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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]液晶显示器件及其制造方法-CN200510093771.0有效
发明人：安炳喆;林周洙;朴丙镐 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：在根据本发明的液晶显示器件中，栅线设置在基板上。数据线与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜以限定像素区。薄膜晶体管包括连接到栅线的栅极、连接到数据线的源极、与源极相对的漏极以及用于限定源极和漏极之间沟道的半导体层。像素电极连接到漏极并且设置在所述像素区。
液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]闪存储器用的多层叠层多晶硅栅的平整方法-CN200410066575.X有效
发明人：蒋莉;彭洪修 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：闪存储器用的多层叠层多晶硅栅的平整方法，包括：步骤1，多晶硅浮置栅上淀积ONO(SiO－SiN－SiO)层；步骤2，ONO(SiO－SiN－SiO)层上淀积多晶硅控制栅；步骤3，平整处理通过步骤1和步骤2构成的其表面具有凹凸不平的几何形状的包括多晶硅浮置栅层和ONO(SiO－SiN－SiO)层和多晶硅控制栅层的多层叠层多晶硅栅，使通过平整处理后的多晶硅控制层达到器件所须的厚度，获得平整的多层叠层多晶硅栅表面
闪存器用多层多晶平整方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法、电光学装置和电子仪器-CN200510076107.5有效
发明人：汤田坂一夫;增田贵史 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-06-08 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种通过简易且廉价的工序以亚微数量级的精度形成薄膜晶体管用的栅电极和半导体膜的技术。本发明提供的薄膜晶体管的制造方法，包括半导体膜薄膜的形成方法和/或栅电极的形成方法，其中半导体膜薄膜的形成方法包括：在基板上配置包含半导体材料的液滴(14)的工序；使液滴干燥，通过在该液滴的至少周边部析出半导体材料来形成半导体膜(16)的工序，而栅电极的形成方法包括：配置含导电性材料的液滴的工序；使液滴干燥，通过在该液滴的至少周边部析出导电性材料来形成栅电极的工序。
薄膜晶体管制造方法光学装置电子仪器

[发明专利]液晶显示器件及其制造方法-CN200510080180.X有效
发明人：安炳喆;林柄昊;安宰俊 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：该液晶显示器件包括：第一和第二基板；在第一基板上的栅线；在第一基板上的栅绝缘膜；与栅线交叉以限定像素区的数据线；位于像素区的像素孔；在像素区的像素孔中位于栅绝缘膜上由透明导电层形成的像素电极；以及包括栅极
液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]使用水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法-CN200410088816.0有效
发明人：柳洵城;赵兴烈 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-11-04 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：该结构包括由第一导电层形成的栅线和公共线；由第二导电层形成并与所述栅线和公共线交叉的数据线，该数据线与所述栅线和公共线通过栅极绝缘膜相互绝缘，该数据线与所述栅线的交叉限定像素区；在交叉点处的薄膜晶体管；
使用水平电场液晶显示器件薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]平整化预制隔声楼板及其板间连接方法-CN201610356279.6有效
发明人：张延年;汪青杰;李希 -专利权人：沈阳建筑大学
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： E04B5/02 文献下载
摘要：一种平整化预制隔声楼板及其板间连接方法，所述平整化预制隔声楼板组成包括边框梁、板内搁栅、板边搁栅、封边板、边框梁加强板、封边板加强板、端部横撑、板内横撑、隔声材料挡板、楼面底板、通风口、楼面顶板、钉、加强端板、格栅钉射预留口；平整化预制隔声楼板共有接口端、边框梁端、封边板端和板边搁栅端4个端口，有两种连接方式：接口端连接和板边搁栅端连接；本发明的有益效果是安装操作显著简化，装配速度快，可以采用大部品总成装配
平整预制楼板及其连接方法

[发明专利]具有不同栅极介质的半导体器件及其制造方法-CN200410102330.8有效
发明人：李钟镐;姜虎圭;丁炯硕;都昔柱;金润奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该第一器件包括第一衬底区域，第一栅电极，以及第一栅极介质。第一栅极介质位于第一衬底区域和第一栅电极之间。第二器件包括第二衬底区域，第二栅电极，以及第二栅极介质。第二栅极介质位于第二衬底区域和第二栅电极之间。第一栅极介质包括第一高k层，该第一高k层具有大于或等于8的介电常数。同样，第二栅极介质包括第二高k层，该第二高k层具有大于或等于8的介电常数。
具有不同栅极介质半导体器件及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN200410074601.3有效
发明人：县政志;白滨政则;川崎利昭;西原龙二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-07 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储器件，包括：第一位单元，第一位单元包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管的源极和漏极连接以形成第一控制栅，第二MOS晶体管具有与第一MOS晶体管公共的浮栅；第二位单元，第二位单元包括第三MOS晶体管和第四MOS晶体管，第三MOS晶体管的源极和漏极连接以形成第二控制栅，第四MOS晶体管具有与第三MOS晶体管公共的浮栅；以及差分放大器，接收来自各个第二和第四MOS晶体管的漏极的输入信号
非易失性半导体存储器件

