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[发明专利]薄膜晶体管阵列构件和有机发光显示装置及其制造方法-CN200910138623.4有效
发明人：权度县;任忠烈;卢大铉;李一正;刘喆浩 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该方法通过采用由两步蚀刻工艺紧随的半色调掩膜，并通过与源电极、漏电极和像素电极的各层的形成同时形成电容器的各层，来寻求减少TFT阵列构件的制造中所使用的掩膜的数目。结果，电容器的各层与源电极、漏电极和像素电极的各层中的相应层位于相同的水平并且由相同材料的制成。电容器具有由两个分开的介电层隔开的三个电极，从而在不增加电容器尺寸的情况下得到具有增加的电容的电容器。
薄膜晶体管阵列构件有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN201110204575.1有效
发明人：柳春基 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：薄膜晶体管基板，包括：基板；活性层以及电容器第一电极，形成于所述基板上；栅绝缘膜，形成于所述基板、所述活性层以及所述电容器第一电极上；栅电极以及电容器第二电极，形成于所述栅绝缘膜上，所述栅电极对应于所述活性层，所述电容器第二电极对应于所述电容器第一电极；层间绝缘膜，形成于所述栅绝缘膜、所述栅电极以及所述电容器第二电极上；以及像素电极、源电极和漏电极，形成于所述层间绝缘膜上，其中，所述源电极和漏电极中的至少一个形成于所述像素电极上
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种低栅漏电容碳化硅DI-MOSFET制备方法-CN201911352640.8在审
发明人：刘敏 -专利权人：重庆伟特森电子科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种低栅漏电容SiC DI‑MOSFET的制备方法来解决栅漏电容大导致的器件工作频率低，动态损耗大的问题，具体步骤包括：选取形成有碳化硅（SiC）外延层的半导体衬底；通过光刻掩膜对其进行区域离子注入，并高温退火激活注入杂质；对未注入掺杂的外延层通过光刻掩膜进行局部Si离子注入；在600℃‑2000℃下热生长氧化层；淀积多晶硅并刻蚀掉不需要的部分形成栅极；淀积介质层将栅极包覆并刻蚀形成源级接触孔；在介质层上方淀积覆盖源区和介质层的源级金属由于采用上述技术方案，栅氧化层厚度增加，栅漏电容减小、器件的开关速度提升、工作频率提高、器件的开关损耗减小。
一种漏电碳化硅 di mosfet 制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110462046.1有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括晶体管和电容器。晶体管包括第一氧化物半导体层、与第一氧化物半导体层接触的源电极和漏电极、与第一氧化物半导体层重叠的栅电极以及第一氧化物半导体层与栅电极之间的栅绝缘层。电容器包括源电极或漏电极、与源电极或漏电极接触的第二氧化物半导体层以及与第二氧化物半导体层接触的电容器电极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]超结VDMOS器件及其制备方法、电子设备-CN202310711796.0在审
发明人：张玉琦;戴银;任文珍 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述超结结构包括第一导电类型柱和第二导电类型柱；每个所述导电类型柱均贯穿所述超结结构在高度方向上相对的两个表面，且每个所述导电类型柱在所述超结结构的第一设定高度范围内的掺杂浓度均小于该所述导电类型柱在第二设定高度范围内的掺杂浓度，对栅漏电容进行优化，使其在低漏源电压条件下的栅漏电容增大，避免出现低漏源电压下栅漏电容凹坑的现象。
vdmos 器件及其制备方法电子设备

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201410504930.0在审
发明人：胡伟;朱亚文;莫再隆;代科;楼钰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该方法包括：源漏电极线图形和像素电极图形，形成在源漏电极线图形和像素电极图形之上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层之上的公共电极图形；其中，第一绝缘层在位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间的部分形成有沿源漏电极线方向的条状开口，公共电极图形包括位于漏电极线图形和像素电极图形上方的主体部分，以及覆盖在所述条状开口的至少一个长侧壁上的延伸部分，所述延伸部分与所述主体部分连接形成一体结构。本发明提供的阵列基板中，公共电极的一部分填充到源漏电极线图形与像素电极图形之间形成屏蔽层，大大减小了源漏电极线与像素电极形成的耦合电容。
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]一种接地故障全补偿的可控电压源输出电压计算方法-CN201811124580.X在审
发明人：刘红文;何乐为;王科;杨庆 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本申请公开一种接地故障全补偿的可控电压源输出电压计算方法，包括：获取发生接地故障时线路对地电容，泄漏电阻，故障接地电阻，消弧线圈电感，电阻和可控电压源内阻；根据消弧线圈电感，电阻，泄漏电阻和线路对地电容，计算线路对地参数和补偿电感参数的并联阻抗；根据故障接地电阻，可控电压源内阻和线路对地参数和补偿电感参数的并联阻抗，计算可控电压源输出的电压。本申请通过接入电压源的方式，不用考虑消弧线圈电感参数与线路对地电容接近工频谐振的状态问题，更容易控制，能有效补偿故障电流，使故障点熄弧。本申请通过计算得到输出电压的相位和幅值，通过控制可控电压源的幅值和相位实现故障点电流熄灭，保证电网安全稳定运行。
可控电压源电阻线路对地电容接地故障消弧线圈电感输出电压计算并联阻抗补偿电感故障接地泄漏电阻故障点全补偿内阻申请电网安全稳定电感参数工频谐振故障电流输出电压有效补偿状态问题电压源熄弧熄灭输出保证

