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[发明专利]一种ZnO/CdS/MoS2-CN202010039033.2在审
发明人：乔秀清;贾艳琳;王紫昭;李秋昊 -专利权人：三峡大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：其技术方案为：先采用水热法制备出棒状CdS，然后与片状ZnO按不同比例球磨，形成ZnO/CdS异质结，再加入不同比例的MoS2超声震荡复合形成ZnO/CdS/MoS2异质结。
一种 zno cds mos base sub

[发明专利]一种石墨烯修饰Er掺杂CeO2-CN202010621533.7在审
发明人：庞焕林 -专利权人：庞焕林
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： B01J27/06 文献下载
摘要：本发明涉及光催化技术领域，且公开了一种石墨烯修饰Er掺杂CeO2‑BiOBr异质结的光催化降解材料，以硼氢化钠为还原剂，得到还原氧化石墨烯，有效还原含氧基团，以硝酸铈2，增大与太阳光的接触面积，铒离子取代铈离子格位，在晶格中产生氧空位缺陷，可作为光生电子捕捉陷阱，延缓光生电子‑空穴的复合，以硝酸铋为铋源，得到石墨烯修饰花瓣状BiOBr，花瓣状BiOBr是由片堆积而成，存在大量的狭缝状空洞，Er掺杂CeO2与BiOBr形成异质结结构，有效抑制光生电子‑空穴的复合，使得石墨烯修饰Er掺杂CeO2‑BiOBr异质结具有优异的光催化降解四环素的性能。
一种石墨修饰 er 掺杂 ceo base sub

[发明专利]一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站-CN201910622692.6在审
发明人：周剑;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州迈正科技有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站，所述方法包括使用光源照射异质结电池，所述光源照射的同时通过热辐射的方式将所述异质结电池加热至20℃至300℃之间，所述光源的光强为本发明的异质结电池氢钝化方法通过光源提供照射同时加热的方法对异质结电池进行氢钝化，使得氢钝化设备的结构简单，且传热的方式为热辐射，热辐射传热速度快，热惯性小且不存在与被测对象达到热平衡的问题。
氢钝化异质结电池热辐射太阳能供电传热电池组件光源照射加热电池被测对象光源提供热惯性热平衡太阳光光强光源照射

[发明专利]一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用-CN202211080520.9在审
发明人：唐振华;方俊霖;张莉;范召缘;梁展恒;刘廷诉;唐新桂;刘秋香 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用，该MXene/NiO异质结的突触器件，包括：基片，所述基片中设置有底部电极，其中，所述基片的上顶面暴露有所述底部电极；覆盖所述基片部分区域的MXene/NiO异质结层，所述MXene/NiO异质结层包括MXene层和NiO层，所述部分区域为基片对应的区域中除底部电极的其他区域；位于所述MXene/NiO异质结层顶面的顶部电极。
一种 mxene nio 异质结突触器件制备方法及其应用

[发明专利]异质结太阳电池的性能测试方法-CN202310410677.1在审
发明人：高永强 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳电池的性能测试方法，包括如下步骤：提供异质结太阳电池片；对异质结太阳电池片依次进行退火处理和光注入处理；对光注入处理后的异质结太阳电池片进行光电转换效率衰减测试。本发明的性能测试方法能够很好地反映电池片中的膜层本身致密性以及膜层之间的界面接触性对电池片的效率衰减影响情况，真实地反映电池片中膜层致密性和膜层之间界面接触性情况，为异质结太阳电池片的生产工艺调整优化提供支撑
异质结太阳电池性能测试方法

[发明专利]一种原位制备铁系尖晶石异质结阵列材料的方法-CN202310163326.5在审
发明人：徐英明;李保生;程晓丽;王婷婷;霍丽华;张现发 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：一种原位制备铁系尖晶石异质结阵列材料的方法，本发明涉及一种铁系尖晶石异质结阵列材料的方法。解决现有技术仅能通过两步法制备金属氧化物异质结阵列结构，且无广谱性的问题。Fe2O3/RFe2O4铁系尖晶石异质结阵列材料本发明用于原位制备铁系尖晶石异质结阵列材料。
一种原位制备尖晶石异质结阵列材料方法

