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[发明专利]成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法和碲及碲化物纳米线热电装置-CN201610539817.5在审
发明人：林宗宏;周庭楙;李璎纯;饶允婷 -专利权人：林宗宏
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明是提供成长碲及碲化物纳米线阵列的方法及碲及碲化物纳米线热电装置。碲及碲化物纳米线可表现出n‑型或p‑型热电特性。碲及碲化物纳米线热电装置包含有第一电极、于第一电极上所形成具热电特性的多个碲及碲化物纳米线阵列以及第二电极。另于碲及碲化物纳米线阵列及第二电极间可包含导电聚合物。借此，透过碲及碲化物纳米线热电材料的纳米尺度特性，可大幅提高热电转换效率。再者，此种热电装置不受大小规模限制，且具有轻薄体积以及可挠特性，具备在衣物、汽车、工厂废热等广大的应用性。
成长碲化物纳米阵列导电基材方法热电装置

[发明专利]一种从碲化物型含金矿石中回收碲的方法-CN201810134461.6有效
发明人：杨玮;董萍;王刚;宛鹤;龙涛 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种从碲化物型含金矿石中回收碲的方法，采用“选冶联合”的方式，先将碲化物型含金原矿石磨至一定细度后，采用NaOH调节矿浆pH为8，加入黄药类捕收剂、2#油，浮选富集得到碲精矿；碲精矿加入一定量的助浸剂
碲化物含金矿石碲精矿矿浆资源综合利用率石磨浸出药剂直接回收总回收率回收捕收剂助浸剂浮选富集黄药浸出细度再磨回收率联合

[发明专利]一种提高难处理碲化物型浮选金精矿中金、银浸出率的方法-CN201810134468.8有效
发明人：杨玮;董萍;宛鹤;龙涛;王刚;曹欢;张凯 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C22B11/08 文献下载
摘要：一种提高难处理碲化物型浮选金精矿中金、银浸出率的方法，特别涉及氰化浸出碲化物型金矿工艺。该工艺包括以下步骤：(1)磨矿加药助浸脱杂作业；(2)碱‑氧化预处理作业；(3)氰化浸出作业。本申请中的矿石为碲化物型选浮金精矿，其中伴生有较多的银，力求提高金银的浸出率，为企业创造更大的经济效益。本发明解决了难处理碲化物型金精矿中，金银浸出率很低，且浸出时间长的问题，采用加药球磨‑碱氧化预处理‑氰化浸出工艺，金银的浸出率和浸出速率都得到了较大的提升。
一种提高难处理碲化物型浮选精矿浸出方法

[发明专利]一种宽波段快响应自驱动型光电探测器及其制备方法-CN202310067629.7在审
发明人：潘毅;林煜楠;胡永琪;毛家彤;张又麒;张一诺;王栋立 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽波段快响应自驱动型光电探测器及其制备方法，包括衬底、二维过渡金属碲化物和两个金属电极；二维过渡金属碲化物位于衬底上方，两个金属电极位于二维过渡金属碲化物上方，两个金属电极位于二维过渡金属碲化物的顶面轴心线两侧制备方法为S1：提高衬底表面亲水性；S2：在衬底表面通过化学气相沉积法得到二维过渡金属碲化物；S3：在二维过渡金属碲化物表面蒸镀两个非对称设置的金属电极。提高二维过渡金属碲化物的制备效率，能够在衬底较大范围内获得连续均匀的二维过渡金属碲化物。
一种波段响应驱动光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种过渡金属碲化物复合碳纳米纤维、制备方法及其应用-CN202310746317.9在审
发明人：纪律律;应玉龙;叶永庆;蒋昆;叶剑诚;王晟;王騊 -专利权人：永氢（常州）能源科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： D01F9/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属碲化物复合碳纳米纤维、制备方法及其应用，本发明首先以聚丙烯腈、过渡金属盐和碲酸为原料，N,N‑二甲基甲酰胺为溶剂，配制了静电纺丝溶液；然后将静电纺丝溶液通过静电纺丝得到过渡金属盐‑碲酸掺杂型聚丙烯腈纳米纤维，最后对纳米纤维煅烧处理，制备了过渡金属碲化物复合碳纳米纤维。该过渡金属碲化物复合碳纳米纤维具有独特的结构优势，由过渡金属碲化物以纳米颗粒均匀负载于碳纳米纤维构成。实验结果表明，该过渡金属碲化物复合碳纳米纤维在酸性和碱性溶液中均表现出优异的电催化析氢性能，具有制氢效率高、经济成本低等优点，有望替代商用的Pt/C催化剂，具备良好的应用前景。
一种过渡金属碲化物复合纳米纤维制备方法及其应用

