专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低、制备方法及应用-CN201910389957.2有效
  • 章俊;丁德胜;孟令辉;王美晨;尹振兴;肖赛君;范鼎东 - 安徽工业大学
  • 2019-05-10 - 2020-05-22 - C22C35/00
  • 本发明公开了一种低、制备方法及应用,其包括如下步骤:将高与吸附渣加入容器中熔清得熔清物;在1500~1650K条件下从容器底部向熔清物吹入氮气或氨气进行吹炼;吹炼结束后,熔融状态下扒渣出铁得低,高的成分按重量计包括:P:22~28%,Si≤3%,C≤1%,S≤0.05%,Mn≤2%,Cr≤1%,Ti:0.1~4%,余量为Fe,制备的低成分按重量计包括:P:23~25%,Si:1.7~2.8%,C:0.8~0.9%,S:0.05~0.08%,Mn:0.8~1.7%,Cr:0.6~0.8%,Ti<0.05%,余量为Fe,本发明制备低的工艺流程短,工艺操作简单,对环境污染小,制备得到的低含量低于
  • 一种低钛磷铁制备方法应用
  • [发明专利]酸铝固溶体粉体的合成方法-CN200610053924.3无效
  • 徐刚;韩高荣 - 浙江大学
  • 2006-10-23 - 2007-03-28 - C01G1/00
  • 本发明涉及含酸铝固溶体粉体的合成方法。首先利用金红石型二氧化和三氧化二合成;然后再将合成的与工业级α-Al2O3和金红石型TiO2粉体原料湿法球磨混和,经烘干、过筛或喷雾造粒,煅烧得到可以直接用于酸铝陶瓷制备的含酸铝固溶体粉体。本发明以预先合成的作为成核剂和稳定剂,促进了酸铝固溶体的合成,合成的粉体纯度高质量好,并且初始混合料的性状由块状改为粉料状,操作方便,易于实现工业化生产。
  • 含铁钛酸铝固溶体合成方法
  • [发明专利]一种利用石膏制取α-半水石膏的方法-CN201310025601.3有效
  • 雷芸;陈禹成;江莹;李容;陈菲菲 - 武汉理工大学
  • 2013-01-22 - 2013-05-08 - C04B11/26
  • 本发明涉及一种石膏制备α-半水石膏的方法。它包括以下步骤:将除石膏和盐溶液按固液质量比为1:4-6混合配得料浆,所述盐溶液的浓度按重量百分比计为10%-25%,然后添加转晶剂,调节料浆的pH为3-6;将上述配好的料浆于92-102℃重结晶制得α-半水石膏料浆;将α-半水石膏料浆与热水混合搅拌后进行固液分离;将分离后的固相热水洗涤,乙醇固定,抽滤,干燥。选用除石膏作为制取α-半水石膏的原料,不仅可以提高石膏的白度,更重要地是可由此降低杂质对后续α-半水石膏结晶过程的影响,得到满足要求的短柱状α-半水石膏产品;在常压下进行反应,节约了成本;反应过程容易控制
  • 一种利用石膏制取方法
  • [实用新型]一种-CN202121817065.7有效
  • 余成有 - 厦门佰顺兴自动化科技有限公司
  • 2021-08-05 - 2021-12-14 - A47J36/02
  • 本实用新型涉及一种锅,其可包括锅体,所述锅体包括铝基层、涂层和涂层,所述涂层冷喷涂在所述铝基层的上下表面上,所述涂层冷喷涂在所述涂层上,其中,所述铝基层、涂层和涂层的厚度依次递减,并且涂层的厚度小于所述铝基层的厚度的由于本锅主要是由铝制成,只有表面一层很薄的涂层,因此大大降低了生产成本,性价比高。
  • 一种
  • [发明专利]一种提高PZT电薄膜负电容的方法-CN201610110669.5有效
  • 肖永光;王江;马东波;唐明华 - 湘潭大学
  • 2016-02-29 - 2017-12-08 - H01G7/06
  • 本发明公开了一种提高PZT电薄膜负电容的方法。本发明包括以下步骤①前驱体溶液的配置配置不同锆比的Pb(Zr1‑xTix) O3溶液;②溶胶‑凝胶法制得PZT电薄膜电容器;③对PZT电薄膜电容器进行电学性能分析。本发明通过分析锆比对PZT电薄膜电容器电学性能的影响,得到提高PZT电薄膜负电容的最佳比率。本发明提出了一种提高PZT电薄膜负电容的有效方法,对低电压、低功耗MOS结构场效应晶体管的设计具有非常重要的指导意义。
  • 一种提高pzt薄膜电容方法
  • [发明专利]一种酸钙/酸钙扩散偶的制备方法-CN201910009507.6有效
  • 韦旺;岳宏瑞;薛向欣 - 东北大学
  • 2019-01-04 - 2020-06-16 - C04B35/01
  • 本发明属于材料研究方法技术领域,尤其涉及一种酸钙/酸钙扩散偶的制备方法。该方法包括如下步骤:S1、将三氧化二铁粉体与氧化钙粉体混合,压片、烧结得到酸钙片体;S2、将酸钙片体与酸钙粉体混合,压片,得到酸钙与酸钙双层片体;S3、将酸钙与酸钙双层片体进行烧结,制备出铁酸钙/酸钙扩散偶。该方法的制备工艺简单、经济,且制备出的酸钙/酸钙扩散偶扩散宽度较窄,对后续实验结果影响较小。
  • 一种铁酸钙钛酸钙扩散制备方法

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