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[发明专利]光学记录介质、其制造方法、光学记录介质的记录材料，及用于光学记录介质的溅射靶-CN202280017124.3在审
发明人：黑川光太郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11B7/2433 文献下载
摘要：提供了一种能够缩短节拍时间的光学记录介质。光学记录介质包括至少一个记录层。记录层包含Bi的氧化物。
光学记录介质制造方法材料用于溅射

[发明专利]一种硫系相变材料结合Ag纳米颗粒多层薄膜结构的十级光学存储单元-CN202310524570.X在审
发明人：刘富荣;马全龙;陈清远;饶凯;张露露 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：一种硫系相变材料结合Ag纳米颗粒多层薄膜结构的十级光学存储单元，属于光学存储领域。存储单元包括基底、记录层、反射层和保护层。Ag纳米颗粒的引入改变了纳秒脉冲激光辐照存储单元时记录层的热分布和热传输，显著影响了记录层的微观组织结构。通过改变纳秒激光能量密度，可以获得差值较大的十个光学反射率值，进而实现了十级光学存储。此外，存储单元还具有良好的可循环性。本发明通过相变材料的热稳定性和非易失性，结合纳秒激光的普遍性，摆脱了传统意义上的二值存储，实现了光学大密度存储。同时，所设计结构简单，制备快捷，可以大量投入生产，为未来全光存储、计算的发展奠定了基础。
一种相变材料结合 ag 纳米颗粒多层薄膜结构光学存储单元

[发明专利]一种基于Au-NaYF4:Eu3+-CN202211711647.6在审
发明人：张正龙;张辉;张成云;陈环;郑海荣 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Au‑NaYF4:Eu3+‑Au阵列的光信息存储方法，根据表面等离激元诱导的产物对诱导其转变的功率有“记忆”特性，先在玻璃基底上镀一层金岛膜，然后将NaYF4:Eu3+纳米颗粒均匀地滴在金岛膜上，再在其表面喷金形成具有“记忆特性”的Au‑NaYF4:Eu3+‑Au三层薄膜结构，最后在Au‑NaYF4:Eu3+‑Au薄膜表面任意位置写入亮灭可控的发光阵列，通过改变激发光的功率来收集阵列中各个点的荧光成像，得到阵列中各个点的亮灭状态并与数字信息相对应，从而实现数据读取。本发明方法简单易行，容易量化，在保密通信、防伪和测控技术方面有良好的应用前景，为数据安全传输提供了一种新的思路。
一种基于 au nayf4 eu base sup

[发明专利]一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件-CN202310332031.6在审
发明人：杨博智;娄存恺;程思莹;金威;李翔;秦一凡;张羽;刘志海 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件，属于光纤器件存储技术领域，包括单模光纤、多模光纤、光学相变材料薄膜和增反薄膜，多模光纤的一端与单模光纤连接，多模光纤的另一端与光学相变材料薄膜的左端连接，光学相变材料薄膜的右端与增反薄膜连接；单模光纤与多模光纤为同轴焊接，单模光纤与多模光纤同轴焊接后产生贝塞尔光束，光学相变材料薄膜通过射频磁控溅射的方式与多模光纤的端面结合，增反薄膜通过射频磁控溅射的方式与光学相变材料薄膜结合。本发明提供的一种基于贝塞尔光束的全光纤大容量存储器件，可对光学相变材料的相态进行精准调控，同时相对于普通单模光纤存储单元可以实现更多级别的存储。
一种基于贝塞尔光束光纤容量存储器件

[发明专利]记录层、光信息记录介质及溅射靶-CN202111140681.8有效
发明人：田内裕基 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11B7/2433 文献下载
摘要：本发明提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。
记录信息介质溅射