[发明专利]核/壳型碲化镉/硫化镉水溶性量子点的合成方法-CN200710056422.0无效
发明人：严秀平;沈晓芳 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C09K11/54 文献下载
摘要：本发明公开了核/壳型碲化镉/硫化镉水溶性量子点的合成方法。它是在水相中以聚乙烯吡咯烷酮为分散剂、粒径调节剂、稳定剂，以巯基化合物为稳定剂、络合剂，加入镉盐或镉的氧化物、氢氧化物，惰性气体保护下注入采用硼氢化钾或硼氢化钠与碲粉反应生成的碲氢化钾或碲氢化钠的溶液，从而生成水溶性的碲化镉纳米粒子。将所生成的水溶性碲化镉纳米粒子溶液中注入不同浓度的硫源继续反应，即可制备出不同粒径、光谱可调、高量子产率、性质稳定、水溶性的核/壳型碲化镉/硫化镉的量子点。
壳型碲化镉硫化水溶性量子合成方法

[发明专利]将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件-CN201110175409.3无效
发明人： J·M·弗里 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明名称为将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件。包括设置在碲化镉层内的改性碲化镉和未改性碲化镉的层。该改性区包括的碲化物浓度大于未改性碲化镉区中的碲化物浓度。该改性区还包括六方密排晶体结构。还公开用于将碲化镉层改性的方法和薄膜器件。
将碲化镉层改性方法具有碲化镉层薄膜器件

[发明专利]一种锂离子电池碲化钼阳极材料及其制备方法-CN201711023497.9有效
发明人：邓飞;马宁;蔡芳昌;江泰槿 -专利权人：长江大学;湖北常泰欣业科技有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子电池碲化钼阳极材料，其包含1T’型二碲化钼晶体和包覆在所述1T’型二碲化钼晶体外表面的导电材料，且所述导电材料在碲化钼阳极材料中的质量比为5％‑15％。若导电材料在碲化钼阳极材料中的质量比小于5％，会造成1T’型二碲化钼晶体的团聚；导电材料在碲化钼阳极材料中的质量百分比大于15％，1T’型二碲化钼晶体不能充分发挥其优异的电化学性质；导电材料包覆1T’型二碲化钼晶体，且导电材料在碲化钼阳极材料中的质量比为5％‑15％可以使该锂离子电池碲化钼阳极材料具有优异的倍率性能和良好的循环性能。本发明还提供了一种锂离子电池碲化钼阳极材料的制备方法，工艺简单，环保高效。
一种锂离子电池碲化钼阳极材料及其制备方法

