法包括：启动过程，其包括调节所述加热器的发热值直至加热器的发热值到达规定值的第一步骤；以及波长控制过程，其包括在所述启动过程之后根据对所述半导体激光器的振荡波长的检测结果校正所述半导体激光器的波长的第二步骤。
半导体激光器控制方法

[发明专利]半导体激光器的控制方法-CN200810133961.4有效
发明人：田中宏和;石川务;町田豊稔 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器的控制方法，该半导体激光器包括具有彼此不同的波长特性的多个波长选择部、并且该半导体激光器安装在温度控制装置上，本发明的方法包括：第一步骤，根据该半导体激光器的检测输出波长校正该温度控制装置的温度；和第二步骤，控制所述波长选择部中的至少一个波长选择部，以减小所述多个波长选择部的各波长特性之间的改变量差，该改变量差是由于校正该温度控制装置的温度而造成的。
半导体激光器控制方法

[发明专利]光器件及其控制方法-CN200810133962.9有效
发明人：石川务;町田豊稔;田中宏和 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：光器件及控制光器件的方法。该光器件包括：光元件、检测器以及控制器。该光元件具有光波导。该光波导的折射率受加热器控制。该光元件的温度受温度控制装置控制。该检测器检测在该加热器中流动的电流和/或施加至该加热器的电压。该控制器根据该检测器的检测结果控制提供给该加热器的电功率，以使该电功率保持恒定。
器件及其控制方法

[发明专利]光学模块-CN200810145252.8无效
发明人：中川觉司;渡边一义 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学模块。该光学模块具有外壳、第一固定部分、第二固定部分以及两个连接部分。所述外壳具有穿过其侧壁的光纤。所述第一固定部分将所述光纤直接地或通过中间件间接地固定到所述外壳的侧壁上。所述第二固定部分将所述光纤固定在所述外壳的内部。所述两个连接部分分别布置在所述外壳的两个相对角部处，或者布置在所述外壳的在所述角部附近的两个侧边处。所述第一固定部分和所述第二固定部分之间的距离小于6mm。
光学模块

[发明专利]光学半导体模块和受光组件-CN200810088364.4有效
发明人：米田昌博;山日竜二 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及光学半导体模块和受光组件。该光学半导体模块包括：发光组件；受光组件，该受光组件在其上表面和侧表面上具有受光面，在所述受光面上形成有防反射膜；以及安装单元，在该安装单元上按如下位置关系安装所述发光组件和所述受光组件，即，使从所述发光组件发射的光至少光耦合在所述受光组件的所述侧表面的所述受光面上。
光学半导体模块组件

[发明专利]光半导体装置-CN200810008691.4无效
发明人：上田诚;后藤修;和泉茂一 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2008-02-05 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供一种光半导体装置，其能够提高将半导体芯片安装到安装部上时的对位精度。本发明为一种光半导体装置，其具有：第一电极(20)，其设置在半导体芯片(35)的表面和背面中的任一个面上，并与安装部(40)的第一接合面(43)接合；第二电极(30)，其设置在半导体芯片(35)的侧面、表面和背面中的任一个面上，并且与第二接合面(45)接合，该第二接合面(45)设置在所述安装部(40)上，并且与第一接合面(47)交叉。
半导体装置

[发明专利]发光元件的制造方法-CN200710136251.2无效
发明人：古谷章 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2007-07-12 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/782 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光元件的制造方法。该方法包括以下步骤：向形成在基板上的用于分离发光元件的分割区域照射激光；沿着所述分割区域将所述基板物理分割；以及去除通过分割所述基板而暴露出的所述基板的至少一个侧面上的表面层。
发光元件制造方法

[发明专利]半导体受光元件-CN200710104076.9无效
发明人：米田昌博;小山雄司 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种廉价的半导体受光元件，其能以简单的元件结构在未发生边缘击穿之前得到所需要的最低限度的M、或在与PIN－PD相同电平的低电压/恒定电压环境中进行动作。该半导体受光元件的特征在于，其具备：第1导电层(12)，其具有第1导电类型；光吸收层(14)，其设置在第1导电层上；载流子倍增层(20)，其设置在光吸收层上；窗层(40)，其设置在载流子倍增层上且具有无掺杂或所述第1导电类型；以及第2导电区域(42)，其在所述窗层内通过杂质扩散而形成，与所述光吸收层相比能带隙大，并且导电类型与所述第1导电类型不同，当将从光吸收层的下表面到载流子倍增层的上表面的膜厚设为W，将所述第2导电区域的膜厚设为X，将雪崩倍增率设为M时，X/W≥(M－1)²/(2M)。
半导体元件