[发明专利]基于铂-二维硒化铟-少层石墨肖特基二极管的光存储器件及存储方法-CN202011135635.4有效
发明人：赵清华;王涛;介万奇;安德烈斯·卡斯泰拉诺斯·戈麦斯;里卡多·夫里森达 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铂‑二维硒化铟‑少层石墨肖特基二极管的光存储器件及存储方法，以干法转移技术制备的二维硒化铟‑石墨异质结构为基础，构筑铂‑二维硒化铟‑石墨肖特基二极管基的光存储器件。与背景技术中报道的基于二维材料对称型场效应晶体管光存储器件相比，铂‑二维硒化铟‑石墨肖特基二极管基的光存储器件工作时只需要调控源极和漏极之间的电压以及外部光照，即可实现对器件逻辑状态的控制，不需要引入较大的栅极电压，简化了器件工作时的电路连接。同时，本发明将器件工作时的电流从背景技术的微安(μA)级别降低至纳安(nA)级别，达到了降低能耗的目的。
基于二维硒化铟石墨肖特基二极管存储器件方法

[发明专利]记录层、光信息记录介质及溅射靶-CN201980015237.8有效
发明人：田内裕基 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11B7/2433 文献下载
摘要：本发明提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。
记录信息介质溅射

[发明专利]光信息记录媒体用记录层、光信息记录媒体以及溅镀靶-CN201980013291.9有效
发明人：田内裕基 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G11B7/2433 文献下载
摘要：本发明为一种光信息记录媒体用记录层、光信息记录媒体以及溅镀靶。光信息记录媒体用记录层为可通过激光的照射来记录信息信号的光信息记录媒体用记录层，其具有包括Mn氧化物、W氧化物及Sn氧化物的金属氧化物。此外，相对于构成所述金属氧化物的金属元素的合计原子数，Mn的原子数比例为3atm％以上且40atm％以下。
信息记录媒体以及溅镀靶

[发明专利]超分辨光存储材料-CN202010540652.X有效
发明人：章英杰;徐敏;谢海军 -专利权人：上海蔚星科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明提供超分辨光存储材料，涉及光存储材料技术领域。该超分辨光存储材料，所述材料为银‑稀土混合物‑二芳基乙烯类衍生物，其分子式为AgxMyRz,其中，M为镧、钕、铕与钆按照任意比例的稀土混合物，R为二芳基乙烯类化合物，其中，0.02＜x≤0.2，0.01＜y≤0.4，0.08＜z≤0.5。本发明，制备的超分辨光存储材料，具有良好的光稳定性以及热稳定性，室温下半衰期时间得到延长，光存储材料具有寿命长、存储密度高、速率快等特点，具有良好的吸收调制特性。
分辨存储材料

[发明专利]以二次谐波为读写方式的多级相变存储器及其制备方法-CN201910638968.X有效
发明人：孟云;江明辉;王阳;魏劲松 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明提供了一种以二次谐波为读写方式的多级相变存储器，包括非晶态的相变记录层，通过调节记录光作用于相变记录层的偏振方向，在相变记录层上形成不同晶粒取向的晶态记录点，利用探测光照射不同晶粒取向的晶态记录点，得到不同信号强度的二次谐波，从而完成数据读写。同时提供了一种以二次谐波为读写方式的多级相变存储器的制备方法。本发明以二次谐波为读出信号，能够达到多级存储的效果；通过调节记录光的不同偏振方向，使读出光二次谐波的强度不同，从而达到多级存储的目的；本发明既保存了传统相变存储器读出速度快、可擦写性好的特点；同时，由于其读出方式不是反射率，存储器中不需要反射层，其结构更为简单。
二次谐波读写方式多级相变存储器及其制备方法

[发明专利]记录层、光信息记录介质、溅射靶-CN201811043504.6有效
发明人：田内裕基 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种可抑制层数的增加且满足各种要求特性的记录层及光信息记录介质与形成它们的溅射靶。本发明的记录层为通过激光光的照射来进行记录的光信息记录介质用记录层，且含有钨氧化物及钴氧化物，相对于全部金属原子而言的钴原子的含量为超过10原子％且70原子％以下。本发明的光信息记录介质包括所述记录层。
记录信息介质溅射

