“赖娴”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种InP太赫兹晶体管的可重构模型及其参数提取方法-CN202211724897.3在审
发明人：陈阳;孙文杰;方恒;赖娴;张勇;延波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，具体提供一种InP太赫兹晶体管的可重构模型及其参数提取方法，用以解决现有模型适用范围小、无法对不同结构晶体管建模的问题。本发明在现有模型的基础上引入可变元件，通过可变元件将多种类型晶体管归纳到统一模型下，使多种晶体管之间物理意义更加明确；同时，在参数提取过程中，将晶体管等效6个寄生元件子模型，通过三维电磁场仿真软件进行分步建模仿真，再基于新的参数提取算法，将多种晶体管在统一模型及其方程表达式下完成参数提取；基于此，本发明能够对对双孔有桥晶体管、单孔有桥晶体管、双孔无桥晶体管进行准确的建模，极大地提高了模型的适用范围，具有节省建模时间、提高模拟精度的优点。
一种 inp 赫兹晶体管可重构模型及其参数提取方法

[发明专利]一种基于调和平均函数的氮化镓晶体管物理基大信号模型-CN202211621097.9有效
发明人：陈阳;方恒;孙文杰;赖娴;延波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，涉及有源器件建模技术，具体提供一种基于调和平均函数的氮化镓晶体管物理基大信号模型，用以解决现有物理基模型存在的表达式复杂、计算速度慢、收敛性差、函数分段等问题，以及经验模型缺乏物理意义的问题。本发明在线性区采用经验方程进行模拟，提高模型收敛性、计算速度；而在功率放大器常用的饱和区采用具有物理意义的电流方程进行模拟，使其具有明确的物理意义；并且，采用调和平均函数将两个方程结合在一起，形成统一的电流方程。综上所述，本发明提出的基于调和平均函数的氮化镓晶体管物理基大信号模型同时具有计算速度快、收敛性好、函数统一等优势，并且在重要的饱和区域具有物理意义。
一种基于调和平均函数氮化晶体管物理信号模型

[发明专利]一种基于栅-源低耦合结构的超宽带低噪声放大器-CN202210973063.X有效
发明人：陈阳;方恒;孙文杰;赖娴;延波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开一种基于栅‑源低耦合结构的超宽带低噪声放大器，应用于低噪声放大器芯片领域，针对现有共源共栅放大器带宽较窄，并且第二级共栅晶体管栅‑源耦合偏高，造成噪声偏高的问题。本发明对共源共栅放大器进行改进，一方面采用栅‑源低耦合连接结构，降低寄生电容，降低噪声系数，增加带宽；另一方面结合“负反馈结构”，进一步拓展带宽。
一种基于耦合结构宽带低噪声放大器

[发明专利]基于核壳发射体Ag@SiO2-CN202211495512.0在审
发明人：刘家骏;鞠熀先;东雪;赖娴;魏琴 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-11-27 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G01N27/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型核壳发射体Ag@SiO2纳米材料检测神经特异性烯醇化酶的电化学发光传感器的制备方法，属于电化学发光传感器领域。本发明以二氧化硅包裹的银纳米粒子作为电化学发光体，以氨基功能化的八面体CeO2作为猝灭剂与检测抗体相结合，由于能级发生匹配，提供了电子转移的条件，猝灭现象得以发生，并采用“信号关闭”策略，构建了信号猝灭型ECL传感器，实现了在100 fg·mL‑1~500 ng·mL‑1线性范围内对特异性烯醇化酶抗原溶液的灵敏检测，检测限为41.2 fg·mL‑1。
基于发射 ag sio base sub

