“电介质”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1045085个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构-CN202010325086.0在审
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF2晶体，电介质层二的材料为ZnS晶体。
一种序列电介质石墨复合结构

[实用新型]一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构-CN202020623495.4有效
发明人：章普 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF2晶体，电介质层二的材料为ZnS晶体。
一种序列电介质石墨复合结构

[发明专利]一种基于宇称-时间对称的全光开关-CN202110603813.X在审
发明人：刘芳华 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：包括石墨烯单层，石墨烯单层的两侧分别具有非周期光子晶体一和非周期光子晶体二，非周期光子晶体一由石墨烯单层至入射侧依次设置有第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第二电介质层、第一电介质层，非周期光子晶体二由石墨烯单层至出射侧依次设置有第四电介质层、第三电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第四电介质层、第三电介质层，第一电介质层和第三电介质层折射率共轭相等，第二电介质层和第四电介质层折射率共轭相等。
一种基于时间对称开关

[实用新型]一种基于宇称-时间对称的全光开关-CN202121200007.X有效
发明人：刘芳华 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：包括石墨烯单层，石墨烯单层的两侧分别具有非周期光子晶体一和非周期光子晶体二，非周期光子晶体一由石墨烯单层至入射侧依次设置有第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第二电介质层、第一电介质层，非周期光子晶体二由石墨烯单层至出射侧依次设置有第四电介质层、第三电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第三电介质层、第四电介质层、第四电介质层、第三电介质层，第一电介质层和第三电介质层折射率共轭相等，第二电介质层和第四电介质层折射率共轭相等。
一种基于时间对称开关

[发明专利]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件-CN201910056543.8有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构，由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一
一种应用于开关存储器光学双稳态器件

[实用新型]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件-CN201920111376.8有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构，由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一
电介质层石墨烯层光学双稳态器件本实用新型光存储器全光开关全光通信系统光学双稳态多层结构上表面下表面应用

[发明专利]一种可调双通道光子滤波器-CN202110996072.6在审
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括五个第一电介质层和三个第二电介质层，第一电介质层和第二电介质层由入射方向至出射方向排列顺序为：第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长；相邻第一电介质层的分界处或第一电介质层与第二电介质层的分界处分别嵌入有一石墨烯单层
一种可调双通道光子滤波器

[实用新型]一种可调双通道光子滤波器-CN202122054134.X有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括五个第一电介质层和三个第二电介质层，第一电介质层和第二电介质层由入射方向至出射方向排列顺序为：第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长；相邻第一电介质层的分界处或第一电介质层与第二电介质层的分界处分别嵌入有一石墨烯单层
一种可调双通道光子滤波器

[发明专利]半导体结构-CN202010805569.0在审
发明人：林佳桦;张耀文;吴启明;蔡正原;逸群·陈;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
半导体结构

[发明专利]固体电解电容器及其制造方法-CN201210089312.5有效
发明人：光山知宏;加藤俊幸 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：固体电解电容器的电介质层具有：与阳极相接的第一电介质层；和覆盖第一电介质层并且与上述电解质层相接的第二电介质层，第一电介质层包括由非晶态成分构成的阳极1的氧化物，第二电介质层由具有比第一电介质层的介电常数高的介电常数的电介质粒子构成，并且电介质粒子包括：与第一电介质层相接的第一电介质粒子和与第一电介质层不相接的第二电介质粒子，第一电介质粒子的平均粒径比第二电介质粒子的平均粒径小。
固体电解电容器及其制造方法

[发明专利]包括场效应晶体管（FET）的半导体结构及其方法-CN201310134217.7有效
发明人： H·杰加纳森;P·C·杰米森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：分层的栅极电介质叠层包括包含第一高介电常数（高k）电介质材料的第一高k栅极电介质、包含具有与第一高k电介质材料不同的带隙的电介质材料的带隙干扰电介质以及包含第二高k电介质材料的第二高k栅极电介质。带隙干扰电介质包括电介质材料的至少一个连续原子层。因此分层的栅极电介质叠层包括第一高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第一原子界面，以及通过带隙干扰电介质的电介质材料的至少一个连续原子层与第一原子界面分隔的第二高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第二原子界面带隙干扰电介质的插入导致更低的栅极泄露，而不会导致阈值电压特性和有效氧化物厚度的任何显著变化。
包括场效应晶体管 fet 半导体结构及其方法

[实用新型]一种金刚石线锯生产线电介质回收用装置-CN201821571984.9有效
发明人：赵鹏 -专利权人：杨凌美畅新材料股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及金刚石线锯生产线电介质回收用装置技术领域，且公开了一种金刚石线锯生产线电介质回收用装置，包括电介质储液箱和电介质过渡槽，所述电介质储液箱通过导电介质回流管与电介质过渡槽连通，所述电介质储液箱的左侧连通有连通管本实用新型解决了现有的金刚石线生产加工中易出现电介质液回收不彻底和内部遗留残渣造成浪费的问题，本实用新型通过设置有电介质储液箱和电介质过渡槽，并且设置有导电介质回流管和导电介质循环磁力泵能够将回流的电介质进行循环使用，能够增加电介质的使用效率，导电介质流量调节阀能够调节流量，当母线传送较快时，能够调节介质流量调节阀增大流通的流量，满足加工的需要。
电介质导电介质储液箱本实用新型金刚石线锯过渡槽回收回流管连通装置技术领域流量调节阀循环磁力泵电介质液介质流量金刚石线生产加工使用效率连通管母线传送遗留流通加工

[发明专利]异质电介质键合方案-CN202210116113.2在审
发明人：余振华;邱文智;杨固峰;钟明慈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开涉及异质电介质键合方案。一种方法包括：将第一封装组件置为与第二封装组件接触。第一封装组件包括第一电介质层，该第一电介质层包括第一电介质材料，并且第一电介质材料是基于氧化硅的电介质材料。第二封装组件包括第二电介质层，该第二电介质层包括第二电介质材料，该第二电介质材料不同于第一电介质材料。第二电介质材料包括硅和另外的元素，该元素选自由以下项组成的组：碳、氮、及其组合。执行退火工艺以将第一电介质层与第二电介质层进行键合。
电介质方案

[发明专利]电介质电极组合件及其制造方法-CN201780027057.2有效
发明人：迈克尔·W·默里 -专利权人：奥罗玛技术有限责任公司D/B/A大通激光公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01S3/038 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质电极组合件及其制造方法(600)，其包含：电介质管(226)，其具有圆柱形横截面及相对电介质常数ε2，所述电介质管(226)填充有具有相对电介质常数ε1的气体；结构电介质(225)，且具有相对电介质常数ε3且围绕所述电介质管(226)；金属电极(224)，其位于所述结构电介质(225)的对置侧上，所述金属电极(224)具有扁平横截面几何形状；且所述结构电介质(225)由选定材料制成，使得所述结构电介质(225)、所述电介质管(226)及所述气体的所述相对电介质常数相关，且当电力经施加到所述金属电极(224)时在所述电介质管(226)内生成均匀电场。
电介质电极组合及其制造方法

[发明专利]电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置-CN200510052152.7有效
发明人：伊福俊博;松田坚义;青木活水;武田宪一;和佐清孝 -专利权人：佳能株式会社;和佐清孝
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置，该电介质元件在上部电极层和下部电极层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
电介质元件压电喷墨记录装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条