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[发明专利]一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法-CN201310228422.X在审
发明人：麻芃;金智;史敬元;张大勇;彭松昂;陈娇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，该方法是利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下栅介质，对石墨烯顶栅FET器件进行腐蚀，去除栅源、栅漏间石墨烯沟道区上覆盖的栅介质，然后蒸镀一层金属覆盖栅源、栅漏间石墨烯材料上形成金属石墨烯接触，消除栅源、栅漏之间距离引入的沟道通路电阻。本发明采用自对准工艺蒸镀源漏金属，避免了栅源、栅漏间的距离产生的通路寄生电阻，从而有效地增加了石墨烯顶栅FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率。
一种减小石墨烯顶栅 fet 器件寄生电阻方法

[实用新型]一种石墨烯场效应晶体管-CN201220047566.6有效
发明人：马中发;庄弈琪;吴勇;张鹏;张策;包军林 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型的目的在于提供一种石墨烯场效应晶体管，包括衬底、石墨烯沟道层、h-BN材质的底栅介质层、h-BN材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于石墨烯沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于石墨烯沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上。本实用新型的石墨烯场效应晶体管的微波与射频特性好。
一种石墨场效应晶体管

[发明专利]采用石墨烯的场效应晶体管及其制备方法-CN201310720981.2在审
发明人：魏星;郑理;狄增峰;方子韦 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用石墨烯的场效应晶体管及其制备方法。所述采用石墨烯的场效应晶体管包括：衬底、金属源极、金属漏极、石墨烯沟道层、底栅、顶栅、以及顶栅电极。在制备底栅和顶栅的步骤中利用原子层沉积工艺并借助其侧向导入前驱体的特性，在所述石墨烯沟道层的两个表面同时形成底栅和顶栅，所述底栅设置在所述石墨烯沟道层、衬底、金属源极和金属漏极限定而成的空间内，并与所述石墨烯沟道层的表面贴合，所述顶栅设置在与石墨烯沟道层设置底栅的表面相对的另一表面上。本发明的优点在于，巧妙了的利用了原子层沉积工艺的侧向导入前驱体的特性，在已经生长了石墨烯沟道层的前提下，仍然可以采用简单的工艺同时获得底栅和顶栅。
采用石墨场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管及其制备方法-CN201410458985.2有效
发明人：黄如;王佳鑫;黄芊芊;吴春蕾;朱昊;赵阳 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管，包括一个底栅电极、一个底栅介质层、一个双层石墨烯有源区、一个金属源电极、一个金属漏电极、一个阶梯顶栅介质层和一个顶栅电极；所述底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且同时覆盖底栅介质层和部分双层石墨烯有源区，阶梯顶栅介质层覆盖在金属源电极、金属漏电极和两电极之间的石墨烯上，顶栅电极只部分覆盖在阶梯顶栅介质层的上方本发明通过引入阶梯顶栅介质层，有效减小关态时源区和栅控沟道之间的隧穿窗口，从而获得较小的关态电流，改善了器件的开关比。
阶梯介质双层石墨场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种顶栅结构的制备方法及半导体结构-CN202110331144.5在审
发明人：狄增峰;刘冠宇;薛忠营;田子傲;张苗 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种顶栅结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、栅介质层、至少一栅电极层及支撑层；将由栅介质层、栅电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，栅介质层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使由栅介质层及栅电极层组成的顶栅结构留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作顶栅结构，利用石墨烯与栅介质材料间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意顶栅结构的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了顶栅结构的可应用范围，减少了顶栅结构制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低顶栅结构的制作成本。
一种结构制备方法半导体