[发明专利]碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法-CN201010604140.1无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：碲化镉薄膜光伏器件(10)大体上公开包括渐变合金碲化物层(22)。该器件可以包括硫化镉层(18)、在该硫化镉层(18)上的渐变合金碲化物层(22)和在该渐变合金碲化物层(22)上的背接触(24)。该渐变合金碲化物层(22)一般具有在从该硫化镉层(18)朝该背接触层(24)的方向上延伸的递增合金浓度和递减镉浓度。该器件(10)还可包括在该硫化镉层(18)和该渐变合金碲化物层(22)之间的碲化镉层(20)。还大体上公开用于制造基于碲化镉的薄膜光伏器件的方法，该光伏器件具有渐变碲化镉结构。
碲化镉薄膜器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292895.2在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基衬底层依次进行除气处理和束流校正；在束流校正后的硅基衬底层上外延生长碲化镉复合衬底层；在碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲化镉导电层；在p型掺杂高电导率碲化镉导电层上外延生长碲镉汞吸收层碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基衬底层；碲化镉复合衬底层，层叠设置于硅基衬底层上；p型掺杂高电导率碲化镉导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲化镉导电层上。
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种二维金属纳米片的普适制备方法-CN202310557195.9在审
发明人：王岩;袁旭;吴玉程;张剑芳;余翠平;秦永强;崔接武;张勇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C25C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维金属纳米片的普适制备方法，是通过原位电化学还原工艺制得：首先将金属碲化物或金属硒化物进行冷冻‑超声液相剥离，制得二维金属碲化物纳米片或二维金属硒化物纳米片；然后将二维金属碲化物纳米片或二维金属硒化物纳米片在H型电解池体系中进行还原，即获得二维金属纳米片。
一种二维金属纳米制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202011461498.3有效
发明人：丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：在衬底与n型层之间增加了碲化钒层。由于碲化钒层内的原子之间通过共价键结合，碲化钒层的原子层状结构由Te‑V‑V‑Te沿着c轴方向排列组合而成，碲化钒层的原子层状结构之间主要通过范德瓦尔斯力结合。碲化钒层的这种特殊的原子层状结构使得碲化钒层与n型层之间也只是存在分子间范德华力。碲化钒层与n型层之间的结合不会非常紧密，可以便于n型层从碲化钒层的表面上剥离并进行转移，可以提高n型层从衬底上完整剥离的概率并降低n型层从衬底剥离的困难程度。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]含碲对电极、具有该对电极的太阳能电池及其制造方法-CN201410268022.6无效
发明人：过家好;马廷丽;严学庆 -专利权人：大连理工大学;江苏欧力特能源科技有限公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：一种含碲对电极，为具有碲化物之导电玻璃基片，碲化物为碲化钴、碲化镍的其中之一，或者其混合物。含碲对电极的制造方法，包括：含碲对电极的反应原料配制；低温反应，将反应混合物放入反应釜密封，并置于具有预设温度的烘箱中反应；冷却洗涤；高温烧结，将干燥后之固体物置于管式炉中，在氮气氛围下进行烧结；含碲对电极制造本发明太阳能电池采用含碲对电极，不仅光电转换效率大幅度提升，而且所述含碲对电极成本低廉，适于产业化发展需要。同时，所述含碲对电极之制造方法采用低温反应和高温烧结工艺，所获得的含碲对电极不仅催化性能优异，而且制造工艺简单，避免了传统工艺制备所需的苛刻条件。
电极具有太阳能电池及其制造方法

[发明专利]制造多成分薄膜的方法-CN201110048467.X有效
发明人：萧满超;杨柳;雷新建;I·布查南 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明描述了用于沉积多成分薄膜的方法和液基前体组合物。在一个实施方式中，本发明所述的方法和组合物用于沉积碲锗(GeTe)、碲锑(SbTe)、锗锑(SbGe)、锗锑碲(GST)、铟锑碲(IST)、银铟锑碲(AIST)、碲化镉(CdTe)、硒化镉(CdSe)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或其他用于相变存储器和光伏装置的碲和硒基的金属化合物。
制造成分薄膜方法

[发明专利]一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法-CN201410687093.X有效
发明人：张忠平;蒋阳;蓝新正;常亚婧;姚旭东;王辉;李国鹏 -专利权人：巢湖学院
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法，其中碲化镉量子点的合成方法是在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220℃保温反应5-20min，随后升温至230-245℃保温反应5-30min，得到碲化镉量子点。本发明Ⅱ型碲化镉核壳量子点的化学结构式为CdTe/CdSe或CdTe/CdS，碲化镉量子点包壳硒化镉或硫化镉的过程采用无膦原位加热法进行。本发明合成的碲化镉量子点和Ⅱ型碲化镉核壳量子点发射在530-800nm，在550-650nm波段荧光量子产率≥40％，最高可达75％。
一种碲化镉量子合成方法以及型碲化镉核壳

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