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- [发明专利]尺寸测定装置和尺寸测定方法-CN200810089105.3有效
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酒井明人;芦田保
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萱场工业株式会社
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2008-03-28
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2008-10-01
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G01B21/02
- 本发明提供一种尺寸测定装置和尺寸测定方法，用于测定被测定物(2)尺寸的尺寸测定装置(1)，包括输送部件(5)、温度控制部件、尺寸测定部件(15)和温度测定部件(14)，该输送部件用于输送被测定物，该温度控制部件用于控制输送被测定物的输送区域(10、11)内的温度，该尺寸测定部件用于测定输送到上述输送区域中测定部(6)的被测定物的尺寸，该温度测定部件用于测定在由上述尺寸测定部件测定尺寸时的被测定物的温度；使用由上述温度测定部件测定的温度，将由上述尺寸测定部件测定的被测定物的尺寸修正为在预先确定的基准温度下的尺寸
- 尺寸测定装置方法
- [发明专利]气体分析装置-CN201910266635.9有效
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小林由贵;松尾纯一;藤村直之
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横河电机株式会社
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2019-04-03
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2022-05-03
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G01N21/31
- 本发明提供一种气体分析装置，该气体分析装置(1)包括：向包含待测气体(G)的测定区域(R1)照射测定光的发光部(21)；接收通过测定区域(R1)后的测定光的第一光接收部(22)；配置在发光部(21)与测定区域(R1)之间且将发光部(21)所照射的测定光的一部分分光为参照光的分光部(24)；包含有与待测气体(G)中的测定对象成分相同且浓度已知的气体并具有接收通过包含有气体的区域后的参照光的第二光接收部(26)的参照部(25)；以及配置在分光部(24)与包含有气体的区域之间的光学器件(28)，光学器件(28)使第二光接收部(26)上参照光的光束直径大于第二光接收部(26)的光接收直径。
- 气体分析装置
- [发明专利]粒子数测定器-CN201280073168.4有效
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奥田大二
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株式会社岛津制作所
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2012-05-21
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2015-01-14
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G01N15/06
- 粒子数测定器包括：前处理部，其构成为使被导入测定区域的气溶胶为中和状态、正带电状态或者负带电状态中的某个电气状态；单极带电部，其位于所述测定区域的内侧，并构成为使被导入的气溶胶为与被导入测定区域时的电气状态不同的电气状态的正带电状态或者负带电状态中的某一个；离子阱，其在所述测定区域的内侧被配置于气溶胶的流向上的所述单极带电部的下游，并具有产生仅吸引气溶胶中的气体离子的电场的离子阱电极；排气机构，其以一定流量将气溶胶从所述测定区域排出；以及电流计，其将从所述单极带电部供给的电流与流入离子阱的电流之差作为与粒子数浓度相对应的测定值来进行检测
- 粒子测定
- [发明专利]晶圆缺陷的检测方法-CN201710353548.8有效
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郭贤权;许向辉;陈昊瑜
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上海华力微电子有限公司
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2017-05-18
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2019-12-24
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H01L21/66
- 本发明提供一种晶圆缺陷的检测方法，包括：获取晶圆表面的图像，并将所述晶圆表面的图像划分为多个检测区域；在每个所述检测区域内选取多个第一测定区域，并将每个所述检测区域内的第一测定区域进行差异化比对，根据差异化比对的结果获得每个所述检测区域用于表征缺陷的阈值；将每个所述检测区域划分为多个第二测定区域，并将每个所述检测区域内的第二测定区域进行差异化比对后，将差异化比对的结果与对应的检测区域的阈值进行比较，若比较的结果满足预设条件，即获得对应的检测区域上所存在的缺陷本发明通过给不同检测区域设定不同的阈值，得到与不同检测区域相对应的缺陷数目，使得更多的多晶硅残留缺陷被捕获到，提升了检测的准确度。
- 缺陷检测方法
- [发明专利]沟槽图案的深度的测定方法和测定装置-CN200710140995.1有效
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山口真二;堀江正浩
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大日本网目版制造株式会社
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2007-08-15
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2008-02-27
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G01B11/22
- 一种沟槽图案的深度的测定方法和测定装置，把在测定区域(93)形成有沿给定沟槽方向延伸的沟槽图案的基板(9)保持在保持部(21)上；光照明部(3)对基板(9)的测定区域(93)照射照明光，分光器(5)的衍射光栅(52)把来自测定区域(93)的照明光的反射光分光，从而取得测定分光反射率。此时在沟槽形状测定装置(1)中，以使对应于衍射光栅(52)的光栅方向的基板(9)上的方向与沟槽方向45度的状态来配置衍射光栅(52)，所以即使在因沟槽图案的影响而限定了来自基板(9)的反射光的振动方向的情况下，也不会受反射光的偏振光的影响而能正确地求得测定区域(93)的分光反射率，并能高精度地求出沟槽图案的深度。
- 沟槽图案深度测定方法装置
- [发明专利]光盘装置的聚焦位置的调整方法-CN200610148278.9无效
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郑仁秀
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上海乐金广电电子有限公司
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2006-12-29
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2008-07-02
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G11B7/004
- 一种光盘装置的聚焦位置的调整方法，是对可记录的光盘调整到最佳的聚焦位置的方法，包括：插入装上的光盘在一定区域进行扫描，测定所定个数的RF等级的步骤；根据上述测定的RF等级的模式，决定上述扫描操作及RF等级测定操作的在执行与否的步骤；按照上述决定结果，在上述测定的RF等级中，以最高等级测定的点为基准，移动扫描区域的步骤；对上述移动的扫描区域，上述扫描操作及RF等级测定操作再完成的步骤；及根据通过上述再执行测定的RF等级，调整聚焦位置的步骤本发明为把聚焦位置调整到最佳，在条件不满足时，根据测定的RF等级的模式移动扫描区域，作为再执行，在快速时间里，能调整至最佳聚焦位置，以能够提高再生及记录质量。
- 光盘装置聚焦位置调整方法
- [发明专利]阻气性膜-CN201980026917.X有效
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星沙耶佳;神永纯一;尾村悠希;野本裕香
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凸版印刷株式会社
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2019-04-11
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2023-06-09
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B32B27/40
- ，沿厚度方向将上述第一区域均等地划分为11个带状区域，沿厚度方向切断上述阻气层而得的截面中从顶部到底部的不同于上述第一区域的区域为第二区域，沿厚度方向将上述第二区域均等地划分为11个带状区域，从而制作了总计为22个带状区域，在上述第一区域中的上述11个带状区域当中，对于从上述阻气层的表面起配置为第2个、第4个、第6个、第8个、第10个的带状区域，将在垂直于厚度方向的长度方向上的1μm设为测定对象区域，在上述第二区域中的上述11个带状区域当中，对于从上述阻气层的表面起配置为第2个、第4个、第6个、第8个、第10个的带状区域，将在垂直于厚度方向的长度方向上的1μm设为测定对象区域，选择作为10个测定对象区域的第1测定对象区域组，求出上述第1测定对象区域组中的上述10个测定对象区域各自在长度方向上的亮度投影(α)的标准偏差，当求出上述第1测定对象区域组中的总数为10个的上述亮度投影(α)的标准偏差的算术平均值作为平均值时，上述阻气层的上述第1测定对象区域组中的上述总数为10个的上述亮度投影(α)的上述标准偏差的上述平均值为10以下。
- 气性
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