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[发明专利]一种深腔键合方法-CN202110215120.3在审
发明人：李金月;木瑞强;戴晨毅;冯小成;郝贵争;蔺建龙;李静微 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种深腔键合方法，属于微电子封装技术领域；步骤一、制作键合工具；步骤二、制作固定夹具；步骤三、对待键合器件表面进行等离子清洗；步骤四、将待键合器件水平放在器件固定板上，进行抽真空处理，实现对待键合器件的固定；步骤五、设置键合压力、键合功率和键合时间，进行键合；本发明同时开发了针对深腔键合工具适用的键合方法，解决了深腔功率器件键合可靠性问题，适用于深腔键合应用场景，大大拓宽了深腔功率器件封装能力。
一种深腔键合方法

[发明专利]一种位置多维度高适配键合工装及使用方法-CN202011046454.4在审
发明人：杨帆;聂要要;王亚松;邝小乐;许红祥 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二四研究所
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明设计了一种位置多维度高适配键合工装及使用方法，属于机械加工技术领域。其中一种位置多维度高适配键合工装主要包括夹持系统、旋转倾斜系统，可以自由旋转、倾斜和固定键合模块。工装平面倾斜设定采用机械传动的方式进行，为深腔键合提供多维度的键合方式。本发明通过增加键合工装功能改变了常规键合的加工工艺，有效解决了深腔键合无法下刀问题以及非平面键合劈刀无法打丝问题。
一种位置多维度高适配键合工装使用方法

[发明专利]高可靠超小金属陶瓷表面贴器件的封装工艺-CN201510940790.6在审
发明人：赵志桓;李东华;张礼;杜磊;吕瑜 -专利权人：济南市半导体元件实验所
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠超小金属陶瓷表面贴器件的封装工艺，所述封装工艺采用了深腔金基焊片共晶焊接工艺和深腔键合工艺，使用深腔金基焊片共晶焊接工艺将芯片焊接在管壳上，焊接剪切力大、热阻小，可靠性高，降低了器件的热阻和饱和压降，提高了抗热疲劳性能，同时能够满足多种背面材料的芯片焊接工艺；采用小型化深腔键合工艺，实现键合材料的原子级接触，提高器件键合丝焊接的可靠性；本工艺易于实现自动化，提高生产效率；工作范围宽-65℃～200
可靠金属陶瓷表面器件封装工艺

[实用新型]一种深腔键合劈刀-CN202020459853.2有效
发明人：张旭;刘星宇 -专利权人：成都冶恒电子有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于深腔芯片键合的深腔键合劈刀，涉及半导体封装技术领域，在刀柄内部沿中心轴线加工有过线孔，刀柄的前端加工有刀头，刀柄和刀头一体成型；刀头的端部加工有键合面、出线孔槽、引线通孔，键合面和出线孔槽位于刀头端部的端面，引线通孔倾斜加工在刀头端部内，键合面与引线通孔间的夹角范围为20度至75度，出线孔槽紧邻引线通孔。
一种深腔键合劈刀

[实用新型]一种深腔键合劈刀-CN202023209649.4有效
发明人：秦可勇;徐鲲鹏 -专利权人：江苏海亿胜科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种深腔键合劈刀，包括刀体；所述刀体的底端开设有安装槽，所述安装槽的内部设置有刀头，所述刀头底端延伸至安装槽的外部，所述刀头的两对称外侧壁均开设有固定槽，所述刀体的两对称外侧壁均固定连接有内螺纹套
一种深腔键合劈刀

[发明专利]一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法-CN202310110979.7在审
发明人：王丹丹;陈迎迎;刘彤 -专利权人：苏州恒芯微电子有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅基芯片技术领域，且公开了一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，使用步进光刻机在载体硅片的单面采用光刻工艺得到对准标记浅腔，再在对准标记浅腔内进行进一步对准标记，形成对准标记深腔，在对准标记深腔表面形成氧化硅保护膜，保护对准标记，再使用光刻工艺在载体硅片的中心区域形成支撑层浅腔，采用和载体硅片长度相同的硅片，将硅片对准到载体硅片进行步进光刻的一面，进行硅硅键合，在载体硅片上形成结构层，使用光刻工艺对结构层进行二次光刻，露出表面形成氧化硅保护膜的对准标记深腔，对支撑层浅腔上方的结构层进行光刻，支撑层浅腔和结构层进行套准，得到载体硅片和硅片键合后的硅硅键合埋层结构。
一种硅硅键合埋层结构单面步进光刻对准方法

