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[发明专利]一种增大HVPMOS ID的工艺方法-CN201911000318.9有效
发明人： 宗立超;王星杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种增大HVPMOS ID的工艺方法，在P型基底上形成NWELL区；在P型基底上自下而上依次形成二氧化硅层、氮化硅层；刻蚀氮化硅层并露出二氧化硅层，形成窗口；通过窗口在NWELL浅区域注入硼离子，之后在氮气和氧气的氛围中进行推进，形成NWI区；在窗口的界面处形成隔离区。本发明在形成NWI进行硼离子注入后，将原有的氮气氛围的推进过程改为在氮气和氧气氛围中进行推进，使得硼离子在二氧化硅中的扩散系数增大，使硼离子浓度梯度发生变化，从而使得HVPMOS的ID得以增加，并且对其他参数的影响甚微。
一种增大 hvpmos id 工艺方法

[发明专利]硅探测器的制造方法-CN202210470072.7有效
发明人： 宗立超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅探测器的制造方法，包括：步骤一、提供硅衬底，在光敏区中形成有第一导电类型掺杂区，形成场氧并由场氧隔离出有源区。步骤二、在硅衬底的表面形成第一氧化层。步骤三、进行穿过第一氧化层的第一次离子注入在选定区域中形成第一电极区。步骤四、进行穿过第一氧化层的第二次离子注入在选定区域中形成第二电极区，由第一电极区、位于第一和第二电极区之间的第一导电类型掺杂区和第二电极区组成感光二极管。步骤五、去除第一氧化层，之后再在硅衬底的表面形成第二氧化层，光敏区中采用第二氧化层作为保护膜。本发明能减少光敏区的保护膜的固定电荷从而能减少暗电流。
探测器制造方法

[发明专利]硅探测器及形成方法-CN202310634417.2在审
发明人：王小艳;宗立超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅探测器及形成方法，包括：提供第一导电类型的衬底和外延层，外延层位于衬底的表面；在外延层的表面形成第一氧化物层和第二氧化物层；在外延层的表面和内部形成场氧，场氧隔开第一氧化物层和第二氧化物层；向外延层内注入离子形成第一导电类型的第一电极区；向外延层内注入离子形成第二导电类型的第二电极区和隔离层，第二电极区和隔离层分别位于场氧的两侧，隔离层位于第一电极区和场氧之间。本发明形成的隔离层，第二电极区表面的感生电子会向隔离层移动，使得第二电极区表面的感生电子减少，从而减少了第二电极区到N型外延层的漏电流，从而减少了硅探测器的暗电流。
探测器形成方法

[发明专利]用于后照式图像传感器的激光退火方法-CN202210022068.4在审
发明人： 宗立超;王星杰;顾培楼 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种用于后照式图像传感器的激光退火方法，提供衬底，对衬底的背面减薄，再对衬底进行湿洗；在衬底的正面形成第一二氧化硅层；对衬底进行掺杂，在衬底的顶端生成掺杂层；采用高能激光对衬底进行退火，使得第一二氧化硅层转化为硅层。本发明对衬底进行激光退火前淀积有二氧化硅层，减少砷离子注入过程中的隧道效应；在激光退火过程中保护硅，防止衬底局部区域在激光退火产生的高温下熔融；二氧化硅有激光增透的作用，退火效果更好；二氧化硅将与炭反应并在增强的激光退火中转变为纯硅，无需湿法保护前表面。
用于后照式图像传感器激光退火方法

[发明专利]NLDMOS的制造方法-CN201910246241.7有效
发明人： 宗立超;王星杰;杨新杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种NLDMOS的制造方法，体区形成步骤包括：形成具有定义P型体区的第一开口的第一光刻胶图形。进行刻蚀将深N阱表面露出，刻蚀后形成的多晶硅栅的第一侧面具有第二开口。对第一光刻胶图形进行灰化处理；灰化处理将表面形成有聚合物的第一光刻胶图形的表面部分去除且将第一开口扩大为第三开口，在第二和第三开口间形成第一多晶硅层组成的多晶硅突出部分。进行P型体区的离子注入。去除第一光刻胶图形之后进行快速热退火。采用光刻刻蚀形成栅极结构。在栅极结构的侧面形成侧墙。进行N型重掺杂的源漏注入形成源区和漏区。本发明能消除P型体区注入中聚合物的不良影响，从而能形成良好的沟道，还能对沟道的长度进行很好的控制。
nldmos 制造方法

[发明专利]金属互连结构的形成方法-CN202011096734.6在审
发明人： 宗立超;王星杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属互连结构的形成方法，包括：对第一IMD进行刻蚀，形成第一通孔，第一IMD下形成有高压器件；形成第一金属层，对第一金属层进行平坦化处理，去除第一通孔外其它区域的第一金属层，第一通孔内的第一金属层形成第一接触通孔；在第一IMD上形成第二IMD；对第二IMD进行刻蚀，形成第二通孔；形成第二金属层，对第二金属层进行平坦化处理，去除第二通孔外其它区域的第二金属层，第二通孔内的第二金属层形成第二接触通孔；当第一IMD和第二IMD的厚度之和大于目标厚度时，第二接触通孔用于和后续工序中形成的电极连接，该目标厚度大于6微米。本申请通过相同的工艺叠加形成高压器件的金属互连结构，在节省成本的基础上实现了高压器件的引出。
金属互连结构形成方法

[发明专利]层叠孔结构及其制作方法-CN202010943998.4在审
发明人：王小艳;王星杰;宗立超 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种层叠孔结构及其制作方法，涉及半导体制造领域。该方法包括形成第一金属层间介质层；在第一金属层间介质层中形成第一通孔，第一通孔由竖直结构和碗状结构构成，碗状结构位于竖直结构的上方，碗状结构的开口尺寸大于竖直结构的开口尺寸；填充第一通孔，并在第一通孔中的碗状结构的顶部形成Ti/TiN层；在第一金属层间介质层的表面形成第二金属层间介质层；在第二金属层间介质层中形成第二通孔，第二通孔连接第一通孔，且第二通孔的底部被第一通孔的碗状结构包围；填充第二通孔；解决了较厚的金属层间介质层中的通孔容易不符合要求的问题；达到了在较厚的金属层间介质层中形成符合要求的层叠结构通孔的效果。
层叠结构及其制作方法

[发明专利]一种增强显影后光刻胶粘附性的方法-CN201711163302.0在审
发明人： 宗立超;王星杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强显影后光刻胶粘附性的方法，包含第一步，涂覆光刻胶；第二步，光刻胶曝光及显影；第三步，光刻胶对准测量；第四步，光刻胶关键尺寸测量；第五步，UVQ；第六步，使用去离子水对硅片进行清洗浸润；第七步，进行高剂量的离子注入；第八步，去除光刻胶；第九步，光刻胶去胶检查。本发明所述的增强显影后光刻胶粘附性的方法，在光刻胶显影完成后，对硅片增加一步去离子水的清洗浸润，保证光刻胶与硅片之间保留良好的粘附性，解决了高剂量注入时光刻胶剥离的问题，提高工艺宽容度。
一种增强显影光刻胶粘方法

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