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[发明专利]圆片级封装集成电路的方法-CN200610039178.2无效
发明人：赵阳 -专利权人：美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2006-03-23 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：圆片级封装集成电路是通过在切割集成电路圆片前粘接盖子圆片到集成电路圆片的正面制作的，即在划取集成电路圆片上多数芯片前。盖子圆片机械粘接和电连接到集成电路圆片，然后芯片裂片。导电路径通过盖子圆片在盖子顶部上的圆片接触焊块和集成电路圆片上的电触点之间延伸。任意地，盖子圆片包括一个或多个芯片。集成电路圆片可以按照不同于盖子圆片地技术制造，从而形成混合圆片级封装。任意地，额外地“顶层”盖子圆片(有或没有芯片)能堆叠形成“多层”集成电路。
圆片级封装集成电路方法

[发明专利]一种进行圆片级电互连与引出的装置及其加工方法-CN201010603002.1有效
发明人：王珍;王磊;唐洁影;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种进行圆片级电互连与引出的装置及其加工方法，所述装置包括硅圆片和基板，在硅圆片上加工有一个以上带斜坡边缘的微电子芯片、隔离槽和连接梁，所述隔离槽为微电子芯片之间的镂空部位，硅圆片上的其他实体部位为外围框架，微电子芯片通过连接梁与外围框架相连接；硅圆片固定在基板上；微电子芯片上设置有芯片焊盘，基板上设置有基板焊盘，基板焊盘位于基板与隔离槽相对应的位置处，芯片焊盘和基板焊盘通过圆片级PI和铜互连工艺连接形成电互连和电引出本发明提供的装置，加工简单，无须专门制作；本发明提供加工方法，简单易行，由于标准的圆片级PI与铜互连工艺已经相当成熟，实现容易，并能够达到高可靠性的要求。
一种进行圆片级电互连引出装置及其加工方法

[发明专利]一种晶圆级系统封装方法以及封装结构-CN201810070261.9有效
发明人：刘孟彬 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级系统封装方法以及封装结构，所述方法用于将至少两片形成有芯片的晶圆沿上下堆叠的方向，堆叠接合在一起，包括：将需要接合在一起的两片所述晶圆相接合；在所述接合之后，形成插塞，与两片所述晶圆中的芯片电连接本发明的晶圆级系统封装方法，使用晶圆级封装和系统封装方法相结合，同时实现了多种芯片的集成和在晶圆上完成封装制造的优势，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求由本发明的晶圆级系统封装方法制备获得的封装结构同样具有更高的性能和良率。
一种晶圆级系统封装方法以及结构

[发明专利]一种三维圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法-CN201410848910.5在审
发明人：夏国峰;于大全 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法，该三维圆片级扇出PoP封装通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成，扇出PoP封装单元包含IC芯片、金属凸点结构、塑封材料、金属层、介电材料层、再布线金属走线层所述方法：配置金属基材圆片，在圆片上表面制作金属凸点结构，倒装芯片贴片、塑封，在塑封材料上制作通孔，在通孔中制作金属凸点结构，制作再布线金属走线层，配置和去除圆片，对圆片下表面进行蚀刻，形成再布线金属走线层，堆叠回流焊，去除圆片，植球和回流焊形成三维圆片级扇出PoP封装。
一种三维圆片级扇出 pop 封装结构及其制造方法

[实用新型]具有倒Y形通孔的圆片级气密性封装结构-CN200920074301.3有效
发明人：邹波;华亚平;李莉 -专利权人：深迪半导体(上海)有限公司
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有倒Y形通孔的圆片级气密性封装结构，其包括盖子圆片和MEMS圆片，盖子圆片和MEMS圆片电连接，一划片槽穿过盖子圆片和MEMS圆片，该盖子圆片具有倒Y形通孔，划片槽垂直穿过倒Y形通孔
具有形通孔圆片级气密性封装结构

[实用新型]系统级封装结构和电子设备-CN201922090113.6有效
发明人：陶源 -专利权人：青岛歌尔智能传感器有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种系统级封装结构和电子设备。其中，所述系统级封装结构包括依次堆叠设置的基板、第一晶圆芯片、第一电磁屏蔽片、第二晶圆芯片，所述第一晶圆芯片、所述第一电磁屏蔽片及所述第二晶圆芯片均电性连接于所述基板。
系统封装结构电子设备