[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示装置-CN201310481829.3有效
发明人：孙建;李成;魏向东;安星俊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示装置，该阵列基板包括衬底基板，位于衬底基板上的薄膜晶体管和公共电极线，薄膜晶体管包括依次设置在衬底基板上的有源层、栅电极和源漏电极；公共电极线与栅电极同层设置，且公共电极线具有第一过孔；源漏电极中的漏电极贯穿第一过孔与有源层电性连接，且漏电极与公共电极线相互绝缘；公共电极线在衬底基板的正投影与漏电极在衬底基板的正投影至少部分重叠。与现有的阵列基板相比，该阵列基板可以在公共电极线与漏电极之间形成存储电容，起到了增大阵列基板的存储电容、提高阵列基板的像素电压保持率、以及降低显示装置的闪烁等不良现象的效果。
一种阵列制备方法显示装置

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200810186986.0有效
发明人：细谷邦雄 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有高开口率且具有大容量的存储电容器的显示装置。本发明涉及一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：包括栅电极；栅极绝缘膜；第一半导体层；沟道保护膜；分离为源区和漏区，以及源电极和漏电极的导电性第二半导体层的薄膜晶体管；在所述第二导电膜上形成的第三绝缘层；形成在所述第三绝缘层上且与源电极或漏电极的一方电连接的像素电极；夹着电容布线上的第三绝缘层形成在第一绝缘层上的电容布线与像素电极的重叠区域中的存储电容器。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201210133227.4有效
发明人：细谷邦雄 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有高开口率且具有大容量的存储电容器的显示装置。本发明涉及一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：包括栅电极；栅极绝缘膜；第一半导体层；沟道保护膜；分离为源区和漏区，以及源电极和漏电极的导电性第二半导体层的薄膜晶体管；在所述第二导电膜上形成的第三绝缘层；形成在所述第三绝缘层上且与源电极或漏电极的一方电连接的像素电极；夹着电容布线上的第三绝缘层形成在第一绝缘层上的电容布线与像素电极的重叠区域中的存储电容器。
显示装置及其制造方法

[实用新型]一种薄膜晶体管及显示装置-CN201120119999.3有效
发明人：杨海鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种薄膜晶体管及显示装置，所述薄膜晶体管，包括由源电极和漏电极构成的沟道，所述构成沟道的源电极和漏电极的沟道线条由偶数段弧线形成。本实用新型通过对构成沟道的源电极和漏电极的沟道线条进行改进，改进后的薄膜晶体管不仅保持了源电极和漏电极各自的相关面积不变，即未改变薄膜晶体管的电容，也未降低原来像素的开口率，却实现了沟道宽度的增加，提高了薄膜晶体管和显示装置等产品的性能
一种薄膜晶体管显示装置

[发明专利]有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法-CN201510662135.9有效
发明人：柳春基 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述有机发光显示设备包括：基底；薄膜晶体管(TFT)，位于基底上；第一层间绝缘层，位于TFT的栅电极与源电极之间并且位于TFT的栅电极与漏电极之间，并且包括无机材料；第二层间绝缘层，位于第一层间绝缘层与源电极之间并且位于第一层间绝缘层与漏电极之间，并且包括有机材料；第一有机层，位于源电极和漏电极上；电容器，包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的第一层间绝缘层；像素电极，位于第二层间绝缘层中的与薄膜晶体管和电容器相邻的开口中，并且结合到源电极或漏电极
有机发光显示设备制造方法

[发明专利]负电容无结纳米线场效应晶体管及其制造方法-CN202080044170.3在审
发明人：李龙飞;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种负电容无结纳米线场效应晶体管及其制造方法，包括无结纳米线(10)，源区(12)的外表面覆盖有源电极层(32)，其中，源电极层(32)和源区(12)的部分表面之间有源电介质层(22)；漏区(13)的外表面覆盖有漏电极层(33)，其中，漏电极层(33)和漏区(13)部分表面之间有漏电介质层(23)；环沟道区(11)的外周表面依次覆盖具有栅电介质层(21)、铁电材料层(50)以及栅电极层(31)。由于基于铁电材料的无结晶体管的负电容特性，当器件工作在积累区的时候，使得器件的驱动电流更大，提高了器件的开启速度；当器件工作在耗尽区时，使得器件的亚阈值斜率和泄漏电流减小，器件的功耗减小，极大地提高了器件的电学性能
电容纳米场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN201110291090.0有效
发明人：曹圭湜;崔埈厚;秋秉权;申旼澈;梁泰勋;李源规;李仑揆;崔宝京;朴容焕;文相皓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述有机发光二极管显示器包括：第一多晶硅层图案，位于基底上并且具有第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极；栅极绝缘层图案；第二多晶硅层图案，包括第一有源层、第二有源层和电容器多晶硅哑层；第三非晶硅层图案，包括位于第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、位于第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层以及位于电容器多晶硅哑层上的电容器非晶哑层；数据金属层图案，包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]一种采用补偿电容技术的双控制位型可变增益放大器-CN202210375284.7有效
发明人：王政;杨茂旋;谢倩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种采用补偿电容技术的双控制位型可变增益放大器，用以解决如何在宽频带范围内实现低相位误差的增益调节这一大难题。本发明基于差分cascode型的电路结构实现，包括：差分cascode结构放大器与匹配网络；通过在单级电路的共栅管(M2、M4)的源极与漏极之间引入补偿电容C_comp、使得补偿后共栅管的源漏电容Cds2(Cds2+C_comp)与共源管栅漏电容(Cgd1)相同，再通过在单级电路的共源共栅管(M1/M2、M3/M4)的中间结点引入了到地的补偿电感L_comp、抵消了该结点的总电容，最终达到增益可调、相位不变的效果
一种采用补偿电容技术控制可变增益放大器