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[发明专利]识别晶体管、源漏极间、源漏极至体极的漏电路径的方法及存储设备-CN202211204935.2在审
发明人：曾祥芮;杨璐丹;尤炎;潘伟伟 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别晶体管、源漏极间、源漏极至体极的漏电路径的方法，通过提取并设置参数计量漏电路径中的浮栅数量评估晶体管源漏极间的漏电风险程度；通过在测试过程中将漏电路径受控栅极与目标晶体管的体极相连，提取并利用受控栅极的数量评估源漏极至体极的漏电风险程度。本发明还提供了利用上述方法能够识别晶体管源漏极间和/或源漏极至体极的漏电路径的存储设备。本发明能够全面地提取漏电路径，并将漏电路径中的受控栅极数量、浮栅数量作为评估漏电路径风险程度的重要指标进行提取，量化表征漏电路径的风险程度，以帮助芯片中测试晶体管的选取，以及后续对晶体管测试数据的异常值的分析
识别晶体管源漏极间极至漏电路径方法存储设备

[发明专利]基于输入向量分析和堆叠效应的低漏电单元电路设计方法-CN202210956745.X在审
发明人：邓李硕;单伟伟 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于输入向量分析和堆叠效应的低漏电单元电路设计方法，属于数字集成电路设计领域。进行晶体管各端口漏电占比分析；建立晶体管尺寸和漏电的关系；选择堆叠晶体管数目最大值；建立堆叠截止晶体管的漏电模型；建立不同输入向量下堆叠晶体管的漏电模型；根据目标单元电路在工作中的各种输入向量情况，进行分类讨论；寻找单元电路中的漏电路径并标注；寻找单元电路中的漏电功耗元件并标注；寻找单元电路中的公共漏电路径并标注；寻找单元电路中的关键漏电路径并标注。调整关键漏电路径中的晶体管尺寸；从输入向量控制出发调整晶体管位置；选择性增加堆叠晶体管。对改进后的电路进行仿真验证，确认无误后即可进行单元建库。
基于输入向量分析堆叠效应漏电单元电路设计方法

[发明专利]一种识别晶体管及其栅极至体极的漏电路径的方法、存储设备-CN202211204327.1在审
发明人：尤炎;曾祥芮;杨璐丹;潘伟伟 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种识别晶体管栅极至体极漏电路径的方法，包括：获取版图，根据图层间的连接关系，识别出与目标晶体管栅极有连接关系的M0P、V0和M1，合并所述M0P、V0和M1得到图形并记为seed_conn；根据版图中的电路连接关系，获取与目标晶体管体极相连的电路路径，识别出所述电路路径中与所述seed_conn有连接关系的电路路径并记为目标晶体管栅极到体极的漏电路径，判定存在漏电风险。本发明还公开一种识别晶体管漏电路径的方法，该方法能够全面表征晶体管的漏电风险。本发明另外还公开一种存储设备，所述存储设备可用于执行上述识别晶体管栅极至体极漏电路径的方法的指令。
一种识别晶体管及其栅极至体极漏电路径方法存储设备

[发明专利]一种漏电保护电路及调光驱动电路-CN202111104864.4在审
发明人：何婉玥;刘国强 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H05B45/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种漏电保护电路及调光驱动电路，漏电检测电路用于检测接收外部信号的两个输入端之间是否发生漏电，当发生漏电时，则进行漏电保护措施，脉冲产生电路接收表征两个输入端之间电压的采样信号，并将采样信号与两个阈值进行比较，以根据比较的结果控制漏电检测电路的检测路径导通与否。本专利申请方案在一个工频周期内通过设置两个脉冲信号，让漏电检测路径可导通两次，可兼顾具有可控硅的前切调光和后切调光的驱动电路的漏电检测，适用范围广。
一种漏电保护电路调光驱动