[发明专利]一种圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法-CN201410843472.3在审
发明人：夏国峰;于大全 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法，该圆片级扇出PoP封装通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成，相邻扇出PoP封装单元之间通过第二焊球实现互联，采用第二塑封材料进行包覆密封。扇出PoP封装单元包含IC芯片、第一塑封材料、第二粘贴材料、金属凸点结构、第一金属层、第二金属层、第一再布线金属走线层、第一介电材料层、第二再布线金属走线层、第二介电材料层、第一焊球和第二焊球。制造该圆片级扇出PoP封装结构的主要方法：在第一载体圆片上配置金属基材圆片，在金属基材圆片上表面制作金属凸点结构，上芯，塑封，制作第一再布线金属走线层，配置第二载体圆片，去除第一载体圆片，对金属基材圆片下表面进行蚀刻，形成第二再布线金属走线层，堆叠回流焊，去除第二载体圆片，植球和回流焊工艺后形成扇出PoP封装单元，至少一个扇出PoP封装单元进行堆叠回流焊，塑封后形成圆片级扇出PoP封装。
一种圆片级扇出 pop 封装结构及其制造方法

[发明专利]晶圆级裸片堆叠结构和方法、裸片堆叠封装结构和方法-CN202110350813.3有效
发明人：胡顺;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级裸片堆叠结构和方法、裸片堆叠封装结构和方法。堆叠结构包括依次电耦合堆叠的多个晶圆组和顶部互连层，晶圆组各自独立地包括第一晶圆和第二晶圆，各第一晶圆裸片的表面具有第一连接结构以及延伸至第一晶圆裸片内且表面裸露的第一导电结构，各第二晶圆裸片的表面具有第二连接结构以及贯穿至第二晶圆裸片的第二导电结构，各晶圆组的第三连接结构为相互独立的CMOS电路，第一晶圆裸片的第一连接结构和第二晶圆裸片的第二连接结构一一对应地通过第三连接结构电耦合，第一导电结构和第二导电结构通过第三连接结构电耦合，第一导电结构之间电耦合或第二导电结构之间电耦合解决了现有技术中裸片堆叠成本高、体积大的问题。
晶圆级裸片堆叠结构方法封装

[发明专利]一种晶圆级的封装结构及封装方法-CN201911166038.5在审
发明人：任玉龙;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明属于封装技术领域，具体涉及一种晶圆级的封装结构及封装方法。该晶圆级封装结构包括塑封层、第一晶圆、导电金属柱、重布线层、载片；该结构通过在塑封层内设置导电金属柱，其两端分别与重布线层实现电连接，第一晶圆正面与第一重布线层电连接，且第二重布线层设置在第一晶圆背面的方向，使晶圆级封装结构无需TSV工艺就可以实现背面电互联，通过设置第一重布线层，可以提高空间利用率；在实际应用中，第一重布线层可以实现第一晶圆的直接互连、提高空间利用率，便于第二重布线层布局，使其应用更广。
一种晶圆级封装结构方法

[实用新型]一种晶圆级的封装结构-CN201922056683.3有效
发明人：任玉龙;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型属于封装技术领域，具体涉及一种晶圆级的封装结构。该晶圆级封装结构包括塑封层、第一晶圆、导电金属柱、重布线层、载片；该结构通过在塑封层内设置导电金属柱，其两端分别与重布线层实现电连接，第一晶圆正面与第一重布线层电连接，且第二重布线层设置在第一晶圆背面的方向，使晶圆级封装结构无需TSV工艺就可以实现背面电互联，通过设置第一重布线层，可以提高空间利用率；在实际应用中，第一重布线层可以实现第一晶圆的直接互连、提高空间利用率，便于第二重布线层布局，使其应用更广。
一种晶圆级封装结构