[实用新型]一种适用于金属深腔外壳的键合劈刀-CN202123181837.5有效
发明人：李阳;张超超;王加燕;谌帅业;蔡景洋;商登辉;吕璐;龙紫娴 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种适用于金属深腔外壳的键合劈刀，属于集成电路组装领域。所述键合劈刀包括：劈刀柱子、新劈刀圆柱型尖端结构、穿丝孔、劈刀尖端、新劈刀圆面。解决了现有金属深腔外壳的键合系统中键合劈刀与外壳内腔壁干涉卡住，键合劈刀无法再继续下降，造成键合失败的问题。广泛应用于金属深腔外壳的芯片键合领域。
一种适用于金属外壳劈刀

[实用新型]一种适用于金属深腔外壳的键合劈刀-CN202222811905.X有效
发明人：王安瑞;张泽月;梁赟 -专利权人：成都瑞芯时代科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及键合劈刀领域，公开了一种适用于金属深腔外壳的键合劈刀，包括键合劈刀主体的表面设置有刀体，刀体的的内侧设置有伸缩杆，伸缩杆的表面设置有阻尼圈，伸缩杆的另一端设置有刀头，刀体的顶端设置有油桶，油桶的内侧设置有推塞，推塞的一端设置有拉杆，油桶的顶端设置有进油管，该键合劈刀安装了伸缩杆、螺栓能够有效的解决金属深腔外壳键合空间狭小的问题，使其键合更加顺利不会与侧壁产生磨损，且当刀头出现磨损时只需更换刀头不用更换刀体，大大降低了使用成本，该键合劈刀安装了油桶能够有效的给引线进行润滑，使其输出更为通畅，避免了引线出现磨损，导致键合效果不好。
一种适用于金属外壳劈刀

[实用新型]一种高可靠的反向键合夹具-CN202020024675.0有效
发明人：李阳;周恒;刘金丽;谌帅业;蔡景洋;聂平键;张超超;商登辉 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠的反向键合夹具，该夹具是由底座、D型产品外壳、挡板、平面挡片、弹簧和弹簧撞针所组成的，底座是用高低不等的两个矩形立方块组成的整体，高的矩形立方块中央开有一个通孔，通孔中安放一个弹簧本实用新型将原有键合D型深腔类产品的夹具设计为更加紧密的弹簧弹力机械夹具，使用正交原理，通过对设备键合线弧参数进行优化，保证了键合引线键合强度拉力符合国家标准的要求，保证反向键合的可靠性。适用于键合D型深腔类产品。
一种可靠反向夹具

[实用新型]MEMS深腔引线键合封装结构-CN202222816974.X有效
发明人：申亚琪;施建洪;王建国 -专利权人：苏州捷研芯电子科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种MEMS深腔引线键合封装结构，包括壳体，所述壳体内固定设置有基板，所述基板的上表面设置有芯片，且所述基板上还设置有从其上表面延伸到下表面的焊盘；所述芯片的上表面设置有一组凹槽；所述芯片与所述焊盘之间通过键合线连接，所述键合线的一端焊接至所述凹槽内，其另一端连接至所述焊盘的上表面；有一导线连接所述焊盘和金属插针，所述金属插针位于所述基板的下底面，并与所述基板垂直设置。本实用新型的有益效果体现在：在芯片表面开设有凹槽，将键合线焊接于凹槽内，且焊接点不突出于凹槽，通过凹槽对焊接点进行限位使得焊接点不易受外力干扰而掉落，同时增强连接稳定性。
mems 引线封装结构