[发明专利]开关电路、开关模块和控制开关电路的方法-CN200710088171.4无效
发明人：北泽幸行;宫泽直行 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种包括连接到开关电路输入端和输出端中任一端的开关晶体管的开关电路，和一种当所有开关晶体管处于非选取状态时，向开关晶体管提供用于切断所有开关晶体管的控制偏压的控制偏压供给电路。
开关电路开关模块控制方法

[发明专利]光通信模块及其制造方法-CN200710004395.2有效
发明人：日野正登;铃木信也 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种光通信模块及其制造方法。所述光通信模块包括：封装件，该封装件具有边缘部分并且该封装件内具有光学元件；底架，所述封装件安装在该底架上；以及夹具，所述封装件插入到该夹具中，该夹具具有比所述边缘部分小的开口，并向着所述底架按压所述边缘部分。
光通信模块及其制造方法

[发明专利]电子组件和电子组件模块-CN200710091391.2无效
发明人：立岩义弘;中川觉司 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子组件和电子组件模块。该电子组件包括电子元件、导电的第一基部、导电的第二基部、绝缘体以及端子。电子元件安装在电子元件安装部上。所述电子元件安装部安装在所述第一基部上。所述绝缘体使所述第一基部与所述第二基部绝缘，并将所述第一基部连接到所述第二基部。所述端子设置在所述第一基部上并与所述第一基部绝缘。
电子组件模块

[发明专利]半导体发光器件的制造方法-CN200710001309.2无效
发明人：住友弘幸;梶山训;上田诚 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成化合物半导体层，该化合物半导体层具有以下结构，第一导电类型包层、有源层、第二导电类型包层依次层叠在基板上，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及在所述复合半导体中的波导内，在要成为端面的区域中形成低折射率区域，来自所述波导的输出光从该端面出射，所述低折射率区域具有比所述波导中的其他区域更低的等效折射率。形成所述低折射率区域的所述步骤包括以下步骤：确定所述低折射率区域在所述波导的纵向方向上的宽度从而将所述半导体发光器件的输出光的发射角控制为期望值；以及形成具有该宽度的所述低折射率区域。
半导体发光器件制造方法

[发明专利]激光装置、激光模块、半导体激光器及其制造方法-CN200610169975.2有效
发明人：藤井卓也 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本发明提供了激光装置、激光模块、半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器具有：第一衍射光栅区域，其具有段，具有增益，并具有反射光谱的第一离散峰值；第二衍射光栅区域，其具有彼此结合的多个段，并具有反射光谱的第二离散峰值。各段具有衍射光栅和间隔区域。衍射光栅的栅距彼此基本相等。第二离散峰值的波长间隔与第一离散峰值的不同。当第一离散峰值的给定峰值与第二离散峰值的给定峰值之间的关系改变时，第一离散峰值的给定峰值的一部分与第二离散峰值的给定峰值的一部分重叠。位于第一或第二衍射光栅区域中的第一段的光程要比第一和第二衍射光栅区域的其它段的光程短或长第一衍射光栅区域的所述衍射光栅的半个栅距的奇数倍。
激光装置模块半导体激光器及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200610171482.2有效
发明人：山日竜二;矢野浩 -专利权人： 优迪那半导体有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件具有电极焊盘、电容器和基板。所述基板具有在其上布置所述电极焊盘和所述电容器的给定区域。所述电极焊盘和所述电容器布置在所述基板上，从而所述电容器的至少两个边中的各边与所述电极焊盘的至少两个边中的各边以给定间隔彼此相邻。所述电容器具有一连接边，该连接边连接所述电容器的所述两个边并面向所述电极焊盘。所述电容器的由所述连接边和该电容器的所述两个边形成的外角大于90度。
半导体器件

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