[发明专利]一种晶圆级封装体和芯片封装体-CN202010501964.X在审
发明人：张文斌 -专利权人：厦门通富微电子有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆级封装体和芯片封装体，该晶圆级封装体包括：承载片、晶圆和再布线层，其中，晶圆位于承载片一侧，晶圆上包含多个芯片，芯片功能面上设有多个焊盘，且每个芯片的功能面朝向承载片，晶圆远离承载片的一侧设有多个第一凹槽，分属于不同芯片的相邻的至少两个焊盘具有从同一个第一凹槽中露出区域；再布线层位于晶圆远离承载片的一侧，且至少部分再布线层与从第一凹槽内露出的焊盘电连接。通过上述方式，本申请所提供的晶圆级封装体上的第一凹槽横跨两个芯片上相邻的焊盘，第一凹槽的尺寸较大使得在开设第一凹槽时，能够降低对精度的要求，减小芯片在加工过程中断裂的风险。
一种晶圆级封装芯片

[发明专利]堆叠式MEMS传感器封装体、芯片及其制作方法-CN201611072013.5有效
发明人：赵照 -专利权人：合肥芯福传感器技术有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式MEMS传感器封装体、芯片及其制作方法，包括盖板，用于封装；一片或多片采集晶圆，其上形成有采集电路和MEMS结构；一片或多片处理晶圆，其上形成有处理电路；所述一片或多片处理晶圆、一片或多片采集晶圆以及盖板是采用晶圆级键合工艺自下而上键合而成，所有晶圆片之间通过导电桥墩实现电性互联。本发明将采集电路和处理电路分层设计，采用晶圆级键合工艺进行键合并封装，形成垂直的多层堆叠式结构，能够显著降低芯片面积，实现采集电路和处理电路的完全隔离，降低模拟电路和数字电路之间的干扰和电路噪声，提高传感器性能指标
堆叠 mems 传感器封装芯片及其制作方法

[发明专利]制造发光二极管芯片的方法-CN201310286849.5有效
发明人：崔成强;韦嘉;袁长安;张国旗 -专利权人：北京半导体照明科技促进中心
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造发光二极管芯片的方法，包括以下步骤：步骤一：在具有有源面和与所述有源面相对的无源面的发光二极管圆片的任一个面上涂布荧光粉层并固化；步骤二：对发光二极管圆片进行切割，形成若干单独的片体；步骤三：将单个的片体与基板电连接并封装形成发光二极管芯片。本发明优势是采用圆片级方法，多个片体的荧光粉涂布一次完成，方法效率高；同时圆片级片体涂层厚度均匀，发光二极管芯片出光的颜色和色温的一致性好。
制造发光二极管芯片方法

[发明专利]一种圆片级封装结构-CN201110428852.7有效
发明人：陶玉娟;石磊 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种圆片级封装结构，包括：芯片、柱体、保护胶和焊料凸点；所述芯片的上表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层覆于芯片焊盘开口以外的上表面；所述焊盘上设有柱体，所述柱体由底部往上依次包括耐热金属层、金属浸润层和连接层本发明提高了圆片级封装的电性能和可靠性，适用于焊盘密间距、输出功能多的圆片级封装。
一种圆片级封装结构

[发明专利]微机电圆片级器件电磁驱动加载器-CN200510012622.7无效
发明人：张文栋;刘俊;熊继军;薛晨阳;张斌珍 -专利权人：中北大学
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： B81C5/00 文献下载
摘要：本发明为一种微机电圆片级器件电磁驱动加载器，涉及微机电器件(MEMS)特别是微机电圆片级器件的驱动加载装置。本发明解决微机电器件特别是微机电圆片级器件动静态性能测试时无合适的专用驱动加载装置的问题。该微机电圆片级器件电磁驱动加载器由基座平台、固定于基座平台内的铁心、铁心上的绕组线圈和使用时用微夹子固定于被测圆片级器件微结构的质量块上的磁铁薄片构成。本发明所述的微机电圆片级器件电磁驱动加载器能够实现微机电圆片级器件动静态性能测试中的加载。其具有较大的驱动力和行程，适用于在垂直方向上需要较大偏转的微机电圆片级器件动静态加载测试。
微机电圆片级器件电磁驱动加载

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