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[发明专利]LED外延生长方法-CN201710251616.X有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温成核层GaN、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长变气氛n‑GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长其中，所述变气氛n‑GaN层包括N₂气氛n型GaN层、H₂气氛n型GaN层和N₂和H₂混合气氛n型GaN层。与传统方法相比，把传统的n型GaN层，设计为高温N₂气氛n型GaN层、低温H₂气氛n型GaN层和低温N₂和H₂混合气氛n型GaN层的变气氛N型GaN层结构，提升量子阱发光区的电子空穴对，增强发光辐射效率，提高LED的发光效率。
led 外延生长方法

[发明专利]LED外延生长方法-CN201910676755.6有效
发明人：徐平;胡耀武;龚彬彬;黄胜蓝;蒋东风 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温成核层GaN、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N2和H2混合气氛低温AlInGaN：Zn层、生长H2气氛中温InGaN：Si层、生长N2气氛高温GaN：Mg层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却。本发明方法通过引入N2和H2混合气氛低温AlInGaN：Zn层、H2气氛中温InGaN：Si层、N2气氛高温GaN：Mg层的结构以提升量子阱发光区的电子空穴对，增强发光辐射效率，提高LED的发光效率，并减少外延片翘曲。
led 外延生长方法

[发明专利]一种LED外延层生长方法-CN201910677410.2有效
发明人：徐平;胡耀武;龚彬彬;谢鹏杰 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温成核层GaN、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N2和H2混合气氛低温AlInGaN：Zn层、生长H2气氛中温InGaN：Si层、生长N2气氛高温GaN：Mg层、NH3裂解、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却。本发明方法通过引入N2和H2混合气氛低温AlInGaN：Zn层、H2气氛中温InGaN：Si层、N2气氛高温GaN：Mg层的结构和NH3裂解工艺以提升量子阱发光区的电子空穴对，增强发光辐射效率，
一种 led 外延生长方法

[实用新型]一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置-CN201320218528.7有效
发明人：郭建华;邓惠勇;邱锋;孙艳;李小南;俞国林;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置。该装置包括真空腔体、生长炉、气氛补偿炉、衬底支架、不锈钢挡板、生长石英管和带孔石英挡板：生长炉包括补偿源炉体、生长源炉体和热壁炉体。生长炉内放入装有石英挡板的生长石英管。气氛补偿炉是单温区炉，为生长结束后降温的外延薄膜提供一个补偿气氛。采用此装置能够外延生长具有化学计量比的单晶碲化铋纳米薄膜。
一种生长碲化铋纳米薄膜外延装置

[发明专利]一种LED外延结构及其生长方法-CN201611155227.9有效
发明人：林传强 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的第一目的在于提供了一种LED外延结构及其生长方法，具体包括处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多周期量子阱MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却，该生长p型GaN层先通过低温N₂气氛生长P型GaN层；再高温H₂气氛生长P型GaN层；最后通过高温N₂/H₂混合气体生长P型GaN层，从而降低LED的工作电压，提高LED的发光效率。本发明的第二目的在于提供用此外延结构生长方法生产的LED外延结构，该结构将传统的高温p型GaN层价格改变为低温N₂气氛、高温H₂气氛、高温N₂/H₂混合气体的变气氛p型GaN层结构，使LED光功率受到P层空穴浓度的限制，驱动电压受到P层空穴迁移率的限制的问题。
一种 led 外延结构及其生长方法

[发明专利]一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法-CN202011041383.9有效
发明人：马远;陈豆;薛卫明 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法。所述可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚包括：坩埚主体；原料腔，位于所述坩埚主体内，用于装填碳化硅单晶的生长原料；生长腔，位于所述坩埚主体内，并位于所述原料腔的上方，用于生长籽晶而获得碳化硅单晶；疏气腔，位于所述坩埚主体内，并位于所述原料腔的下方，所述疏气腔内具有疏气组件，用于向所述原料腔内释放卤素气体，以调节所述碳化硅单晶生长体系气氛。基于本发明可在晶体生长初期将卤素气体释放进入生长氛围，达到消耗晶体生长初期多余硅的目的，进而调节碳化硅单晶生长气氛的化学组成，提高碳化硅单晶质量以及减少对石墨坩埚的腐蚀。
一种调节碳化硅生长体系气氛坩埚方法