[发明专利]纳米锡化物多有源层结构高性能晶体管-CN201610349382.8有效
发明人：赵灵智;姜如青 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米锡化物多有源层结构高性能晶体管，包括：半导体基底、间隔形成于半导体基底上的栅电极和栅绝缘层、间隔形成于栅绝缘层上的源电极和漏电极、以及形成于栅绝缘层上且位于源电极和漏电极之间的有源层，
纳米锡化物多有源结构性能晶体管

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN200410038129.8有效
发明人：李垌默;南承熙;吴载映 -专利权人： LG.飞利浦LCD有限公司
申请日： 2004-05-08 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管阵列基板包括：基板上的选通线；基板上的数据线，其与选通线交叉而限定了像素区；在选通线和数据线的交叉点处形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板上形成的栅极、在栅极和基板上形成的栅绝缘层、在栅绝缘层上形成的半导体层、半导体层上的欧姆接触层、以及欧姆接触层上的源极和漏极；以及处于像素区内并与薄膜晶体管的漏极相连的透明电极材料，其中，所述栅绝缘层包括位于所述数据线和透明电极材料之下并覆盖所述选通线的栅绝缘图案。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]利用独立的源极形成的CMOS图像传感器件和方法-CN200510027511.3有效
发明人：杨建平;辛春艳;霍介光;王延勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2007-01-03 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底中形成第一阱和第二阱；在所述衬底上形成栅极氧化物层；以及在所述栅极氧化物层上沉积第一栅区和第二栅区。所述第一栅区与所述第一阱相关联，所述第二栅区与所述第二阱相关联。
利用独立形成 cmos 图像传感器方法

[发明专利]共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法-CN200610057581.8有效
发明人：金东国 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种共平面开关模式液晶显示器件，该器件包括：第一基板和第二基板；在第一基板上垂直和水平排列以限定像素区的栅线和数据线；在栅线和数据线的各交叉点处形成的开关元件；在与栅线、数据线和开关元件相对应的区域上形成的黑矩阵，并且所述黑矩阵具有与所述栅线的上部相对应同时延伸到所述像素区中的部分；在所述像素区形成的滤色片；在所述滤色片上形成的至少一对公共电极和像素电极，并且在像素区内产生共平面电场；以及在第一基板和第二基板之间形成的液晶层
平面开关模式液晶显示器件及其制造方法

[发明专利]共平面开关模式液晶显示器件-CN200510130235.3有效
发明人：李源镐 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-12-14 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种共平面开关模式液晶显示器件，其包括在第一基板上形成的栅线和数据线，所述栅线与数据线垂直交叉以限定像素区域；在所述栅线和数据线的各交叉点处形成的薄膜晶体管；与所述栅线平行形成的公共线；从所述公共线延伸形成的公共电极
平面开关模式液晶显示器件

[发明专利]密栅四主栅多晶太阳电池背面银浆及其制备方法-CN201610341260.4有效
发明人：朱金浩;蒋剑波;朱世杰;许布;万光耀;陈珏荣;吴振宏;文长洪 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种密栅四主栅多晶太阳电池背面银浆及其制备方法。本密栅四主栅多晶太阳电池背面银浆，各组分的质量百分比为片状银粉30‑50％，纳米银粉15％‑25％，玻璃粉3.5％‑5.5％，有机粘合剂20％‑35％，附着力促进剂0.1％‑1.0％，助剂0.5‑1.0
密栅四主栅多晶太阳电池背面及其制备方法

[发明专利]具有共源共栅级和DC偏置调节器的多级放大器-CN201680054741.5有效
发明人： V·S·卡佩尔 -专利权人：雷声公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：具有第一放大器级(12)的多级放大器(10”)包括：布置在共源共栅放大器布置中的一对晶体管以及隔离电路；以及耦合到第一放大器级的输出的第二放大器级(13)；以及具有参考晶体管的偏置调节器(14)。共源共栅放大器布置包括布置在共源共栅放大器布置中的一对晶体管。偏置调节器(14)产生通过参考晶体管的参考电流和作为通过参考晶体管的参考电流的函数的在共源共栅放大器布置中的该对晶体管中的每个晶体管的控制电极的DC偏置电压。
具有共源共栅级 dc 偏置调节器多级放大器

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