“法区熔硅单晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1175902个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法-CN201210073865.1有效
发明人：余学功;肖承全;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型硅晶体在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本
一种掺杂电阻率均匀型直拉硅单晶及其制备方法

[发明专利]一种双层复合碳化硅衬底及其制备方法-CN202111381323.6在审
发明人：王振中 -专利权人：无锡华鑫检测技术有限公司
申请日： 2021-11-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提出了一种双层复合碳化硅衬底，所述衬底包括碳化硅单晶层和碳化硅多晶层；所述碳化硅多晶层中含有3C型晶体颗粒；所述晶体颗粒尺寸沿着垂直于衬底方向逆着碳化硅单晶层一侧渐次变小。利用化学气相沉积法在碳化硅单晶层上沉积碳化硅多晶层，控制晶体质量，提高了界面的结合强度，且兼顾了生长成本。本发明解决了碳化硅单晶和碳化硅多晶复合衬底存在的界面空隙和缺陷问题，能有效保持衬底应用性能的稳定性，保证与后续垂直器件工艺的兼容性，且制备过程有效减少碳化硅单晶的损耗，为高性能低成本碳化硅基器件制备奠定基础
一种双层复合碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]YB2单晶的用途-CN00133608.8无效
发明人：宋有庭;吴星;倪代秦 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2000-11-28 - 公布日： 2002-06-26 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及YB2单晶的用途,即作为外延GaN单晶薄膜的衬底材料。其步骤为利用熔盐籽晶提拉法或区熔法生长YB2单晶,经定向、切割、抛光制成以(0001)面为主表面的衬底,并在其上利用MOCVD或MBE技术外延生长GaN单晶薄膜。YB2作为外延GaN单晶薄膜的衬底材料,可降低外延生长GaN单晶薄膜的位错密度;晶体比较容易生长;且在外延温度下不会挥发污染外延真空室。
yb2 用途

[发明专利]含定向扩散结的肖特基器件及制造方法-CN201510660447.6在审
发明人：洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：P型岛区将占用15%以上的肖特基势垒区面积，影响JBS肖特基器件的参数性能，现在很多芯片加工厂，不能制作出性能优良的JBS肖特基器件。本发明方法包括：硅单晶基片（1），所述的硅单晶基片上具有外延层（2），所述的外延层上设置有肖特基势垒区（3），所述的肖特基势垒区与一组台面凸点P型区（4）配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层（8），所述的阳极金属层两侧设置有金属场板（6），所述的阳极金属层两侧与厚氧化层（7）连接，所述的厚氧化层下部装有P+环（5），所述的硅单晶基片下部装有阴极金属层（9）。
定向扩散肖特基器件制造方法

[发明专利]硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法-CN200610014304.9有效
发明人：刘玉岭;檀柏梅 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法，根据硅单晶衬底材料的化学性质，选用碱性介质，采用SiO₂水溶胶作为磨料，用pH调节剂调整溶液的pH值为9－13.5，并加入FA/O该方法采用不同抛光工艺条件下的粗抛、精抛两步抛光法进行抛光；用粗抛液在流量100－200ml/min，温度30－40℃，转速40－120rpm，压力0.10－0.20MPa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光用精抛液在流量800－1000ml/min，温度20－30℃，转速30－60rpm，压力0.05－0.10Mpa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光4－7min。实现硅单晶衬底材料表面的低粗糙度，以满足工业上对硅单晶衬底片CMP精密加工的要求。
硅单晶衬底材料表面粗糙控制方法

[发明专利]一种减少加热器损耗的碳化硅单晶生长方法-CN202110495921.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种减少加热器损耗的碳化硅单晶生长方法，它涉及碳化硅单晶生长方法。它是要解决现有的PVT法生长碳化硅单晶的方法中石墨坩埚易产生损耗的技术问题。本发明的方法：一、生长碳化硅单晶的装置包括石墨加热器、石墨坩埚；石墨坩埚由坩埚上盖和坩埚主体组成；将石墨坩埚置于石墨加热器中，再在石墨坩埚和石墨加热器之间的空隙中填充石墨粉并压实；二、将碳化硅原料放置在坩埚主体中，将碳化硅籽晶粘贴在坩埚上盖的内侧，将坩埚上盖盖在坩埚主体上，再在坩埚上盖的上表面盖上碳化硅多晶块；三、加热、生长，得到碳化硅单晶。本发明的石墨加热器和石墨坩埚分离，提高了加热器加热效率稳定性，提高晶体生长质量，可用于碳化硅单晶生长领域。
一种减少加热器损耗碳化硅生长方法