[发明专利]一种新型GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法-CN201210189941.5有效
发明人：孙玉芹;王江波;魏世祯;刘榕 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种新型GAN基LED量子阱有源区的外延生长方法，该芯片包括衬底以及依次层叠于衬底上的缓冲层、u-GaN、n型GaN、量子阱有源区、p型GaN，量子阱有源区中的量子垒的生长方法步骤：在纯氮气氛下生长完量子阱后，先切换为纯氢气氛生长一层较厚的纯氢量子垒，然后切换为纯氮气氛，并在纯氮气氛下等待一段时间，之后再生长一层较薄的纯氮量子垒，即量子垒是通过纯氮纯氢气氛的切换分别生长一层较厚的纯氢垒和一层较薄的纯氮垒。该发明方法能有效地提高量子阱有源区的整体质量，进而提高发光效率；同时由于该方法生长的量子阱有源区较薄，相比于传统的外延生长方法，整体可节约30％的生长时间。
一种新型 gan led 量子有源外延生长方法

[发明专利]一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置和方法-CN201310150752.1无效
发明人：郭建华;邓惠勇;邱锋;孙艳;李小南;俞国林;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置和方法。该装置包括真空腔体、生长炉、气氛补偿炉、衬底支架、不锈钢挡板、生长石英管和带孔石英挡板：生长炉包括补偿源炉体、生长源炉体和热壁炉体。生长炉内放入装有石英挡板的生长石英管。气氛补偿炉是单温区炉，为生长结束后降温的外延薄膜提供一个补偿气氛。热壁外延碲化铋纳米薄膜的方法是先将补偿源、生长源和带孔石英挡板依次放入生长石英管内，待生长炉加热到预定温度后移开炉口的不锈钢挡板，降下衬底支架至生长石英管管口并开始生长，结束后将衬底旋转至气氛补偿炉并以一定速率降温采用此装置和方法能够外延生长具有化学计量比的单晶碲化铋纳米薄膜。
一种生长碲化铋纳米薄膜外延装置方法

[发明专利]采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法-CN201110281763.4无效
发明人：贾传宇;殷淑仪;杨绍林;高宗伟;陆羽;孙永建;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法，减小其耗尽层厚度，增加其内建电容。本发明首先在金属有机化合物气相外延反应室中将蓝宝石Al2O3衬底在氢气气氛下处理5分钟，然后在氢气气氛下，三维生长GaN缓冲层，再生长n-GaN层；在氮气气氛下生长高电子浓度的n型插入层，接着生长多个周期多量子阱有源区；在有源区上，在氮气气氛下，生长高空穴浓度的p型插入层；在氢气氛下生长p-GaN层。本发明具有工艺流程相对简单，可重复性好，附加成本低，采用本发明中技术生长制作的LED芯片显示优异的光电性质，可靠性和稳定性大副度提高。
采用金属有机化合物外延技术生长抗静电能力发光二极管方法

[发明专利]氢气氛中使用感应加热钼坩埚提拉法生长蓝宝石晶体-CN02134220.2无效
发明人：李明远 -专利权人：深圳市淼浩高新科技开发有限公司;李明远
申请日： 2002-06-21 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：氢气氛中使用感应加热钼坩埚提拉法生长蓝宝石晶体包括如下步骤a、设置一个高温、恒温环境的保护和与晶体生长相适应的气体气氛环境保护的晶体生长真空室；b、中频感应加热钼坩埚的温场装置；c、使用还原性气氛保护气体—氢气；d、晶体生长的提拉装置；e、控制生长晶体等径的电子秤测量系统；f、使用由电子束提纯后的Al2O3原材料。
氢气使用感应加热坩埚提拉法生长蓝宝石晶体