[发明专利]半导体装置的硅穿孔双向修补电路-CN201310469842.7有效
发明人：曾珮玲;苏耿立 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种半导体装置的硅穿孔双向修补电路。硅穿孔双向修补电路包括第一及第二双向开关以及至少两个传输路径模块。第一及第二双向开关依据切换信号或反相切换信号以决定导引第一芯片或第二芯片的输入信号到各个传输路径模块的两端的其中一个。每个传输路径模块包括至少两个数据路径电路及对应的硅穿孔。各个数据路径电路包括输入驱动电路、短路侦测电路以及漏电流消除电路。短路侦测电路侦测直通硅晶穿孔是否与硅基板发生短路，并产生短路侦测输出信号。漏电流消除电路依据短路侦测输出信号以避免由第一准位电压所产生的漏电流流入硅基板。
半导体装置穿孔双向修补电路

[发明专利]硅穿孔修补电路-CN201310172891.4无效
发明人：曾珮玲;苏耿立 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一种硅穿孔修补电路。硅穿孔修补电路包括：第一及第二传输控制开关以及至少两个传输路径模块。第一及第二传输控制开关依据切换信号或反相切换信号以决定导引第一芯片或第二芯片的输入信号到各个传输路径模块的两端的其中一个。每个传输路径模块包括至少两个数据路径电路及对应的硅穿孔。各个数据路径电路包括：输入驱动电路、短路检测电路以及漏电流消除电路。短路检测电路检测硅穿孔是否与硅基板发生短路，并产生短路检测输出信号。漏电流消除电路依据短路检测输出信号以避免由第一电平电压所产生的漏电流流入硅基板。
穿孔修补电路

[发明专利]用于电容性或电阻性测量装置的泄漏补偿电路-CN202011316890.9在审
发明人：赖纳·斯塔尔德迈尔;斯拉米沃尔·拉法尔·玛利诺斯基 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01R15/00 文献下载
摘要：描述了一种用于测量装置的泄漏补偿电路，所述测量装置包括具有泄漏装置的测量电路，所述泄漏装置连接到测量路径且产生泄漏电流。所述泄漏补偿电路包括：i)所述泄漏装置的复制装置，其中所述复制装置连接到复制路径，并且其中所述复制装置被配置成产生与所述泄漏装置的所述泄漏电流基本相等的复制泄漏电流；ii)电压调节器，所述电压调节器连接到所述测量路径且连接到所述复制路径，其中所述电压调节器被配置成基于所述测量路径的电压来调节所述复制路径中的电压；以及iii)电流镜，所述电流镜连接到所述测量路径且连接到所述复制路径，其中所述电流镜被配置成将所述复制装置的所述复制泄漏电流镜射到所述测量路径中
用于电容电阻测量装置泄漏补偿电路

[发明专利]GOA电路和显示面板-CN201811459972.1有效
发明人：戴荣磊 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种GOA电路、显示面板，其通过改变稳压模块中的第七薄膜晶体管的栅极信号，以实现对漏电路径的电压控制；且通过改变信号在触摸屏中停漏电路径的杜绝。
goa 电路显示面板

[发明专利]低漏电的输出入电路与相关装置-CN201010587002.7有效
发明人：叶俊文 -专利权人：晨星软件研发(深圳)有限公司;晨星半导体股份有限公司
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H03K19/08 文献下载
摘要：一种低漏电的输出入电路与相关装置。输出入电路在接垫与供应电源间设置一阻抗路径；此阻抗路径旁路于接垫的信号路径，并设有一开关电路。根据输出入电路供应电源与接垫间的电压大小关系，开关电路选择性地导通阻抗路径。当输出入电路的供应电源正常供电时，开关电路导通阻抗路径而在接垫与供应电源间提供拉升电阻。当供应电源停止供电而使其电压小于接垫电压时，开关电路停止导通阻抗路径以有效减少接垫漏电。
漏电输出电路相关装置

[发明专利]光学耦合元件及电子装置-CN200710109979.6无效
发明人：北村武志;古津友也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-06-11 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：该光学耦合元件包括光发射元件和光接收元件、用于密封这些元件的透明密封部分、覆盖该透明密封部分的不透明密封部分和端子，这些端子单独连接到光发射元件和光接收元件的电极，并从该不透明密封部分的侧面引出，沿面漏电路径是这些端子与它们的相对侧面之间的间隙距离以及侧面的底部边缘之间的距离之和，其中用于延伸沿面漏电路径的沿面漏电路径延伸面设置在不透明密封部分的底面和侧面之间，且端子与由底面和该沿面漏电路径延伸面形成的边缘之间的间隙距离设为特定距离。
光学耦合元件电子装置