[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法-CN201610304217.0有效
发明人：金智;王少青;毛达诚;史敬元;彭松昂;张大勇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下方的栅介质，对栅介质层进行刻蚀，去除栅源、栅漏之间石墨烯有源区上覆盖的栅介质；再以顶栅电极为掩膜，对石墨烯进行刻蚀，破坏石墨烯材料的晶格结构，形成缺陷；之后在上述形成的器件上形成一金属薄膜层，在金属薄膜层上制备源电极和漏电极；对完成后的器件进行退火。本发明方法不仅可以减小栅源和栅漏之间的间距，有效地避免器件加工工艺对石墨烯的污染，而且通过对接触区石墨烯材料进行部分刻蚀，可以得到较小的接触电阻率，从而提高石墨烯晶体管的性能。
一种石墨场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法-CN201310352264.9有效
发明人：王浩敏;谢红;吴天如;孙秋娟;王慧山;宋阳曦;刘晓宇;唐述杰;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石墨烯为带状石墨烯或石墨烯纳米带；所述带状石墨烯的宽度大于100nm；所述石墨烯纳米带的宽度范围为1~100nm。本发明通过在底层石墨烯及顶层石墨烯之间引入绝缘阻挡层，这样底层石墨烯及顶层石墨烯中载流子浓度可以分别通过加在底栅电极和顶栅电极上的电压进行调节，从而实现器件的较高的开关比。同时顶栅电极和底栅电极可以进行精确的单元选址，实现大规模器件集成运用。
基于石墨场效应单元阵列及其形成方法

[发明专利]通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法-CN201410535650.6有效
发明人：麻芃;金智;史敬元;王少青;张大勇;王选芸 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法，该方法包括：在石墨烯上沉积栅介质层，制备T型栅金属电极；沉积钝化保护层，利用选择性刻蚀去除栅介质上方覆盖的钝化保护层而保留T型栅金属电极足部侧墙部分的钝化保护层；对栅介质层进行腐蚀，去除T型栅金属电极足部覆盖区域之外的栅介质层；以及沉积金属形成源漏金属电极。本发明通过所设计的自对准工艺制备流程制备石墨烯顶栅FET器件，可以有效地减小栅源、栅漏间距离，进而减小寄生通路电阻和寄生栅电阻，从而提高石墨烯顶栅FET器件的性能。
通过对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件方法

[发明专利]一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管及其制备方法-CN201310148699.1有效
发明人：马中发;张鹏;吴勇;庄奕琪;肖郑操;赵钰迪;郭超;冯元博 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种多层双栅石墨烯场效应的晶体管，包括六方氮化硼作衬底，源电极，漏电极，所述晶体管还包括：底栅金属电极，淀积在所述衬底上；背栅介质，单层石墨烯，顶栅介质，顶栅金属电极，将所述底栅金属电极与所述顶栅金属电极连接本发明有益效果在于，该器件利用h-BN作为顶栅和底栅介质，由于h-BN是一种二维平面材料，且表面悬挂键和陷阱电荷非常少，因此能够提高石墨烯沟道载流子的迁移率。这种多层双栅的石墨烯场效应晶体管可以最大限度提高石墨烯场效应晶体管的漏源电流，在高频大功率器件领域有广泛应用。
一种多层石墨场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法-CN201610266868.5有效
发明人：彭松昂;金智;张大勇;史敬元 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成绝缘层和石墨烯导电层；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶，曝光后显影出梳型源漏接触结构，选择性沉积金属后剥离；在石墨烯导电层上沉积栅介质层；对栅介质层和石墨烯进行图形化刻蚀；在梳型源漏接触结构上选择性沉积源漏电极金属；在沟道区栅介质层上沉积栅金属。该制备过程简单并易于与顶栅石墨烯场效应晶体管制备工艺兼容，同时，由于采用了梳型的接触结构，使得电流通过边沿传输的方式由金属注入到石墨烯中，大大提升了电流注入效率，从而减小了器件的接触电阻，有助于提高顶栅石墨烯场效应晶体管的直流和频率特性
减小石墨场效应晶体管欧姆接触方法