[发明专利]基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器-CN202211170679.X有效
发明人：陈阳;方恒;孙文杰;赖娴;延波;张勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明属于低噪声放大器技术领域，具体提供基于第二级栅极反馈结构的超宽带共源共栅低噪声放大器，通过在芯片部分中引入第二级栅极反馈：一端连接于共栅级晶体管T2（第二级晶体管）的漏极与芯片输出端口之间，另一端连接于共栅级晶体管T2的栅极与接地电容之间；与现有第一级栅极反馈结构相比，本发明能够有效克服其以牺牲噪声系数为代价改善端口反射系数的问题；与现有第一级漏极反馈结构相比，本发明能够有效克服其对端口驻波的调节作用极其有限的问题；最终，本发明能够显著降低器件的输入端口反射系数、输出端口反射系数，增加器件的输出1dB压缩点，并且保持器件优异的噪声系数，进而实现超宽带共源共栅低噪声放大器。
基于第二级栅极反馈结构宽带共源共栅低噪声放大器

[发明专利]一种InP基太赫兹HEMT晶体管小信号模型-CN202211256662.6有效
发明人：陈阳;孙文杰;方恒;赖娴;张勇;延波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，具体提供一种InP基太赫兹HEMT晶体管小信号模型，用以解决传统小信号模型中寄生参数元件缺乏物理意义、未考虑趋肤效应的问题。本发明通过模型中寄生元件的创造性设计，各个寄生元件具有明确的物理意义，且接地孔引入趋肤效应阻抗；同时，按照递进关系将晶体管几何图形组合为4组，对应4个寄生元件子模型，通过三维电磁场仿真软件对4组几何图形进行分步建模仿真，基于仿真结果依次提取对应各个寄生元件的参数值；基于此，本发明能够有效节省了建模时间，并显著提高了小信号模型的模拟精度；另外，与传统小信号模型相比，本发明中寄生元件数量增加，能够有效提高小信号模型的模拟精度。
一种 inp 赫兹 hemt 晶体管信号模型

[发明专利]一种基于Angelov模型的GaN晶体管的建模方法-CN202211188177.X有效
发明人：陈阳;方恒;孙文杰;赖娴;徐跃杭;张勇;延波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，提供一种基于Angelov模型的GaN晶体管的建模方法，首先构建器件的模型拓扑结构以及电流方程表达式，然后对器件进行测试得到I‑V输出曲线、跨导gm曲线、二阶跨导gm2曲线与三阶跨导gm3曲线，最后构建误差函数，并基于测试数据进行优化得到最优电流方程，即得到GaN晶体管的Angelov模型；本发明在优化过程中引入高阶跨导，并根据器件特性在高阶跨导引入过程中进行基于栅极电压的重点拟合区域划分，再依据划分结果对高阶跨导进行特定权重设置，最终使得本发明得到模型能够显著提升器件线性度仿真精度，同时对小信号S参数、负载牵引和功率扫描等仿真也能够获得较高精度。
一种基于 angelov 模型 gan 晶体管建模方法

[发明专利]一种InP太赫兹HEMT晶体管正负栅压小信号模型-CN202210885637.8有效
发明人：陈阳;孙文杰;方恒;韦金星;赖娴;延波;徐锐敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，涉及微电子器件技术领域，具体提供一种InP太赫兹HEMT晶体管正负栅压小信号模型，用以解决传统小信号模型难以模拟晶体管的正栅压状态的问题；本发明在本征单元中引入连接于本征栅极节点与本征源极节点之间的栅极并联电阻Rl，用以表征晶体管的肖特基二极管正偏状态、反偏状态不同的导通效应，具有明确的物理意义；同时，采用Y参数方法分析栅极二极管正偏、反偏状态所对应的等效栅极并联电阻值，并结合传统元件完成整个模型参数提取；综上，本发明将InP太赫兹HEMT晶体管小信号模型的应用范围拓展到正、负栅压状态，显著提高模型对InP太赫兹HEMT晶体管正栅压状态的模拟精度。
一种 inp 赫兹 hemt 晶体管正负栅压小信号模型