[发明专利]偏置电流发生电路-CN202010173143.8在审
发明人：付佳伟;吴建舟;金杰;莫易昆;斯特凡诺·彼得里 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：偏置电流发生电路包括电流路径和泄漏控制电路。电流路径连接在供电电压和接地电平之间。电流路径包括晶体管和电阻。晶体管具有连接在电流路径中的电流通道。电阻具有连接在电流路径中的上端和下端，以及使电阻的反向泄漏电流流过的阱接触。泄漏控制电路连接到供电电压。泄漏控制电路包括驱动晶体管，以向电阻的阱接触提供驱动电压，和使电阻的反向泄漏电流流入泄漏控制电路。
偏置电流发生电路

[发明专利]存储器的工艺缺陷筛选方法、装置、电子设备和存储介质-CN202310831502.8在审
发明人：杨杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：其中，工艺缺陷筛选方法包括：对目标存储单元和伪位线进行电荷预处理，使能目标字线，以使目标位线和目标存储单元之间进行电荷分享；控制电荷分享维持指定时长；基于电荷分享的结果检测目标位线和伪位线之间是否存在漏电路径通过本公开的技术方案，如果目标位线和伪位线之间存在漏电路径，则通过配置指定时长的电荷分享，能够放大基于漏电路径产生的漏电干扰的效应，进而保证了对漏电路径缺陷筛选的可靠性和高效性。
存储器工艺缺陷筛选方法装置电子设备存储介质

[发明专利]用于识别电路中泄漏电流路径的方法-CN202310076077.6在审
发明人：彼得·贝尔;拉塞尔·吉尔斯;因德拉吉特·曼纳 -专利权人：瑞萨设计（英国）有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：提出一种用于识别电路中泄漏电流路径的方法。所述方法可用于识别模拟电路中的并且由高电压的存在所引起的泄漏电流路径。所述方法包括若干个步骤。接收所述电路的电路设计说明。然后查询所述电路设计说明以识别一组候选部件，所述候选部件具有耦接到被适配为提供高于预定义值的电压的电压源的第一端子。然后针对所述组中的每个电子部件搜索耦接到地的第二端子。在识别到耦接到地的所述第二端子时报告泄漏路径。所述方法可用于识别由高电压的存在结合寄生设备的存在所引起的泄漏电流路径。
用于识别电路泄漏电流路径方法

[发明专利]识别晶体管、源漏极至体极的漏电路径的方法、存储设备-CN202211205016.7在审
发明人：杨璐丹;曾祥芮;尤炎;潘伟伟 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别晶体管、源漏极至体极的漏电路径的方法、存储设备，其中，识别晶体管源漏极至体极的漏电路径的方法包括以下步骤：步骤一：获取版图，版图包括有源区图层、有源区连接层，有源区图层的图形为有源区dif_not_seed；根据图层间的连接关系，识别出通过M0A与目标晶体管的体极存在连接的dif_not_seed，记为err_path1；步骤三：定义风险参数c1表示err_path1的数量；当c1＝0时，判定不存在漏电路径；当c1＞0时，判定存在漏电路径。能够有效识别晶体管源漏极至体极的漏电路径，便于对后续晶体管测试数据异常值的分析。
识别晶体管极至漏电路径方法存储设备

[发明专利]一种驱动电路和芯片-CN202310416944.6在审
发明人：徐涵;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明提供了一种驱动电路及芯片，驱动电路包括漏电保护路径和自控制调整电路，用于驱动功率晶体管。通过自控制调整电路以第一控制方式或第二控制方式确定漏电保护路径的开启时间和钳位电压的大小，一方面减少振荡引起的电压应力，另一方面缓解由静电放电造成的威胁，即在保持功率晶体管栅极的栅极电压在有效工作范围的同时，保证漏电保护路径不被误开启，并减少栅极电压达到钳位电压的时间，提高驱动电路的开关响应速度。
一种驱动电路芯片

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