[发明专利]硅晶片及其制造方法-CN200580050229.5有效
发明人：杉村涉;小野敏昭;宝来正隆 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2005-11-09 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：在含有含氢原子的物质的气体的惰性环境气体中，通过CZ法生长硅单晶。对通过生长的硅单晶得到的晶片在非氧化环境气体中、于1000℃～1300℃下实施高温热处理。
晶片及其制造方法

[实用新型]一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉-CN201120016802.3无效
发明人：王增荣;李斌;郝俊涛;王飞;黄少华;赖汝萍;黄鲁生;钟贵琪;林增标;林海萍;黄云增;黄斌;林德彰;杨峰;王县 -专利权人：江西神硅科技有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉，包括单晶炉本体，所述单晶炉本体包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热器，所述单晶炉本体侧壁上设置有取光装置，所述取光装置包括开设在单晶炉本体侧壁上的通光孔、与通光孔配合的通光管道以及安装在通光管道内的三棱镜。本实用新型便于在拉晶过程中观测熔体液面的变化情况，利于硅单晶生产。
一种带有侧取光装置太阳能级硅单晶生产用单晶炉

[发明专利]直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法-CN201010104185.2无效
发明人：曹建伟;张俊;傅林坚;邱敏秀 -专利权人：杭州慧翔电液技术开发有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G01F23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶生产中的测量方法，旨在提供一种基于CCD测量的直拉硅单晶炉的硅熔体液面位置及单晶棒直径的测量方法。该方法包括：使用CCD摄像头获取单晶棒与硅熔体液面相交形成的光圈图像信号，并将信号经过模拟数字转换后传送至计算机系统；提取光圈图像中的图像边缘，得到光圈的椭圆形的像素坐标图；将像素坐标图椭圆形的边缘拟合成正圆；获取该正圆中心点的像素坐标位置；获取硅熔体液面高度数值和单晶棒直径的数值。通过本发明可以实时监控熔体液面的相对位置的变化，这一位置变化会对应CCD检测影像的像素变化，通过图像处理软件分析像素值增减来判断液面的位置变化，通过获得的液面位置值就可以精确控制液面位置值。
直拉硅单晶炉体液位置单晶棒直径测量方法

[发明专利]一种碳化硅单晶生长方法-CN201811302567.9有效
发明人：宁秀秀;高超;梁晓亮;李霞;宗艳民;刘家朋;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅单晶生长方法，所述方法包括将原料置于碳化硅单晶生长装置中，加热使得原料升华形成碳化硅单晶的步骤，所述晶体生长装置中设置有含有Si与SiC的混合物或Si粉的Si元素补充装置，所述Si元素补充装置设置于原料的内部，在Si元素补充装置上设有若干通孔；所述Si元素补充装置为钽材料坩埚或镀钽石墨材料坩埚；在晶体生长过程中，Si与SiC的混合物或Si粉可穿过通孔为碳化硅单晶的生长补充Si元素。本申请可以有效的调节在碳化硅单晶生长中生长腔室中的Si/C比例，从而减少单晶生长产生的碳包裹体缺陷以及调节原料区的温度场分布，减少原料的碳化。
碳化硅单晶补充装置生长混合物通孔坩埚晶体生长过程晶体生长装置温度场分布单晶生长生长腔室生长装置石墨材料碳包裹体缺陷原料区碳化加热申请穿过升华补充

