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[发明专利]一种适用于毫米波相控阵系统的有源开关结构-CN201811629427.2有效
发明人：赵涤燹 -专利权人：南京汇君半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：所述的有源开关电路由发射模式下输入级联型共栅放大器、接收模式下输出共漏放大器、发射通道和接收通道中的两级共源共栅放大器组成。通过控制级联共栅放大器和共漏放大器的偏置电压，电路可实现发射和接收的状态切换。在发射状态下，级联型共栅放大器结构可提高电路的增益和反向隔离度，减小功耗；在接收状态下，共漏级放大器在源极并联电容，栅极并联电阻，保证了电路在无条件稳定时的阻抗特性与发射状态保持一致。同时，发射和接收通道的两级共源共栅放大器分别提高了相控阵系统发射和接收通道的增益和输出功率。本发明具有高隔离度、低回波损耗、增益优良的优点。
一种适用于毫米波相控阵系统有源开关结构

[发明专利]应用于毫米波频段的正反馈宽带低噪声放大器-CN201110055831.5无效
发明人：王志功;杨格亮;李芹;李智群 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：一种应用于毫米波频段的正反馈宽带低噪声放大器，包括：共栅输入级、中间级以及源极跟随器输出级，共栅输入级的输入端为所述放大器的总输入端、源极跟随器输出级的输出端为总输出端，各级之间依次连接，所述的中间级包括由第二和第三晶体管构成的共源-共栅结构，信号由第二晶体管的栅极输入从第三晶体管的漏极输出，输出级包括第四晶体管与第四晶体管的源极连接的第五晶体管、栅极与第五晶体管的栅极相连的第六晶体管以及一端与第六晶体管的漏极和栅极相连且另一端与总电源相连的偏置电阻，信号由第四晶体管的栅极输入源极输出，在中间级与输出级之间设有反馈电感，其一端与总电源相连，另一端连接于第三晶体管的栅极和第四晶体管的漏极。
应用于毫米波频段正反馈宽带低噪声放大器

[实用新型]应用于毫米波频段的正反馈宽带低噪声放大器-CN201120059713.7无效
发明人：王志功;杨格亮;李芹;李智群 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：一种应用于毫米波频段的正反馈宽带低噪声放大器，包括：共栅输入级、中间级以及源极跟随器输出级，共栅输入级的输入端为所述放大器的总输入端、源极跟随器输出级的输出端为总输出端，各级之间依次连接，所述的中间级包括由第二和第三晶体管构成的共源-共栅结构，信号由第二晶体管的栅极输入从第三晶体管的漏极输出，输出级包括第四晶体管与第四晶体管的源极连接的第五晶体管、栅极与第五晶体管的栅极相连的第六晶体管以及一端与第六晶体管的漏极和栅极相连且另一端与总电源相连的偏置电阻，信号由第四晶体管的栅极输入源极输出，在中间级与输出级之间设有反馈电感，其一端与总电源相连，另一端连接于第三晶体管的栅极和第四晶体管的漏极。
应用于毫米波频段正反馈宽带低噪声放大器

[发明专利]一种基于具有噪声消除的有源电感的低噪声放大器-CN202010800036.3在审
发明人：邢利敏 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：涉及一种基于具有噪声消除的有源电感的低噪声放大器，包括：悬浮有源电感电路，利用2个差分放大器，构成具有悬浮式电感效应的有源射频小信号输入匹配网络；第七晶体管Q7，用于将悬浮有源电感电路的输出信号分成两路同相和电路固有噪声反相的前馈混合信号；共源共栅级联放大电路，用于将前馈混合信号中的同相输入信号放大并将反相噪声互相抵消；第一单端电压可控有源电感电路，作为共源共栅级联放大电路的有源电感性负载；第二单端电压可控有源电感电路，作为共源共栅级联放大电路的有电感性的反馈网络本申请避免了片上无源电感存在占用器件面积大、成本高、不利于集成等缺点。
一种基于具有噪声消除有源电感低噪声放大器