[发明专利]一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201410458211.X有效
发明人：黄如;王佳鑫;黄芊芊;吴春蕾;朱昊;赵阳 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对于n型器件，金属源电极的功函数较大，与其接触的石墨烯呈p型掺杂，金属漏电极的功函数较小，与其接触的石墨烯呈n型掺杂；p型器件的电极与n型器件相反；顶栅介质层覆盖在金属源电极、金属漏电极与两电极之间的石墨烯上，顶栅电极位于顶栅介质层的上方，且与金属源电极和金属漏电极都交叠。该器件制备工艺简单，与传统的双层石墨烯场效应晶体管相比，此隧穿场效应晶体管的金属源电极和漏电极分别完成。
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯自对准顶栅场效应晶体管器件的方法-CN201511026682.4在审
发明人：刘丽蓉 -专利权人：东莞市青麦田数码科技有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯自对准顶栅场效应晶体管器件的方法，该方法包括：在石墨烯上沉积金属镍薄层、二氧化硅介质层；在二氧化硅介质层上制作栅槽；采用湿法腐蚀的方法腐蚀金属镍；在石墨烯上沉积栅介质，制备栅金属电极；以栅金属电极为掩膜，刻蚀二氧化硅介质层，并侧向横刻蚀二氧化硅；腐蚀金属镍，自对准沉积源漏金属形成源漏金属电极。本发明通过自对准工艺有效减小栅源、栅漏间距，减小寄生电阻，提高石墨烯顶栅器件的性能。
一种石墨对准场效应晶体管器件方法

[发明专利]有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制造方法-CN201510033719.X有效
发明人：谢丹;孙翊淋;徐建龙;张丞;张小稳;李娴;赵远帆;朱宏伟 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制备方法，属于柔性电子技术领域，该存储器件包括依次层叠的柔性衬底、金属背栅电极层、金属氧化物背栅介质层、图形化的石墨烯导电沟道、在石墨烯导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，旋涂在背栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、以及金属源电极和漏电极上的有机铁电顶栅介质，蒸发在顶栅介质之上的金属顶栅电极。本发明利用有机铁电材料作为栅介质，可以实现铁电型非易失数据存储，而且有机铁电材料因其自身的柔韧性以及可在低温下成膜的特点，适合于柔性存储器件的制备。同时，引入石墨烯作为沟道材料，极大提高了器件的电学性能，具有制备工艺简单，成本低，且可以在低温下实现的特点。
有机铁电栅石墨柔性存储器件及其制造方法

[发明专利]一种旁栅石墨烯场效应晶体管的制备方法-CN201210593954.9有效
发明人：闫景东;王东;宁静;柴正;韩砀;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于化学气相沉积石墨烯的旁栅石墨烯场效应晶体管结构的制备方法，将铜箔放入反应室中，反应室抽真空，对铜箔进行热退火；通过化学气象淀积CVD生长石墨烯；石墨烯转移至高k衬底；利用光刻机曝光源漏以及旁栅位置；利用氧等离子刻蚀机刻蚀旁栅位置处的石墨烯；使用E-beam设备向样品上蒸发金属；将蒸发金属完成的样品放在丙酮中进行超声，然后在无水乙醇中漂洗，用去离子水冲洗，最后使用纯氮气吹干。本发明由于采用旁栅结构，省去了顶栅介质的淀积，避免了顶栅介质对石墨烯材料性质的不良影响。由于采用高k衬底，提高了旁栅对石墨烯导电沟道的调制能力。
一种石墨场效应晶体管制备方法

[实用新型]一种石墨烯纳米带场效应晶体管-CN201220047573.6有效
发明人：马中发;庄弈琪;张鹏;吴勇;张策;包军林 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型的目的在于提供一种石墨烯纳米带场效应晶体管，包括衬底、沟道层、HfO2材质的底栅介质层、HfO2材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述沟道层为采用石墨烯纳米带制成的沟道层，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上，所述沟道层的宽度小于10nm。
一种石墨纳米场效应晶体管

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