[发明专利]用于光信息存储的柔性透明存储器及制备方法-CN201810954380.0有效
发明人：刘儒平;李舟;王晓宇;王慰;李路海;封红青;宋阔 -专利权人：北京印刷学院;广东心科医疗科技有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于光信息存储的柔性透明存储器及制备方法，其中，存储器包括：透明上电极层、透明下电极层以及位于二者之间的透明存储层；所述的透明存储层为量子点掺杂TiO
透明上电极层透明存储器下电极层透明光信息存储复合薄膜喷墨打印存储层量子点可用制备掺杂光信息存储器丝网印刷技术可穿戴设备存储器导电墨水纳米金属柔性基底生物芯片丝网印刷智能包装光作用电阻基底量产封装制作

[发明专利]应用于彩色全息存储的碳基纳米复合薄膜及其制造方法-CN201811271830.2有效
发明人：付申成;吴佳芮;张昕彤;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：应用于彩色全息存储的碳基纳米复合薄膜及其制造方法涉及光学信息存储技术领域，解决了存储介质衍射效率低、可见光谱响应范围窄和稳定性较低的问题，薄膜包括：玻璃衬底、玻璃衬底上的二氧化钛纳米多孔层、吸附在二氧化钛纳米多孔层上的多个单宁酸分子和二氧化钛纳米多孔层上的氧化石墨烯层。制备方法包括：采用浸渍提拉法在玻璃衬底上沉积二氧化钛纳米多孔层；将二氧化钛纳米多孔层浸泡在单宁酸溶液中吸附多个单宁酸分子；氧化石墨烯溶液滴涂在吸附了单宁酸分子的上二氧化钛纳米多孔层上。本发明碳基纳米复合薄膜不仅是提高了全息存储的衍射效率，而且扩宽响应范围、提高了稳定性；制作成本低廉、制作简单。可应用于彩色全息存储方面。
纳米多孔层二氧化钛单宁酸彩色全息复合薄膜碳基纳米衬底吸附存储衍射效率玻璃氧化石墨烯溶液光学信息存储氧化石墨烯层单宁酸溶液浸渍提拉法存储介质可见光谱全息存储响应滴涂扩宽薄膜沉积制备制作浸泡应用制造

[发明专利]一种可逆相变材料高密度存储装置-CN201810108166.3有效
发明人：原续鹏;阮昊 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明提供一种基于双光束超分辨技术的可逆相变材料高密度存储装置，包括衍射受限的激发光生成组件用于引发光记录；中心光强为零的抑制光生成组件用于抑制光记录；光盘组件中光盘的记录层由半导体合金相变材料构成，在激光的作用下相变材料发生晶相和非晶相之间的可逆变换，导致材料的反射率、折射率等发生相应的可逆变化，能实现信息的超分辨记录；将发光离子掺杂到相变材料中，在合适波长激发光诱导下发出荧光，能实现记录信息的超分辨读出。本发明的基于双光束超分辨技术的可逆相变材料高密度存储装置及方法能实现超分辨读写的功能，解决了因衍射极限的约束而无法继续提升光盘存储容量的问题。
超分辨高密度存储装置可逆相变材料相变材料光生成组件光记录双光束光盘存储容量半导体合金发光离子光盘组件合适波长记录信息可逆变化可逆变换衍射极限中心光强反射率非晶相激发光记录层折射率荧光读写受限衍射读出掺杂激光诱导光盘激发记录

[发明专利]光记录介质-CN201580075267.X有效
发明人：田畑浩 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明公开一种光记录介质，包含反射层、第一电介质层、相变记录层和第二电介质层。所述相变记录层具有通过SbxInyMz表示的平均组成，其中M是Mo、Ge、Mn和Al中的至少一种，并且x、y和z分别是在0.70≤x≤0.92、0.05≤y≤0.20和0.03≤z≤0.10范围内的值，前提是x+y+z＝1，所述第一电介质层包含含有氧化锆的复合材料或氧化钽，并且所述第二电介质层包含含有氧化铬的复合材料或氮化硅。
记录介质

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