[发明专利]一种复合型分立半导体晶体管-CN202110974177.1在审
发明人：马凯学;张进;傅海鹏;王勇强;闫宁宁 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合型分立半导体晶体管，包括两个金属‑氧化物半导体场效应晶体管级联的共源共栅结构、级间电感以及偏置电路；所述共源共栅结构中的两个晶体管分别为晶体管M1以及晶体管M2，所述晶体管M1的栅极和源极分别形成复合晶体管的栅极和源极；所述晶体管M1的漏极和晶体管M2的源级通过级间电感L连接在一起；所述晶体管M2的栅极通过电阻R与晶体管M2的漏极耦合在一起，并且共同形成复合晶体管的漏极；所述电阻R与电容C组成晶体管M2的栅极偏置电路
一种复合型分立半导体晶体管

[发明专利]基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器-CN202211170679.X有效
发明人：陈阳;方恒;孙文杰;赖娴;延波;张勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明属于低噪声放大器技术领域，具体提供基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器，通过在芯片部分中引入第二级栅极反馈：一端连接于共栅级晶体管T2（第二级晶体管）的漏极与芯片输出端口之间，另一端连接于共栅级晶体管T2的栅极与接地电容之间；与现有第一级栅极反馈结构相比，本发明能够有效克服其以牺牲噪声系数为代价改善端口反射系数的问题；与现有第一级漏极反馈结构相比，本发明能够有效克服其对端口驻波的调节作用极其有限的问题；最终，本发明能够显著降低器件的输入端口反射系数、输出端口反射系数，增加器件的输出1dB压缩点，并且保持器件优异的噪声系数，进而实现超宽带共源共栅低噪声放大器。
基于第二级栅极反馈结构宽带共源共栅低噪声放大器

[发明专利]共源共栅半导体装置和制造方法-CN202011589335.3在审
发明人：里卡多·杨多克;罗伯特·蒙哥马利;亚当·罗西略 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及共源共栅HEMT半导体装置，包括：引线框；晶片焊盘，其附着到引线框；HEMT晶片，其附着到晶片焊盘，HEMT晶片包括第一侧上的HEMT源极和HEMT漏极、第二侧上的HEMT栅极，其中，该装置还包括MOSFET晶片，该MOSFET晶片附着到HEMT晶片的源极，MOSFET晶片包括MOSFET源极、MOSFET栅极和MOSFET漏极，其中，MOSFET漏极连接到HEMT源极，其中，MOSFET源极包括MOSFET源极夹片，其中，MOSFET源极夹片包括柱状件以将MOSFET源极连接到HEMT栅极，其中，通过导电材料来建立MOSFET源极到HEMT栅极的连接。
共源共栅半导体装置制造方法

[发明专利]多次可程式闪存单元阵列及其操作方法、存储器件-CN201710279686.6有效
发明人：叶晓;金凤吉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：该阵列包括m×n个多次可程式闪存单元；m≥1，n≥1，且m和n为整数；多次可程式闪存单元包括衬底以及位于衬底上的第一和第二选择晶体管、第一和第二浮栅晶体管；第一浮栅晶体管的源极连接至第一选择晶体管的漏极，第一浮栅晶体管的漏极连接至第二浮栅晶体管的漏极，第二浮栅晶体管的源极连接至第二选择晶体管的漏极，第j列多次可程式闪存单元中第一和第二浮栅晶体管的控制栅连接至第j条字线，其中1≤j≤m；其中，第一和第二选择晶体管的源极均连接至共源极线；第i行多次可程式闪存单元中第一浮栅晶体管的漏极连接至第i条位线，1≤i≤n。
多次程式闪存单元阵列及其操作方法存储器件

[发明专利]大气中子导致的功率器件的失效率评估方法及装置-CN202010626408.5有效
发明人：彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：方法包括：获取功率器件在单能粒子源辐照下发生单粒子效应时功率器件的漏端偏压与单能粒子源的能量的对应关系，其中，功率器件偏置在关态，且功率器件的漏端连接漏端偏压，源端和栅端接地；根据功率器件的漏端偏压与单能粒子源的能量的对应关系，获取功率器件在散裂中子源辐照下的不同漏端偏压对应的单粒子效应截面；根据单粒子效应截面和功率器件应用时的环境数据获取功率器件工作在不同漏端偏压下的失效率。
大气中子导致功率器件失效评估方法装置