[实用新型]坐键式MWD裸眼打捞装置-CN201922355229.8有效
发明人：张杰;邓辉;伍建勇;赖娴;唐思诗;杨斌;古旭;唐爽 -专利权人：中国石油集团川庆钻探工程有限公司川东钻探公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： E21B31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种坐键式MWD裸眼打捞装置，包括与钻杆相连用于夹设落鱼的夹持筒组件，夹持筒组件的自由端通过加长筒可拆卸连接有引导筒；本实用新型与现有技术相比，通过采用不同长度的加长筒来将夹持筒组件与引导筒进行可拆卸连接，便于适应不同深度的钻井进行落鱼打捞工作，其应用范围广；且将落鱼通过夹持筒组件夹设固定后，将加长筒与夹持筒组件脱离连接，方便将落鱼从夹持筒组件中取出；通过引导筒不仅加长了此装置的长度，同时能够将钻井内的落鱼导入夹持筒组件内进行夹持固定。
坐键式 mwd 裸眼打捞装置

[实用新型]一种连续油管外割捞一体装置-CN201821616997.3有效
发明人：邓辉;张杰;郝世东;刘德平;李高文;赖娴;代梦绮 -专利权人：中国石油集团川庆钻探工程有限公司川东钻探公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： E21B31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种连续油管外割捞一体装置，包括筒体，筒体内侧依次设有夹持机构、助推机构和切割机构，夹持机构包括滑块卡瓦和梯形锥度槽；助推机构包括液压助推活塞、梯形槽以及限位凹槽，梯形槽位置与所述梯形锥度槽对应，限位凹槽对液压助推活塞上下移动的行程进行限位，液压助推活塞与限位凹槽之间设有活塞复位结构；切割机构包括设置在筒体周向上的多个刀片室，刀片室内通过销轴安装有刀片，刀片室内还设有刀片复位结构；液压助推活塞朝向刀片的一端设有导向内锥面。本实用新型通过上提下放操作配合液压泵完成了切割和打捞，实现了从连续油管外侧进行切割和打捞一体化，加快了被卡油管的处理进度，降低了油气井报废的风险，结构简单，控制可靠。
刀片活塞液压助推连续油管限位凹槽本实用新型夹持机构切割机构一体装置助推机构梯形槽锥度槽筒体切割打捞活塞复位结构室内复位结构滑块卡瓦上下移动刀片室内锥面筒体周液压泵油气井油管限位销轴报废下放一体化进度配合

[发明专利]连续油管外割捞一体装置-CN201811160791.9在审
发明人：邓辉;张杰;郝世东;刘德平;李高文;赖娴;代梦绮 -专利权人：中国石油集团川庆钻探工程有限公司川东钻探公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： E21B31/18 文献下载
摘要：本发明公开了连续油管外割捞一体装置，包括筒体，筒体内侧依次设有夹持机构、助推机构和切割机构，夹持机构包括滑块卡瓦和梯形锥度槽；助推机构包括液压助推活塞、梯形槽以及限位凹槽，梯形槽位置与所述梯形锥度槽对应，限位凹槽对液压助推活塞上下移动的行程进行限位，液压助推活塞与限位凹槽之间设有活塞复位结构；切割机构包括设置在筒体周向上的多个刀片室，刀片室内通过销轴安装有刀片，刀片室内还设有刀片复位结构；液压助推活塞朝向刀片的一端设有导向内锥面。本发明通过上提下放操作配合液压泵完成了切割和打捞，实现了从连续油管外侧进行切割和打捞一体化，加快了被卡油管的处理进度，降低了油气井报废的风险，结构简单，控制可靠。
刀片活塞液压助推连续油管限位凹槽夹持机构切割机构一体装置助推机构梯形槽锥度槽筒体切割打捞活塞复位结构室内复位结构滑块卡瓦上下移动刀片室内锥面筒体周液压泵油气井油管限位销轴报废下放一体化进度配合

1
共 11 条