[发明专利]一种在表面制绒的异质结电池上制备钙钛矿薄膜的方法-CN202011002388.0有效
发明人：沈文忠;王杨润乾;王鑫;刘洪 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种在表面制绒的非晶硅/晶硅异质结电池上快速低成本制备钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域，所述方法为先表面制绒的异质结电池清洗；然后在清洗干净的所述表面制绒的异质结电池表面采用电化学方法制备金属铅层；最后采用电化学方法将表面制绒的异质结电池上含有的所述金属铅层转化为所述钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以快速低成本地在表面制绒的异质结电池上制备均匀的钙钛矿薄膜。
一种表面异质结电池制备钙钛矿薄膜方法

[发明专利]一种管式CVD炉用接头、二维材料及其生长装置和方法-CN201810541023.1有效
发明人：吴雅苹;何钦明;吴志明;张纯淼;陈嘉俊;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料生长装置及其接头，以及运用装置的生长方法和制备的组分可调二维材料，包括层状二维材料及其异质结和非层状二维薄膜材料，进一步包括多元二维材料、组分可调的二维混晶材料和二维异质结材料，所述异质结包括单层或多层的垂直异质结和侧向异质结。本发明装置和方法创造性地在CVD生长设备上设计多个可观察的、可独立控制加热温度和时间、可准确控制蒸发源材料通断的蒸发源加热腔，从而提高了二维材料组分和异质结界面的可控性，很好地改善了管式CVD炉多温区蒸发源之间温度的互相影响，解决了二维材料生长过程中元素组分不易调控和异质结界面互扩散的问题，提高二维材料及其异质结的生长效率和晶体质量。
二维材料异质结生长装置蒸发源二维二维薄膜材料侧向异质结材料异质结界面蒸发源材料独立控制混晶材料生长过程运用装置准确控制生长多温区加热腔可调的可观察可控性单层多层管式可调通断种管加热制备垂直扩散调控

[发明专利]一种硅异质结太阳电池组件的制作方法-CN202010417758.0在审
发明人：韩安军;刘正新;孟凡英;张丽平;石建华;杜俊霖;陈红元;李金萍;周华;谢毅 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳电池组件的制作方法，解决了因焊接和层压高温对太阳电池钝化效果和转换效率带来的劣化问题，属于太阳电池技术领域，制作步骤为：(1)制备硅异质结太阳能电池；(2)将硅异质结太阳电池进行串并联形成硅异质结太阳电池串；(3)铺设组件封装材料形成堆叠物；(4)将堆叠物放入层压机中，采用LED光源作为加热源进行层压制备组件，层压完成后得到硅异质结太阳电池组件；本发明通过采用LED光源作为层压加热源，在对组件进行层压的过程中同时完成对硅异质结电池片的高温下光注入处理，显著改善非晶硅对异质结太阳电池的钝化效果，提升太阳电池的转换效率，增加太阳电池组件的输出功率，同时加热快，效率高，能耗低。
一种硅异质结太阳电池组件制作方法

[发明专利]叠瓦组件、异质结太阳能电池片和制造方法-CN202010002958.X在审
发明人：陈登运;孙俊;尹丙伟;石刚;李岩 -专利权人：成都晔凡科技有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种叠瓦组件、异质结太阳能电池片和制造方法。叠瓦组件的电池串由多个异质结太阳能电池片以叠瓦方式依次相连而形成，各个异质结太阳能电池片通过不具导电特性的粘结剂彼此相连。异质结太阳能电池片包括基体片，基体片包括中心层以及设置在中心层的顶表面和底表面上的透光导电膜，在叠瓦组件中，相邻的两个异质结太阳能电池片中的彼此相对的表面上的透光导电膜能够对准并直接接触从而实现相邻的两个异质结太阳能电池片之间的导电连接根据本发明，异质结太阳能电池片之间通过透光导电膜的接触实现导电传输，从而可以使用不具导电性的粘结剂使各个电池片相互固定，可以避免由于导电胶失效而可能发生的各种问题。
组件异质结太阳能电池制造方法