[发明专利]一种高质量单晶碳化硅及其制备方法-CN201811303459.3在审
发明人：李霞;高超;梁晓亮;宁秀秀;孙元行;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：所述制备方法包括以下步骤：第一单晶碳化硅长晶阶段和包括硅气氛补充步骤的第二单晶碳化硅长晶阶段，其中，所述第二单晶碳化硅长晶阶段为：当单晶碳化硅生长腔内生长气氛中的硅碳比小于1.1时，启动硅气氛补充步骤。在晶体生长阶段中后期，补充的硅气氛会通过连通管道进入生长腔内，使得生长腔内的硅碳比达到平衡，减少甚至消除碳包裹体的形成。每个坩埚的温度都由单独的加热元件控制，提高了温度控制的灵活性。
单晶碳化硅生长腔制备高质量单晶硅碳比碳化硅补充加热元件控制晶体生长阶段连通管道生长气氛碳包裹坩埚平衡

[实用新型]一种生长碳化硅晶体的坩埚装置-CN202121920231.6有效
发明人：陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种生长碳化硅晶体的坩埚装置，涉及半导体技术领域，该生长碳化硅晶体的坩埚装置包括坩埚及叶轮，坩埚包括坩埚锅体及坩埚盖，坩埚锅体用于放置碳化硅粉末，坩埚盖位于坩埚锅体内部的一侧用于放置仔晶，叶轮设置于坩埚锅体内，叶轮包括叶轮本体和设置在叶轮本体上的多个叶片，叶轮本体与坩埚内侧壁具有用于供气氛传输的气氛传输通道，气氛传输通道包括气氛通道入口与气氛通道出口，叶轮用于当坩埚被加热且伴随坩埚进行自旋时，挤压所述坩埚内的空气，以加快碳化硅晶体的生长气氛的传输。
一种生长碳化硅晶体坩埚装置

[发明专利]一种适用于小间距显示屏的LED外延生长方法-CN202010662767.6有效
发明人：徐平;王杰;谢鹏杰;周佐华 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种适用于小间距显示屏的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层和生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括掺Mg预处理、生长InGaN盖层、生长InGaN阱层、生长H2气氛InGaN：Si层、生长N2气氛InGaN：Mg层、生长H2和N2混合气氛InGaN：Mg/Si层、生长InGaN保护层和生长本发明方法解决现有LED外延生长中存在的LED发光波长蓝移量较大的问题，同时提高LED的发光效率，降低工作电压，增强抗静电能力。
一种适用于间距显示屏 led 外延生长方法

[发明专利]一种有效降低碳化硅外延片缺陷密度的方法-CN202310419900.9在审
发明人：张南;郭嘉杰;黄吉裕;刘自然;谭永炘;王慧勇;罗骞 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效降低碳化硅外延片缺陷密度的方法，属于半导体加工领域，将生长外延层的步骤分成了若干个周期，每个周期内依次包括高速生长过程、气氛修正过程和低速生长过程，气氛修正过程中的硅源流量小于低速生长过程的硅源流量气氛修正过程避免外延层长期处于富碳环境中，能够周期性地修正反应室中的气氛，全程不会完全中断生长源气流，对台阶流生长模式的影响小，有利于降低外延片缺陷密度，低速生长过程在不中断生长源气流的前提下起到刻蚀作用和退火作用相结合的综合效果，有利于修复衬底表面缺陷、提升外延层的结晶质量，从而为下一轮高速生长过程提供良好表面作为基础，能进一步减少外延片缺陷。
一种有效降低碳化硅外延缺陷密度方法

[发明专利]三元前驱体及其制备方法-CN202210570617.1有效
发明人：王娟;武启明;宋卓卓;李建晓;霍广鹏;邱天;姜珍兰 -专利权人：华友新能源科技（衢州）有限公司;浙江华友钴业股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01M4/52 文献下载
摘要：该制备方法包括：成核期：将金属盐溶液和碱液通入反应器中进行成核得到粒径为1μm～2.5μm的反应核，其中，成核时通入的气氛为弱氧化气氛。降pH生长期：继续通入金属盐溶液，并减少或停止碱液的通入，使混合液的pH值降低0.5～1，其中，降pH生长时通入的气氛为惰性气氛。氧化生长期：当检测到颗粒的粒径D50为目标粒径的0.7～0.97时，将通入的气氛切换成强氧化气氛，继续生长至目标粒径。该方法能够得到颗粒均匀、高比表面积和高振实密度的三元前驱体。
三元前驱及其制备方法

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