[发明专利]显示背板及其制备方法、显示装置-CN202210892022.8有效
发明人：周天民;张劲潮;童彬彬;张震;王利忠;宁策;郭晖 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：所述显示背板具有显示区域和非显示区域，依次包括：衬底基板；第一半导体层；位于第一半导体层和衬底基板上的第一栅绝缘层；位于栅绝缘层上的第一栅极和第一电极；位于所述第一栅极、第一电极和第一栅绝缘层上的层间介质层；位于层间介质层上的第一源漏极和第二源漏极以及第二电极；位于第一源漏极、第二源漏极、第二电极和层间介质层上的第二栅绝缘层；以及位于第二栅绝缘层上的第二半导体层。本发明的显示背板在显示区域采用单栅TFT结构替代常规的双栅TFT结构，从而减少掩模板使用次数，提升开口率。
显示背板及其制备方法显示装置

[发明专利]升压变换器的预充电电路及升压变换器-CN202310439319.3在审
发明人：刘阳;施刚 -专利权人：骏盈半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种升压变换器的预充电电路及升压变换器，其中，预充电电路包括第一晶体管、钳位电路、压控电流电路，其中，第一晶体管，被配置为在预充电阶段与升压变换器的高侧功率管构成共源共栅电流镜，控制升压变换器的预充电电流按比例复制流过第一晶体管的电流；钳位电路，被配置为将第一晶体管的漏极电压钳位为升压变换器的输出电压，控制高侧功率管的漏源电压等于第一晶体管的漏源电压；压控电流电路，被配置为生成与升压变换器的输入电压成正比的第一电流以及生成与升压变换器的输出电压成正比的第二电流
升压变换器充电电路

[发明专利]存储器及其制作方法-CN201911226585.8有效
发明人：戴强 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：其中，所述存储器包括存储单元、有源区、栅极、互联金属层和浅沟道隔离区；所述浅沟道隔离区与有源区水平间隔排列；栅极设置在有源区上方，栅极与有源区相互垂直；每个有源区包括多个源极和多个漏极，每一个栅极与多个有源区形成多个共栅的晶体管，同一有源区中的相邻晶体管共用源极或漏极；互联金属层位于源极上方以及相邻的栅极之间，以将共栅的晶体管的源极互联。本发明通过互联金属层实现共联栅极的源极互联，替换掉了用于互联源极的通孔，从而规避了相关设计规则的束缚，并降低了存储器的设计尺寸，进而提高了存储器的密度。
存储器及其制作方法

[发明专利]折叠共源共栅运算放大器-CN201711464663.9有效
发明人：常祥岭;向飞翔;陶园林;谢雪松;赵海亮 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种折叠共源共栅运算放大器，包括第一电流镜电路、第一放大电路、第二放大电路和电压隔离电路，电压隔离电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第二电流源和第一电阻，第一NMOS管和第二NMOS管均为Native NMOS管；第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、第一电阻的一端与第二电流源的另一端电连接；第一NMOS管的源级与第一放大电路的输出端电连接，第二NMOS管的源级与第二放大电路的输出端电连接，第一NMOS管的漏极与第一电流镜电路的输入端电连接，第二NMOS管的漏极与第一电流镜电路的输出端及共源共栅输出端电连接。
折叠共源共栅运算放大器

[发明专利]一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管-CN201610890501.0有效
发明人：王盛凯;刘洪刚;孙兵;常虎东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管，涉及半导体集成电路制造技术领域。本发明所述的场效应晶体管包括底栅电极、底栅介质层、底栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、高掺杂P型GaAs层、欧姆接触层、源漏金属电极、顶栅介质层、顶栅电极，其中源漏金属电极位于欧姆接触层两侧，在源漏金属电极中间刻蚀栅槽结构至界面控制层上表面，并将顶栅介质层均匀覆盖在栅槽结构内表面，最后将顶栅电极制备在顶栅介质层上。本发明利用双栅结构和界面控制层设计，实现了PMOS场效应晶体管更好的栅控功能和低界面态密度，能够满足高性能PMOS管的技术要求。
一种 ingaaspmos 场效应晶体管

[发明专利]全差分低噪声放大器-CN201310088535.4在审
发明人：朱红卫;唐敏;刘国军;赵郁炜 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种全差分低噪声放大器，包括共源共栅全差分放大电路和增益切换电路。增益切换电路的两个PMOS管和共源共栅全差分放大电路的两个共栅连接的PMOS管并联，且增益切换电路的两个PMOS管的栅极都接增益控制信号。当增益控制信号由高电平切换为低电平时，增益切换电路的两个PMOS管的源漏导通，全差分低噪声放大器的输出阻抗也减少，全差分低噪声放大器的增益降低。
全差分低噪声放大器

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