专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于统一控制的蔬菜追踪查询方法-CN201610814358.7在审
  • 任钢;纪天娇 - 淮南市农康物流有限公司
  • 2016-09-09 - 2017-05-10 - G06Q30/00
  • 监控探头范围内的每棵蔬菜都分别设有一个子编码;统一将将该实时监控探头下的蔬菜进行装载打包;通过GPS定位装置将蔬菜的实时位置发送至一智能显示终端并显示;所述GPS定位装置、监控探头通过无线网络将蔬菜的生长视频影像与物流路线发送至一云存储端;通过显示终端访问蔬菜的实时位置,并获取云存储端中蔬菜的生长视频影像;蔬菜进入超市后通过商场手持客户端完成对RF I D的扫描。本发明可以对生态蔬菜的整个生长与物流过程进行监控,消费者可以随时查看生长与物流的数据,同时在消费之后将相关数据删除,不占用云端的存储空间。
  • 一种基于统一控制蔬菜追踪查询方法
  • [发明专利]一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法-CN202110711924.2有效
  • 王新强;刘强;刘放;盛博文 - 北京大学
  • 2021-06-25 - 2022-02-11 - C30B29/40
  • 本发明公开了一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法。本发明采用钨、钌和钼中的一种,或者采用钨、钌和钼中的一种的碳化物或氮化物的限域生长环,经过清洗、退火和激活使限域生长环的功能面具备化学活性;将限域生长环置于反应炉生长区中,生长中限域生长环对晶体侧向生长进行限制,从而阻止晶体的边缘生长,遏制生长中产生边缘效应,减少生长中产生的应力,最终实现厘米级GaN体晶生长;本发明实现方法简单,根据现有的技术水平能够容易实现,并大量推广;限域生长环能够经过热清洗后重复使用,节约了限域生长环的制作成本,经济实用;限域生长环能够根据不同HVPE反应炉生长区的不同结构进行优化设计,通用性强。
  • 一种用于hvpe反应炉生长氮化物晶体生长方法
  • [发明专利]一种避免大尺寸外延片裂片的外延生长方法-CN201410002107.X有效
  • 郭丽彬;李刚 - 合肥彩虹蓝光科技有限公司
  • 2014-01-03 - 2016-11-16 - H01L33/00
  • 本发明提供一种避免大尺寸外延片裂片的外延生长方法,其具体生长方法包括以下步骤:(1)衬底经高温氢化后,先生长优化的AlxGa1‑xN(0.2<x<0.8)缓冲层,Al组分在10%‑60%之间,生长时间在1‑6min,生长温度在500‑580℃之间,压力在100‑600Torr之间,Ⅴ/Ⅲ比为10‑500;(2)采取超晶格进行生长优化的nAlGaN层:(3) 优化的AlxGa1‑xN(0.2<x<0.8)缓冲层与nAlGaN层超晶格结构中的Al掺杂量可以进行搭配处理,调节生长中产生的应力,减少大尺寸外延片生长中产生的翘曲。本发明通过采用优化生长缓冲层及结合优化nAlGaN层外延生长方法,可以有效减小4吋或者6吋外延片的翘曲效应,从而使得外延片生长中的应力变小,最终达到避免大尺寸外延片翘曲过大造成的裂片损失。
  • 一种避免尺寸外延裂片生长方法
  • [发明专利]一种苗木的栽植方法-CN201610334278.1在审
  • 王刚 - 合肥公盈园艺科技有限公司
  • 2016-05-18 - 2016-10-12 - A01G17/00
  • 通过事先进行整地,可以有效控制各个苗木之间的种植面积,防止后期因为种植密度过大造成的苗木之间的抑制生长。同时通过杀菌剂的加入,可以有效杀死在苗木生长中的细菌,防止苗木在生长中因为染病造成的高死亡率。通过硝酸铵、磷酸二氢钾和水的混合液,可以补充植物在生长中所需的营养物质,保证苗木的充足营养。
  • 一种苗木栽植方法
  • [发明专利]一种核态沸腾微液层模型数值计算方法-CN201710311010.0有效
  • 蔡杰进;王烨 - 华南理工大学
  • 2017-05-05 - 2020-06-19 - G06F30/20
  • 本发明公开了一种核态沸腾微液层模型数值计算方法,在核态沸腾条件下,通过采用微液层模型对单气泡在水平壁面的生长与脱离过程进行数值模拟计算,包括(一)核态沸腾过程中微液层内传热传质量的计算;(二)微液层模型在数值模拟计算中的变化和适用范围该方法在计算核态沸腾条件下的气泡生长时,在气泡与壁面接触面上引入微液层模型,研究单气泡在核态沸腾条件下生长中的等效直径,壁面温度分布,以及气泡形态的变化,使模型能够对气泡生长脱离过程进行更为准确的计算该方法的求解结果能够作为详细研究核态沸腾条件下,单气泡生长中,气泡生长周期,形态变化以及壁面温度分布情况的参照。
  • 一种沸腾微液层模型数值计算方法
  • [发明专利]电池枝晶生长原位成像的方法-CN202111150153.0在审
  • 郝瑞;叶贤其;李国鹏;毛嘉欣;徐东伟;陈厚凯 - 南方科技大学
  • 2021-09-29 - 2023-03-31 - H01M10/42
  • 本发明提供一种电池枝晶生长原位成像的方法,包括以下步骤:提供可用于光学显微镜观察的电化学反应池,模拟电池电化学反应;采用光学显微镜对准电化学反应池,调入射角度,使光在枝晶生长界面发生全反射,调整发光波长、发光功率,优化图像;在设定电流密度下对电化学反应池进行充放电,在充放电时间内,使用与光学显微镜连接的相机进行连续曝光,获得时序图像;以设定时间间隔的早期图像作为背景,利用图像扣减算法进行背景扣减获取生长位点时序图像,再利用图像拟合进行枝晶生长位点定位分析以及多帧图像合并生成超分辨图像。
  • 电池生长过程原位成像方法

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