[发明专利]用于深腔封装激光发射器的自动金线键合一体治具-CN201610972097.1在审
发明人：袁家勇;张文臣;张亮;孙明 -专利权人：大连藏龙光电子科技有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明涉及光通信领域，具体涉及一种用于小型化深腔封装激光发射器自动金线键合的治具。提出了一种用于深腔封装激光发射器的自动金线键合一体治具，包括底板、加热台、产品放置台组件及产品压板，加热台设置有加热棒放置孔，加热台通过螺栓固定于底板上；产品放置台组件包括产品放置台及与手柄，手柄与产品放置台连接应用本发明所提出的自动金线键合一体治具，可以实现深腔封装激光发射器的自动金线键合，大幅提高金线键合的作业效率及成功率。
用于封装激光发射器自动金线键合一体

[实用新型]用于深腔封装激光发射器的自动金线键合一体治具-CN201621195765.6有效
发明人：袁家勇;张文臣;张亮;孙明 -专利权人：大连藏龙光电子科技有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本实用新型涉及光通信领域，具体涉及一种用于小型化深腔封装激光发射器自动金线键合的治具。提出了一种用于深腔封装激光发射器的自动金线键合一体治具，包括底板、加热台、产品放置台组件及产品压板，加热台设置有加热棒放置孔，加热台通过螺栓固定于底板上；产品放置台组件包括产品放置台及与手柄，手柄与产品放置台连接应用本实用新型所提出的自动金线键合一体治具，可以实现深腔封装激光发射器的自动金线键合，大幅提高金线键合的作业效率及成功率。
用于封装激光发射器自动金线键合一体

[发明专利]用微模具成型圆片级玻璃器件的方法-CN200910028463.8无效
发明人：黄庆安;柳俊文;尚金堂;唐洁影 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C03B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用微模具成型圆片级玻璃器件的方法，在微电子加工工艺在抛光硅圆片上刻蚀形成特定结构模具深腔，将上述硅圆片与Pyrex7740玻璃圆片在真空环境下进行键合，使硅片上的上述特定结构模具深腔形成密封腔体，将上述键合好的两圆片在一个大气压下加热，进行热成型，腔内外压力差使软化后的玻璃形成与上述特定结构模具深腔相应的微结构，冷却，将上述圆片退火消除应力，对上述热退火过后的键合片的玻璃背面进行化学机械抛光，磨平键合片的玻璃圆片背面，使用单面腐蚀方法去除硅模具层。
模具成型圆片级玻璃器件方法

[发明专利]一种深Pad晶圆的键合工艺及其应用-CN202210488378.5在审
发明人：王田芳 -专利权人：广东越海集成技术有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种深Pad晶圆的键合工艺及其应用，所述键合工艺首先将带有键合胶的玻璃基板和晶圆接触，然后进行预处理，最后在升温的条件下使得所述玻璃基板上的键合胶填进所述晶圆的Pad凹坑内并固化，完成所述深Pad晶圆的键合；通过限定所述预处理包括两次抽真空和一次破真空的步骤，在固化前有效去除了残留在Pad凹坑内的空气，从根本上避免了固化后晶圆存在孔洞以及残胶的问题，降低了深Pad键合晶圆产品的不良率，提高了键合工艺的稳定性差，为深Pad晶圆的键合提供了一种新的工艺方法。
一种 pad 工艺及其应用

[发明专利]一种晶圆级封装结构及其制备方法与吸气剂层的激活方法-CN202111493790.8在审
发明人：赵龙;杨晓杰;李海涛;姚浩强;高玉波;赵雪城 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级封装结构，包括第一晶圆和通过键合层与第一晶圆连接固定的第二晶圆，形成了容纳MEMS的空腔，其中第一晶圆的底面具有凸起，以使得第一晶圆的底面形成有深腔结构，该凸起与深腔结构通过倾斜侧沿过渡连接，而在凸起、倾斜侧沿以及深腔结构内设置有金属激活层，所述金属激活层在深腔结构内是间断设置的，同时在该金属激活层上设置有吸气剂层、以及间隔设置的第一绝缘层和第二绝缘层。所述键合层位于第一绝缘层上，使得吸气剂层位于空腔内，而第一绝缘层和第二绝缘层之间可以安装有激活电极，通过金属激活层的传导对吸气剂层进行电激活，避免了传统的热激活方式对晶圆器件的不利影响。
一种晶圆级封装结构及其制备方法吸气激活

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