[发明专利]一种用于高掺杂硅单晶生长的气体导引装置-CN201711316594.7在审
发明人：方峰;王学锋;邓德辉;李超 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高掺杂硅单晶生长的气体导引装置，该气体导引装置具有锥形结构，其顶端具有一通孔，该通孔直径为籽晶夹持器外径的1.05‑1.15倍；其下端直径为目标晶体直径0.9‑1.2倍；该气体导引装置设置在熔体上方采用本发明的气体导引装置，在NECK＞＞BODY阶段即使用较小的氩气流量，也能促使熔体上方的气流改善；较小的氩气流量，能够减少熔体上方气流刷新速度，减少了熔体内掺杂剂流失量，获得高掺杂的硅单晶。
气体导引装置籽晶夹持器高掺杂熔体硅单晶生长氩气流量通孔目标晶体锥形结构掺杂剂硅单晶下端体内穿过

[发明专利]一种采用直径法控制区熔晶体自动生长方法及系统-CN201110208855.X有效
发明人：靳立辉;刘嘉;王遵义;王彦君;赵宏波;李立伟;张雪囡;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C30B13/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用直径法控制区熔晶体自动生长方法及系统。本方法设定生长区间和输入控制参数，当直径大于50mm时，开通控制程序，程序根据测到的单晶直径判断生长区间，调用该区间参数并计算，根据参数和计算值完成控制，一个区间生长完成后，程序进入下一个区间，直至进入到等径生长阶段本系统包括PLC控制器、PC机、摄像头、发生器、触摸屏、上转、下转、上速和下速伺服电机、多晶和单晶旋转电机、多晶和单晶下降电机以及电磁阀、流量计和传感器。采用本方法和系统，大幅提升区熔法大直径单晶的生产能力，减小区熔人为造成的失误及损失，降低区熔单晶生长的人工劳动强度，可有效提高单晶的一致性质量。
一种采用直径控制区晶体自动生长方法系统

[实用新型]一种采用直径法控制区熔晶体自动生长系统-CN201120264257.X有效
发明人：靳立辉;刘嘉;王遵义;王彦君;赵宏波;李立伟;张雪囡;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C30B13/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种采用直径法控制区熔晶体自动生长系统。本系统包括PLC控制器、PC机、摄像头、发生器、触摸屏、上转、下转、上速和下速伺服电机、多晶和单晶旋转电机、多晶和单晶下降电机以及电磁阀、流量计和传感器。本系统首先设定生长区间和输入控制参数，当直径大于50mm时，开通控制程序，程序根据测到的单晶直径判断生长区间，调用该区间参数并计算，根据参数和计算值完成控制，一个区间生长完成后，程序进入下一个区间，直至进入到等径生长阶段采用本系统，大幅提升区熔法大直径单晶的生产能力，减小区熔人为造成的失误及损失，降低区熔单晶生长的人工劳动强度，可有效提高单晶的一致性质量。
一种采用直径控制区晶体自动生长系统

[发明专利]硅单晶的制造方法-CN98100136.X有效
发明人：阿部孝夫;木村雅规 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 1998-01-16 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中，使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅熔体接触，并且以缓慢的速度降低晶种的高度，以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉，以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进行缩颈操作。此方法可以轻易地提拉出重的硅单晶，而不进行缩颈操作，同时不需要使用例如晶体固定机构等的复杂装置。
硅单晶制造方法

[发明专利]硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置-CN201510661933.X有效
发明人：张汝京;林志鑫;肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置，其中，所述硅单晶棒回收装置包括用于盛装待回收的硅单晶棒的硅单晶棒容器；用于盖住并密封所述硅单晶棒容器的盖体；穿过所述盖体与所述硅单晶棒容器连通的第一管路；一端与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第二管路；一端与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第三管路；与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第四管路。液氮从第二管路流入硅单晶棒容器后，热去离子水通过第一管路流入硅单晶棒容器对其中的硅单晶棒淬火，淬火完成后的水通过第四管路排出，即可收集无污染的硅单晶碎块。在整个过程中，不会引入其他杂质，实现了无污染且快速的回收硅单晶棒，方便后续使用，降低了成本，提高了效益。
硅单晶棒回收装置方法液氮供应