[发明专利]基于异质结光响应双通道传感芯片及其制备方法与应用-CN202111589823.9在审
发明人：庞雪辉;吕晓奕;解建东;庞迎新 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N27/27 文献下载
摘要：本发明属于生物传感检测技术领域，涉及基于异质结光响应双通道传感芯片及其制备方法与应用；包括两个对立设置的导电基板，一个导电基板设置两个相互绝缘的反应室，一个反应室表面设置第一异质结光响应膜层，另一个反应室表面设置第二异质结光响应膜层；另一个导电基板为辅助电极；第一异质结光响应膜层的表面和第二异质结光响应膜层的表面均设置特异性探针，第一异质结光响应膜层由Cu2O膜层与聚三噻吩膜层形成，第二异质结光响应膜层由
基于异质结光响应双通道传感芯片及其制备方法应用

[发明专利]异质结自旋过滤和负微分电阻效应的制备工艺-CN201610732685.8有效
发明人：韩红培 -专利权人：许昌学院
申请日： 2016-08-27 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于Co2MnGe/GaAs异质结自旋过滤和负微分电阻效应的制备工艺，第一步：构建全霍伊斯勒L21型Co/base:Sub>下，对Co2MnGe的态密度进行计算并加以分析；第三步：构建Co2MnGe/GaAs111方向的异质结并进行优化；第四步：对优化后的异质结左右两端的材料分别重复一个周期，作为异质结的左右电极；第五步：在异质结的左右电极上施加偏压，计算Co2MnGe/GaAs异质结的量子自旋输运性质；第六步：通过对Co2MnGe/GaAs异质结输运性质的分析，获得输运过程中的自旋过滤和负微分电阻效应。
异质结自旋过滤微分电阻效应制备工艺

[发明专利]量子点修饰的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法-CN201910188544.8有效
发明人：黄江;董怀远;侯思辉;何伊玫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电器件技术领域，具体公开了一种量子点修饰的双体异质结有机太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的功能层，功能层包括第一有机体异质结层、第二有机体异质结层以及位于第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间的量子点修饰层；功能层还可包括空穴传输层本发明通过在双体异质结太阳能电池中引入量子点修饰层，有效的提升了双体异质结有机太阳能电池的开路电压和短路电流，获得了较现有技术有所提升的转换效率。
量子修饰双体异质结有机太阳能电池及其制备方法

[发明专利]分段溶剂热反应制备混合相二氧化钒异质结的方法及应用-CN202110783462.5有效
发明人：丁军伟;姬东方;古林青;柳文庆;方少明;吴诗德;王诗文;冯朴;赖智龙;曹小玉;张勇;韩莉锋;郭东杰 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C01G31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种分段溶剂热反应制备混合相二氧化钒异质结的方法及应用，该方法以草酸为还原剂，通过不同温度下的分段溶剂热反应得到具有不同组成和比例的混合相二氧化钒异质结(包括B‑M两相混合二氧化钒异质结、B‑R两相混合二氧化钒异质结、M‑R两相混合二氧化钒异质结、B‑D两相混合二氧化钒异质结等)；得到的混合相二氧化钒异质结用于锌离子电池正极材料时，克服了直接采用纯相二氧化钒时存在的钒溶解、容量低和容量衰减等问题
分段溶剂反应制备混合氧化钒异质结方法应用

[实用新型]叠瓦组件和异质结太阳能电池片-CN202020005492.4有效
发明人：陈登运;孙俊;尹丙伟;石刚;李岩 -专利权人：成都晔凡科技有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种叠瓦组件、异质结太阳能电池片。叠瓦组件的电池串由多个异质结太阳能电池片以叠瓦方式依次相连而形成，各个异质结太阳能电池片通过不具导电特性的粘结剂彼此相连。异质结太阳能电池片包括基体片，基体片包括中心层以及设置在中心层的顶表面和底表面上的透光导电膜，在叠瓦组件中，相邻的两个异质结太阳能电池片中的彼此相对的表面上的透光导电膜能够对准并直接接触从而实现相邻的两个异质结太阳能电池片之间的导电连接根据本实用新型，异质结太阳能电池片之间通过透光导电膜的接触实现导电传输，从而可以使用不具导电性的粘结剂使各个电池片相互固定，可以避免由于导电胶失效而可能发生的各种问题。
组件异质结太阳能电池